学術講演

国際会議

一般講演
  1. T. Nagao and S. Hasegawa：Growth of single-crystal Bi layer on Si(111) surfafes, The 5th International Conference on Atomically Controlled Surfaces Interfaces and Nanostructures (ACSIN-5), 1999年7月8日(Aix-en Provence, France).
  2. H. Aizawa, M. Tsukada, N. Sato, and S. Hasegawa：Asymmetric structure of the Si(111)-√3×√3-Ag surfafe, The 5th International Conference on Atomically Controlled Surfaces Interfaces and Nanostructures (ACSIN-5), 1999年7月9日(Aix-en Provence, France).
  3. S. Takeda, H.-W. Yeom, N. Sato, T. Nagao and S. Hasegawa：Low temperature STM observation of Si(111)-8×2-In one-dimensional charge density waves, The 5th International Conference on Atomically Controlled Surfaces Interfaces and Nanostructures (ACSIN-5), 1999年7月9日(Aix-en Provence, France).
  4. T. Nagao and S. Hasegawa：Development of a high-resolution electron energy loss spectrometer with two-dimensional angular scanning, 9th International Conference of Production Engineerings (9t ICPE), 1999年8月31日 (Osaka, Japan).
  5. T. Nagao and S. Hasegawa：Construction of an ELS-LEED --- an electron energy loss spectrometer with electrostatic two-dimensional angular scanning ---, 8th European Conference on Applications of Surface and Interface Analysis (ECASIA'99), 1999年10月8日 (Sevilla, Spain).
  6. S. Hasegawa, I. Shiraki, C. L. Petersen, P. Boggild, T. Hansen, and F. Grey：Micro-four-point probes for local surface conductivity measurements in UHV, International Symposium on Surface Science for Micro- and Nano-Device Fabrication (ISSS-3), 1999年11月30日 (Tokyo, Japan).
  7. T. Nagao, T. Sekiguchi, T. Doi and S. Hasegawa：Epitaxial growth of single-crystal ultrathin film of bismuth on Si(111) surfaces, International Symposium on Surface Science for Micro- and Nano-Device Fabrication (ISSS-3), 1999年11月30日 (Tokyo, Japan).
  8. S. Hasegawa, F. Shi, I. Shiraki, and T. Nagao：Surface electromigration of Ag and In atoms on Au-induced superstructures on Si(111), International Symposium on Surface Science for Micro- and Nano-Device Fabrication (ISSS-3), 1999年11月30日 (Tokyo, Japan).
  9. S. Hasegawa, N. Sato, T. Nagao, H. Aizawa, and M. Tsukada：Structure of Si(111)-√3×√3-Ag surface, International Symposium on Surface Science for Micro- and Nano-Device Fabrication (ISSS-3), 1999年11月30日 (Tokyo, Japan).
  10. S. Hasegawa：Micro- and nano-four-point probes for local surface conductivity measurements in UHV, Symposium on Surface Physics 2000, 2000年1月9日 (Furamo, Japan).
  11. T. Nagao and S. Hasegawa：Growth and Electrodynamics of Surface-Superstructures and Epitaxial Nanofilms on Silicon Surfaces, International Simposium on Nanomscale Magnetism and Transport, 2000年3月10日 (Sendai, Japan).
  12. S. Ryjkov, T. Nagao, and S. Hasegawa：Epitaxial growth and resistance of Ag on Si(111)-4×1-In surfaces, The 3rd SANKEN International Symposium, 2000年3月15日 (Osaka, Japan).
招待講演
  1. S. Hasegawa：Electrical conduction through ordered atoms on silicon surfaces, Pre-Congress Workshop on "Generation and Verification of Functional Surfaces", IMEKO/TC14, 1999年6月11日 (Tokyo, Japan).
  2. S. Hasegawa：Surface electronic transport on silicon surfaces, The 5th International Conference on Atomically Controlled Surfaces Interfaces and Nanostructures (ACSIN-5), 1999年7月7日(Aix-en Provence, France).
  3. S. Hasegawa：Surface-state band on silicon, The 7th International Colloquium on Scanning Tunneling Microscopy, 1999年12月10日 (Atagawa, Japan).
  4. S. Hasegawa：Micro- and nano-four-point probes for surface conductivity measurements, The 3rd SANKEN International Symposium, 2000年3月14日 (Osaka, Japan).

