学術講演

国際会議

一般講演

  1. S. V. Ryjkov, T. Nagao, V. G. Lifshits, and S. Hasegawa: Stability of one-dimensional CDW phase on Si(111) surface with impurity-atom adsorptions, 8th International Conference on the Formation of Semiconductor Interfaces (ICFSI-8), 2001年6月11日（札幌）
  2. X. Tong, S. Ohuchi, T. Tanikawa, N. Sato, T. Nagao, I. Matsuda, A. Harasawa, T. Okuda, T. Kinoshita, and S. Hasegawa: Electronic structures of Ag-induced superstructures on Si(111) surfaces by valence-bands and core-level photoemission spectroscopies, 8th International Conference on the Formation of Semiconductor Interfaces (ICFSI-8), 2001年6月12日（札幌）
  3. H. Morikawa, K. Horikoshi, and S. Hasegawa: STM Investigation of Sn,Pb/Si(111)-$(3\times 3)$ Phase at RT and LT15th International Vacuum Congress/AVS 48th International Symposium/11th International Conference on Solid Surfaces, 2001年11月2日 (San Francisco, USA).
  4. H. Morikawa, K. Horikoshi, and S. Hasegawa: STM study of√3×√3-Sn,Pb/Si(111) surface, 57th Yamada Conference on Atomic-scale surface designing for fuctional low-dimensional materials, 2001年11月14日 (筑波).
  5. C. Liu, S.Hasegawa: STM observations of alkali-metal adsorptions on Si(111)-√3×√3-Ag surface, 57th Yamada Conference on Atomic-scale surface designing for fuctional low-dimensional materials, 2001年11月14日 (筑波).
  6. T. Tanikawa, S. Hasegawa, I. Shiraki, T. M. Hansen, P. Boggild, and F. Grey : Surface Sheet Conductance measured by Micro-Four-Probe Method, 57th Yamada Conference on Atomic-scale surface designing for fuctional low-dimensional materials, 2001年11月14日 (筑波).
  7. H. Morikawa, I. Matsuda, S. Hasegawa: STM Study of Phase Transitions on the Sn,Pb/Si(111) Surfaces, The 9th International Colloquium on Scanning Probe Microscopy, 2001年12月7日（熱川）.
  8. H. Morikawa, I. Matsuda, S. Hasegawa: STM Study of Phase Transitions on the Sn,Pb/Si(111) Surfaces, Dr. Rohrer's JSPS Award Workshop, 2002年3月5日 (仙台).
  9. T. Kanagawa, R. Hobara, S. Hasegawa: Performance of Independently Driven Four-Tip STM, Dr.Rohrer's JSPS Award Workshop, Dr. Rohrer's JSPS Award Workshop, 2002年3月5日 (仙台).
  10. T. M. Hansen, P. BoggildT, I. Shiraki, and S. Hasegawa: Towards nanoscale four-point probe measurements of conductivity at surfaces, March Meeting of The American Physical Society, 2002年3月18日（Indianapolis, USA）.
  11. S. Hasegawa, I. Shiraki, F. Tanabe: Electrical transport through surface states measured by a four-tip STM, March Meeting of The American Physical Society, 2002年3月18日（Indianapolis, USA）.
  12. T. Nagao, T. Sekiguchi, and S. Hasegawa：Growth and conductivity of bismuth overlayers on Si(111) surfaces, March Meeting of The American Physical Society, 2002年3月18日（Indianapolis, USA）.
  13. T. Nagao, T. Hildebrandt, M. Henzler, and S. Hasegawa：Plasmon dispersions in atomically thin two-dimensional electron systems, March Meeting of The American Physical Society, 2002年3月20日（Indianapolis, USA）.

招待講演

  1. S. Hasegawa: Surface-state electronic transpoirt, 8th International Conference on the Formation of Semiconductor Interfaces (ICFSI-8), 2001年6月12日 (札幌).
  2. S. Hasegawa: Four-tip STM for measuring electronic transport, International Conference on Nano Science and Technology in the 21st Century, 2001年6月22日 (仙台).
  3. S. Hasegawa: Electronic conductivity of thin metal layers onsilicon, Gordon Research Conference on Thin Films and Crystal Growth Mechanism, 2001年7月4日 (Williams Colledge, USA).
  4. S. Hasegawa: Electronic transport through surface-state bands, 15th International Vacuum Congress/AVS 48th International Symposium/11th International Conference on Solid Surfaces, 2001年11月1日 (San Francisco, USA).
  5. S. Hasegawa: Surface-state electronic transport, 57th Yamada Conference on Atomic-scale surface designing for fuctional low-dimensional materials, 2001年11月15日 (筑波).

