学術講演

国際会議

一般講演
  1. I. Shiraki, C. L. Petersen, P. Boggild, T. M. Hansen, T. Nagao, F. Grey, and S. Hasegawa: Micro-four-point probes for surface-sensitive conductivity measurements, 10th International Conference on Solid Films and Surfaces, 2000年7月12日(Princeton Univ., USA).
  2. T. Nagao, T. Hildebrandt, M. Henzler, and S. Hasegawa:Dispersion and Damping of a Two-dimensional Plasmon in a Surface-State Band, 19th European Conference on the Surface Science (ECOSS19), 2000年9月5日(Madrid, Spain).
  3. T. Nagao, T. Hildebrandt, M. Henzler, and S. Hasegawa:Direct observation of two-dimensional plasmon in a metallic monolayer on silicon surface, 25th International Conference on the Physics of Semiconductors (ICPS25), 2000年9月18日(Osaka).
  4. I. Shiraki, C. L. Petersen, P. Boggild, T. M. Hansen, F. Tanabe, T. Nagao, F. Grey, and S. Hasegawa: Electronic transport through surface-state bands, 25th International Conference on the Physics of Semiconductors, 2000年9月19日(Osaka).
  5. S. V. Ryjkov, V. G. Lifshits, T. Nagao, and S. Hasegawa: Structural and transport properties of Si(001)2×3-Na surface, International Symposium on Surface and Interfaces -Properties of Different Symmetry Crossing--, 2000年10月18日(Nagoya).
  6. T. Sekiguchi, T. Nagao, and S. Hasegawa: A series of Ca-induced reconstructions of the Si(111) surface, International Symposium on Surface and Interfaces -Properties of Different Symmetry Crossing--, 2000年10月18日(Nagoya).
  7. T. Nagao, S. Hasegawa, T. Hildebrandt, and M. Henzler: Two-dimensional plasma oscillation in a metallic surface-state band on a silicon surface, International Symposium on Surface and Interfaces -Properties of Different Symmetry Crossing--, 2000年10月18日(Nagoya).
  8. F.X. Shi, I. Shiraki, T. Nagao, and S. Hasegawa: Surface electromigration and phase transformation of Ag and Cu on Si(111) surfaces modified by Au and Cu, International Symposium on Surface and Interfaces -Properties of Different Symmetry Crossing--, 2000年10月18日(Nagoya).
  9. T. Nagao, and S. Hasegawa: Effects of interface modification by surface superstructures on the growth of Bi overlayers, International Symposium on Surface and Interfaces -Properties of Different Symmetry Crossing--, 2000年10月18日(Nagoya).
  10. T. Tanikawa, I. Matsuda, T. Nagao, and S. Hasegawa: Growth mode and electrical conductance of Ag atomic layers on Si(001) surface, International Symposium on Surface and Interfaces -Properties of Different Symmetry Crossing--, 2000年10月18日(Nagoya).
  11. I. Shiraki, F. Tanabe, T. Nagao, F. Grey, and S. Hasegawa: Surface conductivity measurements by micro- and nano-four-point probes, International Symposium on Surface and Interfaces -Properties of Different Symmetry Crossing--, 2000年10月18日(Nagoya).
  12. T. Nagao, T. Hildebrandt, M. Henzler, and S. Hasegawa:Plasmon dispersion in a metallic surface-state band on a silicon surface ,The Fourth Japan-Russia Seminar on Semiconductor Surfaces, 2000年12月12日(Nagoya).
  13. S. V. Ryjkov, V. G. Lifshits, T. Nagao, and S. Hasegawa: Effects of surface structures on electrical resistance of silicon, The 4th Japan-Russia Seminar on Semiconductor Surfaces, 2000年11月13日(Nagoya).
