学術講演

国際会議

一般講演
  1. S. Hasegawa：Two-dimensional electron system made of surface states on semiconductors，International Centennial Symposium on the Electron，1997年9月16日（Cambridge，UK）.
  2. S. Takeda，T. Nagao，S. Hasegawa：Surface morphology and conductance change of In on Si(111)-7×7 surface，The 4th International Symposium on Atomically Controlled Surfaces and Interfaces，1997年10月28日（早稲田大学）.
  3. K. Horikoshi，X. Tong，T. Nagao，S. Hasegawa：Structure and electrical conductance of Pb layers on Si(111) surface，The 4th International Symposium on Atomically Controlled Surfaces and Interfaces，1997年10月28日（早稲田大学）.
  4. Y. Nakajima，X. Tong，S. Takeda，T. Nagao，and S. Hasegawa：Electrical conduction via a surface-state band due to carrier doping on Si(111)-√3×√3-Ag，The 4th International Symposium on Atomically Controlled Surfaces and Interfaces，1996年10月30日（早稲田大学）.
招待講演
  1. S. Hasegawa：Surface atom dynamics and surface electronic transport，Japanese-German Symposium on Dynamics and Kinetics of Surface Processes，1997月6月21日（Berlin，Germany）.
  2. S. Hasegawa：Surface-state electrical conduction on silicon，US-Japan Symposium on Surface Science，1998年3月29日（Park City，USA）.

国内会議

一般講演
  1. 白木一郎，鳥山啓之亮，長尾忠昭，長谷川修司：UHV-SEM/SREMによるSi(111)-√21×√21-(Ag+Au)の形成過程の観察，日本物理学会 秋の分科会，1997年10月7日（神戸大学）.
  2. 長尾忠昭，長谷川修司：Si(111)表面のMn；２次元シリサイドのモルフォロジー観察，日本物理学会 秋の分科会，1997年10月7日（神戸大学）.
  3. 鳥山啓之亮，長尾忠昭，長谷川修司：Si(111)-√3×√3-Ag表面上のアルカリ金属による構造と電気伝導，日本物理学会 秋の分科会，1997年10月8日（神戸大学）.
  4. 堀越孝太郎，Xiao Tong，長尾忠昭，長谷川修司：Pb吸着Si(111)表面における新構造と電気伝導，日本物理学会 秋の分科会，1997年10月8日（神戸大学）.
  5. 白木一郎，鳥山啓之亮，長尾忠昭，長谷川修司：SEM-SREM-RHEEDによるSi(111)-(Ag+Au)二元表面合金相の形成過程の観察，創成的基礎研究「表面・界面 − 異なる対称性の接点の物性 −」平成９年度第２回研究会，1997年10月25日（東京工業大学）.
  6. 武田さくら，長尾忠昭，長谷川修司：Si(111)表面上でのインジウムの成長構造と電気伝導，創成的基礎研究「表面・界面 − 異なる対称性の接点の物性 −」平成９年度第４回研究会，1997年12月12日（箱根小涌園）.
  7. 佐藤昇男，長尾忠昭，武田さくら，長谷川修司：シリコン表面での電子定在波の観察，創成的基礎研究「表面・界面 − 異なる対称性の接点の物性 −」平成９年度第５回研究会，1998年1月30日（東京工業大学）.
  8. 堀越孝太郎，渡利泰山，佐藤昇男，長尾忠昭，長谷川修司：Pb吸着Si(111)表面におけるSTM観察と電気伝導測定，日本物理学会 春の年会，1998年3月31日（日本大学）.
  9. 白木一郎，鳥山啓之亮，長尾忠昭，長谷川修司：UHV-SEM-SREM-RHEED-STMによるSi(111)-(Ag+Au)二次元表面合金相の形成過程の観察，日本物理学会 春の年会，1998年3月31日（日本大学）.
  10. 霜越文夫，関口武治，井野正三，長谷川修司：Si(111)表面上のCa及びSrの吸着構造と相転移，日本物理学会 春の年会，1998年3月31日（日本大学）.
  11. 関口武治，霜越文夫，井野正三，長谷川修司：Si(111)-n×1-Ca表面構造のRHEED-STM観察，日本物理学会 春の年会，1998年3月31日（日本大学）.
  12. Xiao Tong，塩川高雄，青柳克信，長谷川修司，井野正三：Si(111)-√21×√21-(Ag+Cu)構造についてのSTMの研究，日本物理学会 春の年会，1998年3月31日（日本大学）.
  13. 武田さくら，長尾忠昭，長谷川修司：In/Si(111)-7×7表面の形態と電気伝導の変化，日本物理学会 春の年会，1998年4月1日（日本大学）.
  14. 土江孝二，武田さくら，鳥山啓之亮，堀越孝太郎，長尾忠明，長谷川修司：Si(111)表面上におけるC60分子層の構造と電気伝導，日本物理学会春の年会，1998年4月1日（日本大学）.
招待講演
  1. 長谷川修司：表面電子準位バンドによる電気伝導，大阪電気通信大学第５回シンポジウム「原子・分子レベルの電子材料開発とキャラクタリゼーション」1997年7月4日（大阪）.
  2. 長谷川修司：ナノテクノロジーと表面物理，青梅市フロンテイアサイエンス会議，1998年3月7日（東京）.

