学術講演

国際会議

一般講演

  1. C.Liu, I. Matsuda, S. Hasegawa: Low temperature STM observation of Cesium adsorption on the $\sqrt{3} \times \sqrt{3}$ surface,Asian SPM4 and Taipei Symposium on Nanotechnology, 2002年8月12日 (Taipei, Taiwan)
  2. T. Tanikawa, I. Matsuda, and S. Hasegawa: Micro-four-point probe measurements of surface-state conductance at a Peierls transition on Si(111)-$4 \times 1$-In, 2nd Vacuum and Surface Science Conference of Asia and Australia (VASSCAA-2), 2002年8月28日 (Hong Kong, China).
  3. S. Hasegawa, I. Shiraki, F. Tanabe, T. Tanikawa, R. Hobara, T. Kanagawa, and I. Matsuda: Direct measurements of surface conductivity by microscopic four-point probes, 5th Russia-Japan Seminar on Semiconductor Surfaces, 2002年9月17日 (Vladivostok, Russia).
  4. C. Liu, I. Matsuda, H. Morikawa, T. Okuda, T. Kinoshita, S. Hasegawa: Electronic Structure of Cs-induced $\sqrt{21} \times \sqrt{21}$ superstructure on the Si(111)-$\sqrt{3} \times \sqrt{3}$-Ag surface, Asia-Pacific Surface and Interface Analysis Conference (APSIAC02), 2002年10月1日 (東京大学)
  5. I. Matsuda, H. Morikawa, G. LeLay, C. Liu, S. Ohuchi, T. Okuda, T. Kinoshita, and S. Hasegawa: Electronic Evidence of the Inequivalent Triangle Structure on Si(111)√3x√3-Ag, Asia-Pacific Surface and Interface Analysis Conference (APSIAC02), 2002年10月3日 (東京大).
  6. T. Nagao, J. T. Sadowski, S. Yaginuma, T. Kogure, T. Sekiguchi, S. Hasegawa, and T. Sakurai, Carrier dynamics and self-organization of semimetal Bi on Si(111), Asia-Pacific Surface and Interface Analysis Conference (APSIAC02) , 2002年10月3日 (東京大).
  7. T. Tanikawa, H. Okino, I. Matsuda, and S. Hasegawa, Micro-four-point probe measurements during a phase transition on Si(111)-$4 \times 1$-In surface at low temperature, Asia-Pacific Surface and Interface Analysis Conference (APSIAC02), 2002年10月3日 (東京大).
  8. T. Kanagawa, R. Hobara, I. Matsuda, and S. Hasegawa, Anisotropic surface conducitvity measurements by microscopic squarely arranged foiur-probe method, Asia-Pacific Surface and Interface Analysis Conference (APSIAC02), 2002年10月3日 (東京大).
  9. R. Hobara, T. Kanagawa, T. Tanikawa, I. Matsuda, and S. Hasegawa, Electrical probe contact influence using micro four probe, Asia-Pacific Surface and Interface Analysis Conference (APSIAC02), 2002年10月3日 (東京大).
  10. H. Morikawa, I. Matsuda, C. Liu, H. Okino, T. Okuda, T. Kinoshita and S. Hasegawa: Electronic study of Sn,Pb/Si(111) surfaces, Asia-Pacific Surface and Interface Analysis Conference (APSIAC02), 2002年10月3日 (東京大).
  11. T. Kanagawa, R. Hobara, I. Matsuda, and S. Hasegawa, Anisotropy in surface-state electrical conduction measured by microscopic square-four-point probe method, The 10th International Colloquium on Scanning Probe Microscopy (ICSPM10), 2002年11月1日 (Waikiki, Hawaii).
  12. M. Ueno, Liu Canhua, I. Matsuda, and S. Hasegawa, Difference in morphology of Si(111)-$\sqrt{3} \times \sqrt{3}$-Ag surface with various preparations, The 10th International Colloquium on Scanning Probe Microscopy (ICSPM10), 2002年11月2日 (Waikiki, Hawaii).
  13. T. Nagao, S. Yaginuma, T. Kogure, J. T. Sadowski, T. Sekiguchi, H. Seki, S. Hasegawa, T. Sakurai: Epitaxial growth of bismuth ultrathin film on Si(111); Perfect heteroepitaxy with two-stage growth mechanism, Dr. Rohrer's JSPS Award Workshop II at IMR, 2002年11月11日 (東北大).