  14. I. Shiraki, F. Tanabe, R. Hobara, T. Nagao, and S. Hasegawa: Independently driven four-tip UHV-STM, The 8th International Colloquium on Scanning Probe Microscopy and Asian SPM-3, 2000年12月9日(Atagawa).
  15. T. Nagao, T. Hildebrandt, M. Henzler, and S. Hasegawa: Observation of a Low-Dimensional Plasmon in a Metallic Surface-State Band on a Silicon Surface, The Symposium on Surface Science 2001年1月8日(Furano).
  16. T. Tanikawa, I. Matsuda, T. Nagao, and S. Hasegawa: Growth and conductivity of Ag layers on Si(001) surfaces, 251st WE-Heraeus Seminar on 2D Conductivity in Surface States and Monolayers, 2001年3月5日(Bad Honnef, Germany).
  17. S. Hasegawa, I. Shiraki, C. L. Petersen, F. Grey, T. M. Hansen, P. Boggild, T. Tanikawa, F. Tanabe, and T. Nagao: Microscopic four-point probes for surface conductivity measurements, 251st WE-Heraeus Seminar on 2D Conductivity in Surface States and Monolayers, 2001年3月5日(Bad Honnef, Germany).
  18. T. Nagao, H. Seki, and S. Hasegawa: Growth and conductivity of bismuth overlayers on Si(111) surfaces, 251st WE-Heraeus Seminar on 2D Conductivity in Surface States and Monolayers, 2001年3月5日(Bad Honnef, Germany).
  19. I. Shiraki, F. Tanabe, R. Hobara, T. Nagao, and S. Hasegawa: Independently driven four-tip UHV-STM, 251st WE-Heraeus Seminar on 2D Conductivity in Surface States and Monolayers, 2001年3月6日(Bad Honnef, Germany).
  20. T. Nagao, and S. Hasegawa: Surface-state 2D plasmon, 251st WE-Heraeus Seminar on 2D Conductivity in Surface States and Monolayers, 2001年3月6日(Bad Honnef, Germany).
  21. S. V. Ryjkov, V. G. Lifshits, T. Nagao, and S. Hasegawa: Structural transformations on silicon: effect on electrical resistance, 251st WE-Heraeus Seminar on 2D Conductivity in Surface States and Monolayers, 2001年3月7日(Bad Honnef, Germany).
招待講演
  1. S. Hasegawa: Micro- and nano-four-point probes for surface conductivity measurements, US-Japan Seminar on Mesoscopic Phenomena on Surfaces, 2000年4月6日(Utah, USA).
  2. S. Hasegawa: Electronic transport through surface-state bands measured with micro- and nano-four-probes in UHV, The 1st Korea-Japan Workshop on Frontier Nanostructures on Surfaces, 2000年10月23日(Yonsei Univ., Korea).
  3. S. Hasegawa, I. Shiraki, F. Tanabe, T. Nagao, and F. Grey: Conductivity measurements in micro- and nanometer-scale regions on surfaces, The 4th Japan-Russia Seminar on Semiconductor Surfaces, 2000年11月13日(Nagoya).
  4. S. Hasegawa, I. Shiraki, F. Tanabe, T. M. Hansen, and F. Grey: Surface-state electronic transport measured by microscopic four-point probes, The Symposium on Surface Science 2001, 2001年1月11日(Furano).
  5. S. Hasegawa: Surface-state electronic transport measured by microscopic four-point probes, International Workshop on Dynamical Phenomena Related with Electrons at Surfaces (27th IUVSTA Workshop), 2001年1月29日(Kushiro).
  6. S. Hasegawa: Atomic imaging of macroscopic surface conductivity, 2001 International Seminar on Advanced Semiconductor Devices and Circuits (Research Center for Interface Quantum Electronics), 2001年1月31日(Hokkaido Univ.).
  7. S. Hasegawa: Resume -Surface-state electrical conductivity-, 251st WE-Heraeus Seminar on 2D Conductivity in Surface States and Monolayers, 2001年3月8日(Bad Honnef, Germany).

