学術講演
国際会議
一般講演
- I. Shiraki, C. L. Petersen, P. Boggild, T. M. Hansen, T. Nagao, F. Grey, and S. Hasegawa: Micro-four-point probes for surface-sensitive conductivity measurements, 10th International Conference on Solid Films and Surfaces, 2000年7月12日(Princeton Univ., USA).
- T. Nagao, T. Hildebrandt, M. Henzler, and S. Hasegawa:Dispersion and Damping of a Two-dimensional Plasmon in a Surface-State Band, 19th European Conference on the Surface Science (ECOSS19), 2000年9月5日(Madrid, Spain).
- T. Nagao, T. Hildebrandt, M. Henzler, and S. Hasegawa:Direct observation of two-dimensional plasmon in a metallic monolayer on silicon surface, 25th International Conference on the Physics of Semiconductors (ICPS25), 2000年9月18日(Osaka).
- I. Shiraki, C. L. Petersen, P. Boggild, T. M. Hansen, F. Tanabe, T. Nagao, F. Grey, and S. Hasegawa: Electronic transport through surface-state bands, 25th International Conference on the Physics of Semiconductors, 2000年9月19日(Osaka).
- S. V. Ryjkov, V. G. Lifshits, T. Nagao, and S. Hasegawa: Structural and transport properties of Si(001)2×3-Na surface, International Symposium on Surface and Interfaces -Properties of Different Symmetry Crossing--, 2000年10月18日(Nagoya).
- T. Sekiguchi, T. Nagao, and S. Hasegawa: A series of Ca-induced reconstructions of the Si(111) surface, International Symposium on Surface and Interfaces -Properties of Different Symmetry Crossing--, 2000年10月18日(Nagoya).
- T. Nagao, S. Hasegawa, T. Hildebrandt, and M. Henzler: Two-dimensional plasma oscillation in a metallic surface-state band on a silicon surface, International Symposium on Surface and Interfaces -Properties of Different Symmetry Crossing--, 2000年10月18日(Nagoya).
- F.X. Shi, I. Shiraki, T. Nagao, and S. Hasegawa: Surface electromigration and phase transformation of Ag and Cu on Si(111) surfaces modified by Au and Cu, International Symposium on Surface and Interfaces -Properties of Different Symmetry Crossing--, 2000年10月18日(Nagoya).
- T. Nagao, and S. Hasegawa: Effects of interface modification by surface superstructures on the growth of Bi overlayers, International Symposium on Surface and Interfaces -Properties of Different Symmetry Crossing--, 2000年10月18日(Nagoya).
- T. Tanikawa, I. Matsuda, T. Nagao, and S. Hasegawa: Growth mode and electrical conductance of Ag atomic layers on Si(001) surface, International Symposium on Surface and Interfaces -Properties of Different Symmetry Crossing--, 2000年10月18日(Nagoya).
- I. Shiraki, F. Tanabe, T. Nagao, F. Grey, and S. Hasegawa: Surface conductivity measurements by micro- and nano-four-point probes, International Symposium on Surface and Interfaces -Properties of Different Symmetry Crossing--, 2000年10月18日(Nagoya).
- T. Nagao, T. Hildebrandt, M. Henzler, and S. Hasegawa:Plasmon dispersion in a metallic surface-state band on a silicon surface ,The Fourth Japan-Russia Seminar on Semiconductor Surfaces, 2000年12月12日(Nagoya).
- S. V. Ryjkov, V. G. Lifshits, T. Nagao, and S. Hasegawa: Effects of surface structures on electrical resistance of silicon, The 4th Japan-Russia Seminar on Semiconductor Surfaces, 2000年11月13日(Nagoya).
- I. Shiraki, F. Tanabe, R. Hobara, T. Nagao, and S. Hasegawa: Independently driven four-tip UHV-STM, The 8th International Colloquium on Scanning Probe Microscopy and Asian SPM-3, 2000年12月9日(Atagawa).
- T. Nagao, T. Hildebrandt, M. Henzler, and S. Hasegawa: Observation of a Low-Dimensional Plasmon in a Metallic Surface-State Band on a Silicon Surface, The Symposium on Surface Science 2001年1月8日(Furano).
- T. Tanikawa, I. Matsuda, T. Nagao, and S. Hasegawa: Growth and conductivity of Ag layers on Si(001) surfaces, 251st WE-Heraeus Seminar on 2D Conductivity in Surface States and Monolayers, 2001年3月5日(Bad Honnef, Germany).
- S. Hasegawa, I. Shiraki, C. L. Petersen, F. Grey, T. M. Hansen, P. Boggild, T. Tanikawa, F. Tanabe, and T. Nagao: Microscopic four-point probes for surface conductivity measurements, 251st WE-Heraeus Seminar on 2D Conductivity in Surface States and Monolayers, 2001年3月5日(Bad Honnef, Germany).
