学術講演

国際会議

一般講演

1. I. Matsuda, M. Ueno, T. Hirahara, J. Sugawa, R. Hobara, and S. Hasegawa:
   Resistance of a single atomic step studied by STS and indepedently driven four-tip STM,
   The 11th International Colloquium on Scanning Probe Microscopy (SPM11), 2003年12月13日 (Atagawa, Japan).
   
2. I. Matsuda, M. Ueno, T. Hirahara, J. Sugawa, R. Hobara, and S. Hasegawa:
   STM/STS studies of standing waves at atomic steps on the Si(111)√3×√3-Ag surface,
   The 7th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures (ACSIN-7), 2003年11月19日（奈良）.
   
3. M. Ueno, I. Matsuda, C. Liu, A. Harasawa, T. Okuda, T. Kinoshita, and S. Hasegawa:
   Morphology and core-level photoemission spectra of Si(111)√3×√3-Ag surface,
   The 7th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures (ACSIN-7), 2003年11月18日（奈良）.
   
4. H. Morikawa, T. Tanikawa, I. Matsuda, S. Hasegawa:
   Direct observation of low dimensional instability at Low Temperature,
   The 7th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures (ACSIN-7), 2003年11月18日（奈良）.
   
5. C. Liu, I. Matsuda, S. Hasegawa:
   Phase Transitions Induced by Potassium Adsorption on Si(111)√3×√3-Ag Surface,
   The 7th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures (ACSIN-7), 2003年11月18日（奈良）.
   
6. T. Hirahara, I. Matusda, M. Ueno, J. Sugawa, T. Kawaguchi, and S. Hasegawa:
   Fermi Surface Mapping of Ag overlayers on Si(111),
   The 7th International Conference of Atomically Controlled Surfaces, Interfaces, and Nanostructures (ACSIN-7), 2003年11月16日（奈良）.
   
7. S. Yoshimoto, R. Hobara, I. Matsuda, T. Ikuno, N. Yamauchi, W. Wongwiriyapan, S. Honda, M. Katayama, K. Oura, and S. Hasegawa:
   I-V characteristic of carbon nanotubes measured by four-tip STM,
   The 7th International Conference of Atomically Controlled Surfaces, Interfaces, and Nanostructures (ACSIN-7), 2003年11月16日（奈良）.
   
8. R.Hobara, S. Yoshimoto, I. Matsuda, and S. Hasegawa:
   Development of Low-Temperature Multi-tip STM,
   The 7th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures (ACSIN-7), 2003年11月16 (奈良)
   
9. H. Okino, I. Matsuda, C. Liu, J. Okabayashi, S. Toyoda, K. Ono, M. Oshima, and S. Hasegawa:
   Core-level photoemission study of Si(557) surface,
   The 7th International Conference of Atomically Controlled Surfaces, Interfaces, and Nanostructures (ACSIN-7), 2003年11月16日（奈良）.
   
10. R. Hobara, Y. Shinya, I. Matsuda, and S. Hasegawa:
    Development of Low Temperature Multiprobe STM,
    The 8th International Conference on Advanced Materials (IUMRS-ICAM 2003), 2003年10月8日 (横浜)
    
11. H. Morikawa, T. Tanikawa, I. Matsuda, S. Hasegawa:
    Low Temperature Property of the Si(111)-8ב2’-In CDW Surface,
    The 9th International Conference on the Formation of Semiconductor Interfaces (ICFSI-9), 2003年9月16日 (Madrid, Spain).
    
12. H. Morikawa, T. Tanikawa, I. Matsuda, and S. Hasegawa:
    Role of defects in surface phase transitions,
    The 22nd European Conference on Surface Science (ECOSS22), 2003年9月8日 (Praha, Czech Republic).
    
13. C. Liu, I. Matsuda, S. Hasegawa:
    First atomic-scale observations of two-dimensional liquefaction and solidification in real space,
    The 4th International Symposium on Atomic Level Characterizations for New Materials and Devices (ALC03), 2003年10月5日 (Hawaii, USA).

招待講演

1. S. Hasegawa:
   STM Studies of Pb- and Sn-induced √3×√3 structures on Si(111) (Panel Discussion) ,
   The 22nd European Conference on Surface Science (ECOSS22), 2003年9月9日 (Praha, Czech Republic).
   