国内会議

一般講演
  1. 長谷川修司:表面量子物性, 物性研ワークショップ「原子尺度の表面デザイン --- 低次元性機能の発現を目指して ---」, 2000年6月8日 (物性研).
  2. 長谷川修司: 低温表面での相転移から新しい物理が生まれるか、文部省科学研究費補助金創成的基礎研究費「表面・界面-異なる対称性の接点の物性」討論会、2000年6月23日(熱海).
  3. 長谷川修司: 表面電気伝導の課題、文部省科学研究費補助金創成的基礎研究費「表面・界面-異なる対称性の接点の物性」討論会、2000年6月23日(熱海).
  4. 長尾忠昭、T. Hildebrandt、M. Henzler、長谷川修司:表面電子状態中のシートプラズモンにおける量子効果、日本物理学会 第55回年次大会、2000年9月22日(新潟大学).
  5. S. V. Ryjkov、長尾忠昭、V. Lifshits、長谷川修司:Epitaxial growth of Ag on Si(111)-4×1-In surface、日本物理学会 第55回年次大会、2000年9月24日(新潟大学).
  6. 金川泰三、長尾忠昭、谷川雄洋、長谷川修司:アルカリ金属原子吸着 Si(111)-√3×√3-Ag 表面の構造と電気伝導、日本物理学会 第55回年次大会、2000年9月24日(新潟大学).
  7. 長尾忠昭、長谷川修司:Bi 多重原子層成長における表面超構造を用いた界面改質の効果、日本物理学会 第55回年次大会、2000年9月24日(新潟大学).
  8. 白木一郎、田邊輔仁、保原麗、長尾忠昭、長谷川修司:4探針STMの開発とそれによる表面電気伝導の測定、科学技術振興事業団 戦略的基礎研究「量子効果等の物理」第4回シンポジウム、2000年12月20日 (東京).
  9. 長谷川修司: Si(111)-√3×√3-Ag 表面、この古くて新しい表面、文部省科学研究費補助金創成的基礎研究費「表面・界面-異なる対称性の接点の物性」ワークショップ「Si(111)-√3×√3-Ag 表面」、2000年12月25日(学士会館、東京).
  10. 長谷川修司、大内暁、X. Tong、谷川雄洋、佐藤昇男、長尾忠昭: 金属吸着シリコン表面の電子状態、物性研研究会シリーズ物性研究の展望「高輝度光源計画の現状と放射光利用研究の展望」、2000年12月27日(物性研).
  11. 長尾忠昭:波数空間とエネルギー空間の高分解能化でナノ構造の物性を観る、日本板硝子材料工学助成会研究成果報告会、2001年1月18日(東京).
  12. 白木一郎、田邊輔仁、保原麗、長尾忠昭、長谷川修司: 独立駆動型4探針STMによる表面電気伝導の研究、文部省科学研究費補助金創成的基礎研究費「表面・界面-異なる対称性の接点の物性」平成12年度 年度末研究報告会、2001年1月27日(東工大).
  13. 田邊輔仁、白木一郎、保原麗、長尾忠昭、長谷川修司:独立駆動型四探針STM装置による表面電気伝導の測定、日本物理学会 第56回年次大会、2001年3月28日(中央大学).
  14. 谷川雄洋、白木一郎、長尾忠昭、長谷川修司:マイクロ4端子法による電気伝導の測定、日本物理学会 第56回年次大会、2001年3月28日(中央大学).
招待講演
  1. 長谷川修司:半導体表面の電子輸送、第45回物性若手夏の学校、2000年8月21日(鳥取).
  2. 長谷川修司:半導体表面科学の新展開、第61回応用物理学学術講演会、「半導体界面形成 - 原子レベルの表面・界面制御を目指して --」シンポジウム、2000年9月5日(北海道工業大学、札幌).
  3. 長谷川修司:物性測定装置としてのSPM、日本表面科学会 第21回 表面科学セミナー「走査プローブ顕微鏡で観る測る創る」、2000年10月26日(金属材料技術研究所、東京).
  4. 長谷川修司:電気伝導を観る、日本電子顕微鏡学会 第45回 シンポジウム「観る限界を越えて」、2000年11月21日(岡崎国立共同研究機構コンファレンスセンター、岡崎).
  5. 長谷川修司:4探針STMの開発とナノ領域伝導の測定、日本学術振興会ナノプローブテクノロジー第167委員会 第19回 研究会「SPMによる表面電気伝導特性の評価」、2001年1月16日(大阪大).
  6. 長谷川修司:原子を並べて電気を通す -原子と電子の動きを“観る”--、日本表面科学会 第1回市民公開講座「社会を変えるナノサイエンスの世界 -表面科学の基礎とその広がり--」、2001年3月17日(東京大学).
  7. 長谷川修司:いまさらSi(111)-√3×√3-Ag 表面?!、日本物理学会 第56回年次大会 領域9シンポジウム「シリコン表面での相転移」、2001年3月27日(中央大学).

セミナー

  1. 長谷川修司:半導体表面における低次元電子系の電子状態と電子輸送物性、東京工業大学大学院理学研究科物性物理学専攻、2000年5月31日(大岡山).
  2. 長谷川修司:Electronic transport on silicon surfaces、東北大学金属材料研究所回折結晶学部門、2000年6月20日(仙台).
  3. 長谷川修司:半導体表面の電子輸送 ― 原子スケール低次元系としてのシリコン表面電子バンド、 東北大学大学院理学研究科物理学教室物性コロキュウム、2000年6月20日(本郷).
  4. 長谷川修司:いまさらSi(111)-√3×√3-Ag表面!?、日本物理学会 第56回年次大会 領域9シンポジウム「Si系表面における相転移」、2001年3月27日(中央大学).

講義等

  1. 長谷川修司:半導体表面物性、東京工業大学大学院理学研究科物性物理学専攻 集中講義 2000年5月24, 31日、6月7日(大岡山).
  2. 長谷川修司:原子を観る、触る、手繰る、電子の波動関数を観る、現代物理学入門 (3年生)(分担担当) 2000年6月5日(本郷).
  3. 長谷川修司:物性物理学特別講義3、東北大学大学院理学研究科物理学専攻 集中講義 2000年6月19, 20, 21日(仙台).
  4. 長谷川修司:原子を観る、並べる、さらには電子の波動関数も観る、 千葉大学ベンチャービジネスラボ「電子光情報基盤技術研究センター」 ベンチャー特論1 集中講義、2000年11月17日(千葉).
  5. 長谷川修司:現代物理実験学I(3年生)(分担担当) 2000年度夏学期(本郷).
  6. 長谷川修司:物理実験学(2年生)(分担担当) 2000年度冬学期(駒場).
  7. 長谷川修司、長尾忠昭、谷川雄洋 (TA):物理学実験II (3年生)表面物性、 2000年度冬学期(本郷).