国内会議

一般講演
  1. 長谷川修司：表面輸送、科学技術振興事業団 戦略的基礎研究「量子効果等の物理現象領域 -- 人工ナノ構造の機能探索」青野グループ研究会、1999年8月27日 (箱根).
  2. 長尾忠昭、長谷川修司：低速電子分光-電子回折によるシリコン表面の電子物性の研究、科学技術振興事業団 戦略的基礎研究「量子効果等の物理現象領域 --人工ナノ構造の機能探索」青野グループ研究会、1999年8月27日 (箱根).
  3. 白木一郎、長尾忠昭、長谷川修司：マイクロおよびナノ４端子プローブ法による局所表面電気伝導の研究、科学技術振興事業団 戦略的基礎研究「量子効果等の物理現象領域 --人工ナノ構造の機能探索」青野グループ研究会、1999年8月27日 (箱根).
  4. 長尾忠昭、長谷川修司：高分解２次元角度走査型電子エネルギー損失分光装置、第６６回応用物理学会学術講演会、1999年9月3日（甲南大学）.
  5. 長尾忠昭、T. Hildeblandt、M. Henzler、長谷川修司：表面電子バンド中に局在した（２次元？）プラズモン、 日本物理学会秋の分科会，1999年9月25日（岩手大学).
  6. 白木一郎、田邊輔仁、 P. Boggild、C. L. petersen、 F. Grey、長尾忠昭、長谷川修司：μ-4 probe 内蔵 UHV-SEM-SREM による表面電気伝導のその場観察、 日本物理学会秋の分科会，1999年9月25日（岩手大学).
  7. 谷川雄洋、松田巌、長尾忠昭、長谷川修司：Si(001) 表面上の Ag 原子層の unwetting と電気伝導 、日本物理学会秋の分科会、1999年9月26日 (岩手大学).
  8. 長谷川修司、淺沼伸彦、谷川雄洋、長尾忠昭: インジウムが吸着した Si(111) 表面での低温相転移、 日本物理学会秋の分科会，1999年9月26日（岩手大学).
  9. 関口武治、堀越孝太郎、長尾忠昭、H. W. Yeom、松田巌、大内暁、田辺輔仁、X. Tong、谷川雄洋、原沢あゆみ、木下豊彦、長谷川修司：Si(111)-3×2-Ca表面の電子状態、日本物理学会秋の分科会、1999年9月27日（岩手大学）
  10. 長尾忠昭、長谷川修司：ELS-LEED 法による表面電子バンド中のプラズモンの分散測定、物性研究所研究会シリーズ「物性研究の展望 --- 表面・人工物質における 科学のフロンティア ---」1999年11月10日（東京大学）.
  11. 長谷川修司：Electronic growth, 東北大学電気通信研究所 プロジェクト研究会「半導体エピタキシャル成長の原子レベル制御に関する研究」 1999年 11月11日（松島）
  12. 長尾忠昭、T. Hildeblandt、M. Henzler、長谷川修司：表面電子バンド中の低次元電子系のプラズモン分散関係、文部省科学研究費補助金創成的基礎研究費「表面・界面-異なる対称性の接点の物性」第１班・第２班研究会、1999年11月20日（名古屋大学）.
  13. 長谷川修司、長尾忠昭、白木一郎、 C. L. Petersen、P. Boggild、T. Hansen、F. Grey：局所表面電気伝導の測定 --- マイクロ４端子プローブと４探針STM、科学技術振興事業団 戦略的基礎研究「量子効果等の物理」第３回シンポジウム、1999年12月21日 (東京).
  14. 長谷川修司、長尾忠昭、白木一郎：マイクロおよびナノ４端子法による局所表面電気伝導の測定、文部省科学研究費補助金創成的基礎研究費「表面・界面 --- 異なる対称性の接点の物性」研究会、2000年1月28日 (東京工業大学).
  15. 長尾忠昭、T. Hildeblandt、M. Henzler、長谷川修司：Si(111)-4×1-In表面電子バンド中の擬一次元プラズモンとそのエネルギー分散関係、　 文部省科学研究費補助金創成的基礎研究費「表面・界面-異なる対称性の接点の物性」第３回ワークショップ「密度波転移などの表面量子物性」、2000年2月3日、東京大学.
