学術講演

国際会議

一般講演
  1. T. Nagao，C. Voges，H. Pfnuer，M. Henzler，and S. Hasegawa：Phase Transitions in domain wall configurations − Phase transitions of Si(111)-√3×√3-Au and 6×6 phases，10th International Vacuum Conference on Solid Surfaces (ICSS-10)，1998年9月2日（バーミンガム，英国）.
  2. K. Horikoshi，X. Tong，N. Sato，T. Watari，T. Nagao，and S. Hasegawa：Structural phase transitions and electrical conductance of Pb adsorbed Si(111) surface，10th International Vacuum Conference on Solid Surfaces (ICSS-10)，1998年9月3日（バーミンガム，英国）.
  3. T. Nagao and S. Hasegawa：Construction of a high resolution electron energy loss spectrometer with two-dimensional angular scanning，International Symposium on Surface and Interfaces − Properties of Different Symmetry Crossing −，1998年11月19日（東工大，東京）.
招待講演
  1. S. Hasegawa：Structures and electrical conduction on silicon surfaces，The 3rd Russia-Japan Symposium on Semiconductor Surfaces，1998年9月19日（Vladivostok，Russia）.
  2. S. Hasegawa：Surface Transport，Spanish-Japanese Symposium on Nano-Scale Science，1998年10月7日（Madrid，Spain）.
  3. S. Hasegawa：Electronic transport on silicon surfaces，International Symposium on Surface and Interfaces − Properties of Different Symmetry Crossing −，1998年11月21日（東工大，東京）.
  4. S. Hasegawa：Peierls transition on a silicon surface，The 1st Harima International Forum − Frontiers of Surface Science −，1998年12月3日（播磨，兵庫）.

国内会議

一般講演
  1. 長尾忠昭：表面シリサイドのナノモルフォロジーと電気的・磁気的性質，文部省特定領域研究「微小領域の磁性と伝導」研究会，1998年7月7日（大阪）.
  2. 武田さくら，Han Woong Yeom，松田巌，堀越孝太郎，登野健介，長尾忠昭，長谷川修司：In吸着Si(111)表面の4×1←→8×2パイエルス構造相転移，日本物理学会秋の分科会，1998年9月25日（沖縄国際大学）.
  3. 佐藤昇男，長尾忠昭，武田さくら，長谷川修司：Si(111)-√3×√3-Ag表面上の電子定在波，日本物理学会秋の分科会，1998年9月25日（沖縄国際大学）.
  4. F. X. Shi，白木一郎，長尾忠昭，長谷川修司：Electromigration of Ag on Au covered Si(111) surface studied by μ-probe RHEED and SEM，日本物理学会秋の分科会，1998年9月27日（沖縄国際大学）.
  5. 長尾忠昭，長谷川修司：２次元角度走査型高分解電子エネルギー損失分光装置の開発，日本物理学会秋の分科会，1998年9月28日（沖縄国際大学）.
  6. 堀越孝太郎，武田さくら，松田巌，Han Woong Yeom，登野健介，長尾忠昭，長谷川修司：Pb吸着Si(111)表面上の整合-不整合転移における電子状態の変化と電気伝導，日本物理学会秋の分科会，1998年9月28日（沖縄国際大学）.
  7. 長谷川修司，武田さくら，H. W. Yeom：シリコン表面の低温物性，東北大学電気通信研究所共同プロジェクト研究会，1998年10月23日（秋保温泉，宮城）.
  8. 武田さくら，H. W. Yeom，長尾忠昭，長谷川修司：シリコン表面上でのパイエルス転移，戦略的基礎研究「量子効果等の物理現象」領域第２回シンポジウム，1998年12月22日（東京）.
  9. 長谷川修司：表面相の電子輸送，東京大学物性研究所短期研究会「表面新物質・表面ナノ構造・化合物表面の物理・化学・応用物理 −自然な，あるいは人工的な表面特殊構造とその物性−」1999年1月11日.
  10. 長尾忠昭，長谷川修司：２次元角度走査型高分解電子エネルギー損失分光装置の開発，文部省創成的基礎研究「異なる対称性の接点」研究会，1999年1月22日（東工大，東京）.
  11. 佐藤昇男，長尾忠昭，武田さくら，長谷川修司：Si(111)-√3×√3-Ag表面の低温STM観察，日本物理学会春の年会，1999年3月28日（広島大学）.
  12. 土江孝二，堀越孝太郎，武田さくら，松田巌，H. W. Yeom，長尾忠昭，長谷川修司：Si(111)-√3×√3 R30゜-Ag表面上におけるC60分子層の構造，日本物理学会春の年会，1999年3月28日（広島大学）.
  13. 関口武治，長尾忠昭，長谷川修司：Si(111)表面上のCa吸着・脱離過程のSTM観察，日本物理学会春の年会，1999年3月29日（広島大学）.
  14. 武田さくら，H. W. Yeom，佐藤昇男，長尾忠昭，長谷川修司：8×2-In/Si(111)超構造の１次元電荷密度波の低温STM観察，日本物理学会春の年会，1999年3月30日（広島大学）.
招待講演
  1. 長谷川修司，武田さくら，堀越孝太郎，佐藤昇男，長尾忠昭：シリコン表面の低温物性，真空に関する連合講演会，1998年11月11日（大阪）.
  2. 長谷川修司：シリコン表面相の電子物性，第５回原子スケール・サイエンジニアリング研究会，1999年1月13日（理化学研究所，埼玉）.
  3. 長谷川修司：シリコン表面の低温物性，表面物理シンポジウム99（応用物理学会薄膜・表面物理分科会特別研究会），1999年3月11日（富良野，北海道）.
  4. 長谷川修司：走査トンネル顕微鏡で結晶表面の波動関数を見る，日本物理学会第54回年会Ｘ線・粒子線シンポジウム，1999年3月29日（広島大）.
  5. 長谷川修司：表面電子バンドの電子輸送，日本物理学会第54回年会表面・界面シンポジウム，1999年3月29日（広島大）.

セミナー

  1. 長谷川修司：シリコン表面の物理，1998年6月4日（東京大学大学院理学系研究科物理物理学専攻）.
  2. 長谷川修司：シリコン表面の構造と電気伝導，1999年2月5日（九州大学大学院総合理工学研究科物質理工学専攻）.
  3. 長谷川修司：シリコン表面の構造と電気伝導，1999年2月24日（日立製作所基礎研究所）.