招待講演

  1. S. Hasegawa: Transport at surface nanostructures measured by four-tips STM, Multilateral Symposium between the Korean Academy of Science and Technology and the Foreign Academies, 2002年5月9日(Seoul, Korea).
  2. S. Hasegawa: Surface electrical conduction measured by microscopic four-point probes, 2nd Vacuum and Surface Science Conference of Asia and Australia (VASSCAA-2), 2002年8月26日 (Hong Kong, China).
  3. S. Hasegawa, I. Shiraki, F. Tanabe, T. Tanikawa, R. Hobara, T. Kanagawa, and I. Matsuda: Surface-state electronic transport measured by microscopic four-point probes, Asia-Pacific Surface and Interface Analysis Conference (APSIAC'02), 2002年10月3日 (東京大学).
  4. S. Hasegawa: Surface-state electronic transport measured by microscopic four-point probes, Dr. Rohrer's JSPS Award Workshop II at IMR, 2002年11月12日 (東北大学).
  5. S. Hasegawa: Surface-state transport measured by four-tips STM, 30th Conference on The Physics and Chemistry of Semiconductor Interfaces (PCSI), 2003年1月21日(Salt Lake City, USA).
  6. S. Hasegawa: Multi-Probe Study of Transport Through Metallic Quantum Wires, March 2003 Meeting of the American Physical Society, 2003年3月5日 (Austin, Texas, USA).
  7. S. Hasegawa: Surface phase transitions and electronic transport, The Symposium on Surface Physics 2003 (SSP03), 2003月3日12日 (雫石, 岩手).