  16. 堀越孝太郎、 H.-W. Yeom、関口武治、武田さくら、田邊輔仁、松田巌、長尾忠昭、長谷川修司：鉛吸着シリコン表面上での整合・不整合転移のSTMおよび光電子分光法による研究、日本物理学会春の年会、2000年3月22日 (関西大学).
  17. 白木一郎、田邊輔仁、長尾忠昭、長谷川修司：独立駆動型４端子STMによる表面電気伝導の測定、日本物理学会春の年会、2000年3月23日 (関西大学).
  18. 武田さくら、 M. Eichman、服部賢、大門寛、 H. Pfnuer、長尾忠昭、長谷川修司：SPA-LEED による Si(111)-4×1-In → 8×2 相転移の温度依存性の測定、日本物理学会春の年会、2000年3月23日 (関西大学).
  19. 長尾忠昭、関口武治、長谷川修司：Si(111)表面上の単結晶 Bi 超薄膜の成長メカニズム、日本物理学会春の年会、2000年3月24日 (関西大学).
  20. 大内暁、 X. Tong、谷川雄洋、松田巌、長尾忠昭、長谷川修司：Si(111)-√21×√21-Ag表面の電子状態、日本物理学会春の年会、2000年3月24日 (関西大学).
  21. 谷川雄洋、松田巌、長尾忠昭、長谷川修司：Si(001) 表面上の Ag 原子層の unwetting と電気伝導 II、日本物理学会春の年会、2000年3月24日 (関西大学).
  22. 田邊輔仁、白木一郎、長尾忠昭、長谷川修司：独立駆動型４端子STM装置の開発、日本物理学会春の年会、2000年3月24日 (関西大学).
  23. 堀越孝太郎、 H.-W. Yeom、長尾忠昭、長谷川修司：Si(111)-√3×√3→3×3相転移のSTMによる研究、日本物理学会春の年会、2000年3月24日 (関西大学).
招待講演
  1. 長谷川修司：表面電気伝導の物理とデバイス応用, 公開講座「表面・界面 --- 異なる対称性の接点の物性 ---」, 1999年10月28日 (東京大学).
  2. 長谷川修司：表面シリサイドの電子状態と表面電気伝導、日本化学会 第78 春季年会 特別企画「物質概念からみた表面化学の新展開 --- 原子レベルでの表面物質の生成・構造・物性 ---」2000年3月28日（日本大学船橋）.
  3. 長谷川修司：金属吸着シリコンの電気伝導、第 47 回応用物理学関連連合講演会 シンポジウム「IV 族半導体の新機能表面・界面」2000年3月29日（青山学院大学）.

セミナー

  1. 長谷川修司：シリコン表面の構造と電気伝導、東京大学大学院工学系研究科応用化学専攻、1999年6月28日.
  2. S. Hasegawa：Surface electronic transport、デンマーク工科大学マイクロエレクトロニクスセンター、1999年8月3日.
  3. 長谷川修司：シリコン表面の電子輸送、名古屋大学大学院工学研究科応用物理学専攻、1999年10月19日.
  4. 長谷川修司：シリコン表面の構造と電気伝導、大阪大学大学院工学研究科電子工学専攻、 2000年2月10日.

講義等

  1. 長谷川修司：現代物理学入門（４年生）（分担担当）: 原子を観る、触る、手繰る, 1999年7月12日
  2. 長谷川修司：現代実験物理学 I （３年生）（分担担当） 1999年度夏学期
  3. 長谷川修司、長尾忠昭、堀越孝太郎 (TA)：物理学実験II （３年生）表面物性、 1999年度冬学期
  4. 長谷川修司：半導体表面の構造と物性、集中講義（名古屋大学大学院工学研究科応用物理学専攻）1999年10月18-20日.
  5. 長谷川修司：物性物理学特論（４年生、大学院「表面物理学」と共通講義）（分担担当）1999年度冬学期