- T. Nagao, H. Seki, and S. Hasegawa: Growth and conductivity of bismuth overlayers on Si(111) surfaces, 251st WE-Heraeus Seminar on 2D Conductivity in Surface States and Monolayers, 2001年3月5日(Bad Honnef, Germany).
- I. Shiraki, F. Tanabe, R. Hobara, T. Nagao, and S. Hasegawa: Independently driven four-tip UHV-STM, 251st WE-Heraeus Seminar on 2D Conductivity in Surface States and Monolayers, 2001年3月6日(Bad Honnef, Germany).
- T. Nagao, and S. Hasegawa: Surface-state 2D plasmon, 251st WE-Heraeus Seminar on 2D Conductivity in Surface States and Monolayers, 2001年3月6日(Bad Honnef, Germany).
- S. V. Ryjkov, V. G. Lifshits, T. Nagao, and S. Hasegawa: Structural transformations on silicon: effect on electrical resistance, 251st WE-Heraeus Seminar on 2D Conductivity in Surface States and Monolayers, 2001年3月7日(Bad Honnef, Germany).
招待講演
- S. Hasegawa: Micro- and nano-four-point probes for surface conductivity measurements, US-Japan Seminar on Mesoscopic Phenomena on Surfaces, 2000年4月6日(Utah, USA).
- S. Hasegawa: Electronic transport through surface-state bands measured with micro- and nano-four-probes in UHV, The 1st Korea-Japan Workshop on Frontier Nanostructures on Surfaces, 2000年10月23日(Yonsei Univ., Korea).
- S. Hasegawa, I. Shiraki, F. Tanabe, T. Nagao, and F. Grey: Conductivity measurements in micro- and nanometer-scale regions on surfaces, The 4th Japan-Russia Seminar on Semiconductor Surfaces, 2000年11月13日(Nagoya).
- S. Hasegawa, I. Shiraki, F. Tanabe, T. M. Hansen, and F. Grey: Surface-state electronic transport measured by microscopic four-point probes, The Symposium on Surface Science 2001, 2001年1月11日(Furano).
- S. Hasegawa: Surface-state electronic transport measured by microscopic four-point probes, International Workshop on Dynamical Phenomena Related with Electrons at Surfaces (27th IUVSTA Workshop), 2001年1月29日(Kushiro).
- S. Hasegawa: Atomic imaging of macroscopic surface conductivity, 2001 International Seminar on Advanced Semiconductor Devices and Circuits (Research Center for Interface Quantum Electronics), 2001年1月31日(Hokkaido Univ.).
- S. Hasegawa: Resume -Surface-state electrical conductivity-, 251st WE-Heraeus Seminar on 2D Conductivity in Surface States and Monolayers, 2001年3月8日(Bad Honnef, Germany).
国内会議
一般講演
- 長谷川修司:表面量子物性, 物性研ワークショップ「原子尺度の表面デザイン --- 低次元性機能の発現を目指して ---」, 2000年6月8日 (物性研).
- 長谷川修司: 低温表面での相転移から新しい物理が生まれるか、文部省科学研究費補助金創成的基礎研究費「表面・界面-異なる対称性の接点の物性」討論会、2000年6月23日(熱海).
- 長谷川修司: 表面電気伝導の課題、文部省科学研究費補助金創成的基礎研究費「表面・界面-異なる対称性の接点の物性」討論会、2000年6月23日(熱海).
- 長尾忠昭、T. Hildebrandt、M. Henzler、長谷川修司:表面電子状態中のシートプラズモンにおける量子効果、日本物理学会 第55回年次大会、2000年9月22日(新潟大学).
- S. V. Ryjkov、長尾忠昭、V. Lifshits、長谷川修司:Epitaxial growth of Ag on Si(111)-4×1-In surface、日本物理学会 第55回年次大会、2000年9月24日(新潟大学).
- 金川泰三、長尾忠昭、谷川雄洋、長谷川修司:アルカリ金属原子吸着 Si(111)-√3×√3-Ag 表面の構造と電気伝導、日本物理学会 第55回年次大会、2000年9月24日(新潟大学).
- 長尾忠昭、長谷川修司:Bi 多重原子層成長における表面超構造を用いた界面改質の効果、日本物理学会 第55回年次大会、2000年9月24日(新潟大学).
- 白木一郎、田邊輔仁、保原麗、長尾忠昭、長谷川修司:4探針STMの開発とそれによる表面電気伝導の測定、科学技術振興事業団 戦略的基礎研究「量子効果等の物理」第4回シンポジウム、2000年12月20日 (東京).