国内会議

一般講演

  1. 松田巌、守川春雲、劉燦華、大内暁、Guy LeLay、Carlo Ottaviani、奥田太一、木下豊彦、長谷川修司: Si(111) √3×√3-Agにおける表面状態対称性の破れ、日本物理学会 第57回年次大会,2002年9月6日 (中部大学).
  2. 劉燦華、松田巌、守川春雲、奥田太一、木下豊彦、長谷川修司: Si(111)-$\sqrt{21} \times \sqrt{21}$-(Ag+Cs)表面の電子構造,日本物理学会 第57回年次大会,2002年9月6日 (中部大学).
  3. 金川泰三、保原麗、松田巌、長谷川修司: 正方4端子法による表面電気伝導の測定,日本物理学会 第57回年次大会,2002年9月7日 (中部大学).
  4. 谷川雄洋、沖野泰之、松田巌、長谷川修司: マイクロ4端子法を用いた単原子層電荷密度波の電子輸送特性,日本物理学会 第57回年次大会,2002年9月7日 (中部大学).
  5. 守川春雲、松田巌、劉燦華、長谷川修司: Si(111)-$\sqrt{3} \times \sqrt{3}$-Sn, Pb表面欠陥に関する研究,日本物理学会 第57回年次大会,2002年9月8日 (中部大学).
  6. 劉燦華、松田巌、守川春雲、長谷川修司:Research on the surface of Si(111)-√21×√21-(Ag+Cs)、日本表面科学会第22回講演大会、2002年11月27日、早稲田大学.
  7. 上野将司、劉燦華、松田巌、長谷川修司:Si(111)-√3×√3-Ag 表面構造の処理温度依存性、日本表面科学会第22回講演大会、2002年11月27日、早稲田大学.
  8. 松田巌、守川春雲、劉燦華、大内暁、長谷川修司、奥田太一、木下豊彦、Guy Le Lay:Si(111)-√3×√3-Ag における表面状態対称性の破れ、日本表面科学会第22回講演大会、2002年11月27日、早稲田大学.
  9. 守川春雲、松田巌、劉燦華、堀越孝太郎、長谷川修司:Si(111)-$\sqrt{3}\times\sqrt{3}$-Sn,Pb 系の相転移と表面欠陥の関係, 日本表面科学会第22回講演大会、2002年11月27日、早稲田大学.
  10. 谷川雄洋、松田巌、長谷川修司:マイクロ4端子法を用いた表面パイエルス転移に伴う表面電気伝導度の温度依存性測、日本表面科学会第22回講演大会、2002年11月28日、早稲田大学.
  11. 保原麗、松田巌、長谷川修司:4端子STMを用いたCNT電気伝導測定、日本表面科学会第22回講演大会、2002年11月28日、早稲田大学.
  12. 金川泰三、保原麗、、松田巌、長谷川修司:正方4端子法による表面電気伝導度測定、日本表面科学会第22回講演大会、2002年11月28日、早稲田大学.
  13. 稲岡毅、長尾忠昭、長谷川修司、T. Hildebrandt、M. Henzler、:半導体表面金属単原子層に生ずる2次元プラズモン、第43回真空に関する連合講演会, 2002年10月17日 (大阪千里ライフセンター).
  14. 長谷川修司、表面擬1次元金属系の電子輸送特性、平成14年度東北大学電気通信研究所プロジェクト研究会「半導体表面におけるナノプロセスの量子化学」, 2002年10月19日 (松島、宮城)
  15. 長谷川修司:ミクロな4端子プローブ法による表面電気伝導の研究、第57回山田コンファレンス・ポストシンポジウム「固体表面の原子尺度設計・物性・反応性と表面構造相転移」、2002年5月17日(九州大学筑紫キャンパス).
  16. 沖野泰之、松田巌、長谷川修司: 微傾斜した Si(111)-Au 表面のSTM観察、日本物理学会第58回年次大会、2003年3月28日 (東北大学).
  17. 坂本克好、名取晃子、河野勝泰、長谷川修司: UHV-SEMを用いたVicinal Si(001)表面エレクトロマイグレーションのその場観察、日本物理学会第58回年次大会、2003年3月28日 (東北大学).
  18. 上野将司、松田巌、劉燦華、長谷川修司:Si(111)-$\sqrt{3}\times\sqrt{3}$-Ag 表面の作成法によるモルフォロジ−の違い、日本物理学会第58回年次大会、2003年3月29日、東北大学.
  19. 松田巌、小西満、守川春雲、奥田太一、木下豊彦、長谷川修司: 内殻光電子分光によるSi(111)- $\sqrt{21} \times \sqrt{21}$-(Ag,Na)表面の研究、日本物理学会第58回年次大会、2003年3月31日 (東北大学).
  20. 小西満、松田巌、守川春雲、奥田太一、木下豊彦、長谷川修司:Si(111)-$\sqrt{21} \times \sqrt{21}$-(Ag+Na)の表面電子構造、日本物理学会第59回年次大会、2003年3月31日(東北大学、仙台).
  21. 谷川雄洋、金川泰三、沖野泰之、松田巌、長谷川修司: マイクロ4端子プローブ法による表面相転移での電子輸送の研究、日本物理学会第59回年次大会、2003年3月31日(東北大学、仙台).

招待講演

  1. 松田巌:半導体表面上金属ナノ構造の新量子状態、日本物理学会2002年秋季大会、領域9シンポジウム「表面光電子分光法の技術革新:表面量子準位からナノ構造まで」、2002年9月7日 (中部大学).
  2. 長谷川修司: ミクロな4探針プローブ法による表面電子輸送の研究、日本物理学会第58回年次大会、2003年3月28日 (東北大学).

講義等

  1. 長谷川修司:半導体表面物性、横浜市立大学大学院総合理学研究科 集中講義「総合理学序説」 2002年10月22日(横浜).
  2. 長谷川修司、桑島邦博:物理実験学(2年生)(分担担当) 2002年度冬学期(駒場).
  3. 長谷川修司、松田巌、守川春雲 (TA):物理学実験II (3年生)電子回折、 2002年度冬学期(本郷).