2. S. Hasegawa:
   Electronic transport at surface phase transitions,
   The 9th International Conference on the Formation of Semiconductor Interfaces (ICFSI-9), 2003年9月17日 (Madrid, Spain).
   
3. S. Hasegawa:
   Surface Electronic Transport of Massive Arrays of Atomic Chains,
   International Workshop on Smart Interconnects (IWSI), 2003年11月7日 (Atami, Japan)
   
4. S. Hasegawa:
   Surface electronic transport,
   The 7th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures (ACSIN-7), 2003年11月18日 (Nara, Japan)
   
5. S. Hasegawa:
   Exotic behavior of metals on semiconductor surfaces,
   International Conference on Materials for Advanced Technologies and IUMRS International Conference in Asia, 2003年12月10日 (Singapore).
   
6. S. Hasegawa:
   Electrical Conduction through Atomically Thin Sheets and Wires,
   Yokohama City University International Forum (YCUIF-20), 2004年1月25日(Yokohama, JapanUSA).
   
7. I. Matsuda, M. Ueno, T. Hirahara, J. Sugawa, R. Hobara, S. Hasegawa:
   Electrical Resistance at Atomic Steps on a Silicon Crystal Surface (Upgrade talk),
   The 31st Conference on the Physics and Chemistry of Semiconductor Interfaces, Kailua-Kona, Hawaii, 2004年1月19日.

国内会議

一般講演

1. 沖野泰之、松田巌、劉燦華、岡林潤、豊田智史、小野寛太、尾嶋正治、長谷川修司：
   Si(557)-Au表面の内殻光電子分光、
   「ナノテクノロジーと高分解光電子分光」PF研究会、2003年12月20日　(高エネルギー研究所、筑波).
   
2. 小西満、松田巌、守川春雲、奥田太一、木下豊彦、長谷川修司：
   Si(111)-√21×√21-(Ag+Na)の表面電子構造、
   日本表面科学会第２３回表面科学講演大会、2003年11月28日（早稲田大学、東京）.
   
3. 松田巌，上野将司，平原徹，栖川淳，保原麗，長谷川修司:
   STM/STS測定によるSi(111)√3×√3-Ag表面ステップの研究、
   日本表面科学会第２３回表面科学講演大会、2003年11月28日（早稲田大学、東京）.
   
4. 劉燦華、松田巌、長谷川修司：
   Si(111)√3×√3-Ag表面上のカリウム吸着による相転移,
   日本表面科学会第２３回表面科学講演大会、2003年11月26日（早稲田大学、東京）.
   
5. 平原徹、松田巌、上野将司、栖川淳、川口司、長谷川修司：
   Si(111)表面上Ag吸着層のフェルミ面研究、
   日本表面科学会第２３回表面科学講演大会、2003年11月28日（早稲田大学、東京）.
   
6. 長谷川修司、谷川雄洋、金川泰三、守川春雲、平原徹、上野将司、松田巌、：
   表面原子ステップでの電気抵抗、
   平成15年度東北大電気通信研究所プロジェクト研究会、ナノ成長場制御による構造と機能」　2003年10月17日（作並温泉、宮城）.
   
7. 沖野泰之、松田巌、劉燦華、岡林潤、豊田智史、小野寛太、尾嶋正治、長谷川修司:
   Si(557)clean表面及びSi(557)-Au表面の内殻光電子分光、
   日本物理学会2003年秋季大会、2003年9月20日（岡山大）.
   
8. 平原徹，松田巌，栖川淳，川口司，長谷川修司:
   Si(111)表面上Ag吸着層のフェルミ面研究、
   日本物理学会2003年秋季大会、2003年9月20-23日（岡山大）.
   
9. 吉本真也，保原麗，生野孝，山内規裕，Winadda Wongwiriyapan，本多信一，片山光浩，尾浦憲治郎，松田巌，長谷川修司:
   独立駆動型4探針STMを用いたCNT電気伝導測定、
   日本物理学会2003年秋季大会、2003年9月20日（岡山大）.
   
10. 守川春雲，谷川雄洋，松田巌，長谷川修司:
    Si(111)-4×1-In系低温相転移のSTM観察、
    日本物理学会2003年秋季大会、2003年9月20-23日（岡山大）.
    
11. 松田巌、上野将司、平原徹、栖川淳、保原麗、長谷川修司:
    STM/STS測定によるSi(111)√3×√3-Ag表面ステップの研究、
    日本物理学会2003年秋季大会、2003年9月20-23日（岡山大）.
    