- 長谷川修司: Si(111)-√3×√3-Ag 表面、この古くて新しい表面、文部省科学研究費補助金創成的基礎研究費「表面・界面-異なる対称性の接点の物性」ワークショップ「Si(111)-√3×√3-Ag 表面」、2000年12月25日(学士会館、東京).
- 長谷川修司、大内暁、X. Tong、谷川雄洋、佐藤昇男、長尾忠昭: 金属吸着シリコン表面の電子状態、物性研研究会シリーズ物性研究の展望「高輝度光源計画の現状と放射光利用研究の展望」、2000年12月27日(物性研).
- 長尾忠昭:波数空間とエネルギー空間の高分解能化でナノ構造の物性を観る、日本板硝子材料工学助成会研究成果報告会、2001年1月18日(東京).
- 白木一郎、田邊輔仁、保原麗、長尾忠昭、長谷川修司: 独立駆動型4探針STMによる表面電気伝導の研究、文部省科学研究費補助金創成的基礎研究費「表面・界面-異なる対称性の接点の物性」平成12年度 年度末研究報告会、2001年1月27日(東工大).
- 田邊輔仁、白木一郎、保原麗、長尾忠昭、長谷川修司:独立駆動型四探針STM装置による表面電気伝導の測定、日本物理学会 第56回年次大会、2001年3月28日(中央大学).
- 谷川雄洋、白木一郎、長尾忠昭、長谷川修司:マイクロ4端子法による電気伝導の測定、日本物理学会 第56回年次大会、2001年3月28日(中央大学).
招待講演
- 長谷川修司:半導体表面の電子輸送、第45回物性若手夏の学校、2000年8月21日(鳥取).
- 長谷川修司:半導体表面科学の新展開、第61回応用物理学学術講演会、「半導体界面形成 - 原子レベルの表面・界面制御を目指して --」シンポジウム、2000年9月5日(北海道工業大学、札幌).
- 長谷川修司:物性測定装置としてのSPM、日本表面科学会 第21回 表面科学セミナー「走査プローブ顕微鏡で観る測る創る」、2000年10月26日(金属材料技術研究所、東京).
- 長谷川修司:電気伝導を観る、日本電子顕微鏡学会 第45回 シンポジウム「観る限界を越えて」、2000年11月21日(岡崎国立共同研究機構コンファレンスセンター、岡崎).
- 長谷川修司:4探針STMの開発とナノ領域伝導の測定、日本学術振興会ナノプローブテクノロジー第167委員会 第19回 研究会「SPMによる表面電気伝導特性の評価」、2001年1月16日(大阪大).
- 長谷川修司:原子を並べて電気を通す -原子と電子の動きを“観る”--、日本表面科学会 第1回市民公開講座「社会を変えるナノサイエンスの世界 -表面科学の基礎とその広がり--」、2001年3月17日(東京大学).
- 長谷川修司:いまさらSi(111)-√3×√3-Ag 表面?!、日本物理学会 第56回年次大会 領域9シンポジウム「シリコン表面での相転移」、2001年3月27日(中央大学).
セミナー
- 長谷川修司:半導体表面における低次元電子系の電子状態と電子輸送物性、東京工業大学大学院理学研究科物性物理学専攻、2000年5月31日(大岡山).
- 長谷川修司:Electronic transport on silicon surfaces、東北大学金属材料研究所回折結晶学部門、2000年6月20日(仙台).
- 長谷川修司:半導体表面の電子輸送 ― 原子スケール低次元系としてのシリコン表面電子バンド、 東北大学大学院理学研究科物理学教室物性コロキュウム、2000年6月20日(本郷).
- 長谷川修司:いまさらSi(111)-√3×√3-Ag表面!?、日本物理学会 第56回年次大会 領域9シンポジウム「Si系表面における相転移」、2001年3月27日(中央大学).
講義等
- 長谷川修司:半導体表面物性、東京工業大学大学院理学研究科物性物理学専攻 集中講義 2000年5月24, 31日、6月7日(大岡山).
- 長谷川修司:原子を観る、触る、手繰る、電子の波動関数を観る、現代物理学入門 (3年生)(分担担当) 2000年6月5日(本郷).
- 長谷川修司:物性物理学特別講義3、東北大学大学院理学研究科物理学専攻 集中講義 2000年6月19, 20, 21日(仙台).
- 長谷川修司:原子を観る、並べる、さらには電子の波動関数も観る、 千葉大学ベンチャービジネスラボ「電子光情報基盤技術研究センター」 ベンチャー特論1 集中講義、2000年11月17日(千葉).
- 長谷川修司:現代物理実験学I(3年生)(分担担当) 2000年度夏学期(本郷).
- 長谷川修司:物理実験学(2年生)(分担担当) 2000年度冬学期(駒場).
- 長谷川修司、長尾忠昭、谷川雄洋 (TA):物理学実験II (3年生)表面物性、 2000年度冬学期(本郷).
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