国内会議

一般講演

  1. 劉燦華、長谷川修司：Si(111)-√21×√21-(Ag+アルカリ金属)構造のSTM観察、日本物理学会第56回年次大会、2001年9月19日　(徳島大学).
  2. 守川春雲、堀越孝太郎、長谷川修司、「室温及び低温におけるα-√3×√3-Sn,Pb/Si(111)表面のSTM観察」、日本物理学会第56回年次大会、2001年9月19日(徳島大学).
  3. 長谷川修司：４探針ＳＴＭで何ができるか？, 東北大学電気通信研究所「半導体表面におけるナノプロセスの量子科学」研究会, 2001年10月12日 (仙台).
  4. 劉燦華、長谷川修司：STM observations of alkali-metal adsorptions on Si(111)-√3×√3-Ag surface、日本表面科学会第21回表面科学講演大会、2001年11月29日 (東京).
  5. 守川春雲、堀越孝太郎、長谷川修司「室温及び低温におけるα-√3×√3-Sn,Pb/Si(111)表面のSTM観察」　日本表面科学会第21回表面科学講演大会、2001年11月29日 (東京)
  6. 谷川雄洋、白木一郎、F.Grey、長谷川修司: マイクロ４端子法による電気伝導の測定、日本表面科学会第21回表面科学講演大会、2001年11月29日 (東京).
  7. 保原麗、金川泰三、白木一郎、松田巌、長谷川修司：４探針ＳＴＭによる表面電気伝導測定、日本物理学会第５７回年次大会、2002年3月24日（立命館大、滋賀）.
  8. 谷川雄洋、松田巌、長谷川修司：温度可変μ４端子法による表面電気伝導、日本物理学会第５７回年次大会、2002年3月25日（立命館大、滋賀）.
  9. 稲岡毅、長尾忠昭、T. Hildebrandt、M. Henzler、長谷川修司：半導体表面金属単原子層に生ずる２次元電子励起：交換・相関の効果、日本物理学会第５７回年次大会、2002年3月27日（立命館大、滋賀）.

招待講演

  1. 長谷川修司：４探針ＳＴＭによる表面ナノ構造の電気伝導測定、大阪電気通信大学エレクトロニクス基礎研究所第８回シンポジウム「原子・分子レベルで制御した材料創製とキャラクタリゼーション」、2001年4月25日（大阪）.
  2. 長谷川修司：４探針ＳＴＭとマイクロ４端子プローブ法、ULVAC-PHI/Omicron Nanotechnology '01、2001年5月23日（名古屋）.
  3. 長谷川修司：４探針ＳＴＭとマイクロ４端子プローブ法、ULVAC-PHI/Omicron Nanotechnology '01、2001年5月24日（東京）.
  4. 長谷川修司：ミクロ４端子プローブによる表面電気伝導の測定、第１４回佐々木学術シンポジウム「ナノサイエンス」、2001年11月19日（理研、和光）.
  5. 長谷川修司：４探針ＳＴＭによる電子輸送測定、日本表面科学会第２１回講演大会シンポジウム「ＳＴＭの新展開」、2001年11月27日（早稲田大学、東京）.
  6. 長谷川修司: ４探針ＳＴＭの開発とそれによる電気伝導の測定、分子研研究会「走査プローブ顕微鏡を用いた分子科学研究の新展開」、2002年2月13日（岡崎）.


講義等

  1. 長谷川修司：半導体表面物性、横浜市立大学大学院総合理学研究科 集中講義「総合理学序説」 2001年10月22日（横浜）.
  2. 長谷川修司、桑島邦博：物理実験学（２年生）（分担担当） 2001年度冬学期（駒場）.
  3. 長谷川修司、小森文夫：表面物理学（物性物理学特論）（大学院・学部共通）（分担担当） 2001年度冬学期（本郷）.
  4. 長谷川修司、松田巌、谷川雄洋 (TA)：物理学実験II （３年生）電子回折、 2001年度冬学期（本郷）.