セミナー

  1. 長谷川修司：表面電子バンドへのキャリアドーピング，金属材料技術研究所，超高真空場ステーション，単原子走査ユニット，1997年4月21日.
  2. T. Nagao：Phase transitions of Au-adsorbed Si(111) surfaces，Japan-Germany Seminar on Mechanisms of Epitaxy and Properties of Coherent Thin Films，1997年9月28日（日光）.
  3. S. Hasegawa：Atom dynamics and surface electrical conductivity，Japan-Germany Seminar on Mechanisms of Epitaxy and Properties of Coherent Thin Films，1997年9月29日（日光）.
  4. K. Horikoshi，X. Tong，T. Nagao，S. Hasegawa：Structure and electrical conductance of Pb layers on Si(111) surface，Japan-Germany Seminar on Mechanisms of Epitaxy and Properties of Coherent Thin Films，1997年9月29日（日光）.
  5. I. Shiraki，K. Toriyama，T. Nagao，S. Hasegawa：Observation of Si(111)-√21×√21-(Ag+Au) formation process by UHV-SEM/SREM，Japan-Germany Seminar on Mechanisms of Epitaxy and Properties of Coherent Thin Films，1997年9月29日（日光）.
  6. 長谷川修司：シリコンの表面電子状態と表面電子輸送，大阪大学工学部応用物理学専攻，1997年11月14日（大阪）.
  7. S. Hasegawa：Structures and electronic transport on silicon surfaces，Denmark Technical University，Microelectronics Center，1997年12月1日（Denmark）.
  8. S. Hasegawa：Structures and electronic transport on silicon surfaces，Riso National Laboratory，1997年12月2日（Denmark）.
  9. S. Hasegawa：Structures and electronic transport on silicon surfaces，University of Aarhus，Institute of Physics and Astronomy，1997年12月3日（Denmark）.
  10. S. Hasegawa：I; Atomic and electronic structures of silicon surfaces，II; Electrical conduction at silicon surfaces，Denmark Technical University，Lectures in Ph. D and M. Sc. Course on Physics of Nanostructures，1997年12月4日（Denmark）.
  11. S. Hasegawa：Structures and electronic transport on silicon surfaces，Hannover University，Department of Physics，1997年12月9日（Germany）.
  12. N. Sato，S. Takeda，T. Nagao，and S. Hasegawa：Electron standing wave on silicon surfaces，Mini-Workshop on Theory of Scanning Tunneling Microscopy and NanoStructures，1998年1月20日（東京大学）.