12. 劉燦華、山崎詩郎、保原麗、松田巌、長谷川修司：
    二次元気相・液相・固相相転移の原子直視，
    日本物理学会2003年秋季大会、2003年9月20-23日（岡山大）.
    
13. 劉燦華、松田巌、長谷川修司：
    二次元気相・液相・固相相転移の原子レベルの観察，
    ポスト山田コンファレンス研究会「表面低次元ナノ構造機能物質の創製と物性」, 2003年7月4日(東京大学).
    
14. 沖野泰之、松田巌、劉燦華、岡林潤、豊田智史、小野寛太、尾嶋正治、長谷川修司：
    微傾斜したSi(111)表面の内殻光電子分光、
    ポスト山田コンファレンス研究会「表面低次元ナノ構造機能物質の創製と物性」, 2003年7月4日　(東京大学).
    
15. 坂本克好、名取晃子、河野勝泰、長谷川修司：
    銀探針を用いた薄膜形成とそのIV特性の測定、
    応用物学会第51回応用物理学関係連合講演会、2004年3月31日 (東京工科大学、八王子）.
    
16. 平原徹、松田巌、長谷川修司：
    Si(111)表面Ag吸着層のフェルミ面研究II、
    日本物理学会第59回年次大会、2004年3月27日（九州大学、箱崎）.
    
17. 守川春雲、谷川雄洋、沖野泰之、松田巌、長谷川修司：
    In/Si(111)-4×1→8×'2'表面相転移に対する不純物の影響、
    日本物理学会第59回年次大会、2004年3月27日（九州大学、箱崎）.
    
18. 松田巌、上野将司、沖野泰之、長谷川修司：
    マイクロ４端子法によるSi(111)√3×√3-Ag表面電気伝導の温度依存性の研究、
    日本物理学会第59回年次大会、2004年3月27日（九州大学、箱崎）.
    
19. 沖野泰之、保原麗、守川春雲、松田巌、長谷川修司：
    Au/Si(557)表面の電気伝導度の異方性I、
    日本物理学会第59回年次大会、2004年3月27日（九州大学、箱崎）.
    
20. 小西満、松田巌、劉燦華、Marie D'angelo、長谷川修司：
    √21×√21 reconstruction formed by Na adsorption on the Si(111)$\sqrt{3} \times \sqrt{3}$-Ag surface: an STM study、
    日本物理学会第59回年次大会、2004年3月27日（九州大学、箱崎）.

招待講演

1. 長谷川修司:
   Electrical Conduction across Atomic Steps on a Silicon Crystal Surface,
   IFCAM workshop on Nanoscience/Nanotechnology、2004年3月4日（東北大学金研）.
   
2. 松田巌:
   半導体表面上金属超薄膜の量子井戸状態の研究（奨励賞受賞記念講演）、
   日本表面科学会講演大会、2003年11月26日（早稲田大学）.

セミナー

1. 長谷川修司:
   １原子層、１原子列の電気伝導をはかる、
   物理学教室物性セミナー、2003年4月21日（東京大学）.
   
2. 長谷川修司:
   金属単原子層や金属原子鎖は低温で絶縁体になる、
   大阪大学大学院工学研究科 応用物理学専攻、2004年3月22日（大阪大学）.
   
3. 長谷川修司：
   固体表面の電気伝導について、
   東北大学多元物質科学研究所, 2004年1月15日（東北大学）.
   
4. 松田巌：
   金属/Si低次元系の表面構造、スペクトロスコピー、電気伝導、
   半導体表面化学セミナー、東京大学大学院工学系研究科応用化学専攻, 2004年1月26日（東京大学）.

講義等

1. 長谷川修司：
   表面・ナノ構造と電気伝導、
   総合理学序説「構造と機能」、2003年10月6日、横浜市立大学.
   
2. 長谷川修司：
   ナノテクのための電気伝導、
   物性若手夏の学校、2003年8月12-14日、京都府立ゼミナールハウス.
   
3. 塚田捷、長谷川修司、小森文夫：
   物性物理学特論（表面物理学）（学部大学院共通講義）（分担担当） 2003年度冬学期（本郷）.
   
4. 長谷川修司、松田巌、劉燦華(TA)、山崎詩郎(TA)：
   物理学実験I（３年生）Ｘ線回折、 2003年度夏学期（本郷）.