中西 亮介　NAKANISHI Ryosuke

			中西 亮介		M2
			トポロジカル結晶絶縁体など色々やってます..

在籍　　　　 2016/April/1〜2018/March/31

修士論文(2018/Mar) トポロジカル(結晶)絶縁体の薄膜作製と特性評価
　　　　　　　　理学系研究科研究奨励賞（修士課程）授賞
　　　　　　　　　
現所属　　PwCあらた有限責任監査法人 (2018/4/1〜)

投稿論文

1. R. Akiyama, Y. Takano, Y. Endo, S. Ichinokura, R. Nakanishi, K. Nomura, and S. Hasegawa:
   Berry phase shift from 2π to π in Bilayer graphene by Li-intercalation and sequential desorption
   Appl. Phys. Lett. 110, 233106 (Jun, 2017) [Times Cited 0] Cited by
   
   
   
2. T. Hirahara, S. V. Eremeev, T. Shirasawa, Y. Okuyama, T. Kubo, R. Nakanishi, R. Akiyama, A. Takayama, T. Hajiri, S. Ideta, M. Matsunami, K. Sumida, K. Miyamoto, Y. Takagi, K. Tanaka, T. Okuda, T.Yokoyama, S. Kimura, S. Hasegawa, and E. V. Chulkov:
   A large-gap magnetic topological heterostructure formed by subsurface incorporation of a ferromagnetic layer
   Nano Letters 17, 3493-3500 (May, 2017) Press Release　科学新聞 [Times Cited 0] Cited by
   
   

学会発表

1. 中西亮介, 秋山了太, 鎮西弘毅, 福居直哉, 豊田良順, 西原寛, 長谷川修司

   微傾斜Si(111)-√3×√3-Bi上でのトポロジカル結晶絶縁体SnTe薄膜の成長とその構造・伝導評価 (21pPSA-60)

   日本物理学会 2017秋季大会　岩手大学（上田キャンパス）
   2017年9月21日.
   
   

2. 中西亮介, 秋山了太, 奥山裕磨, 高木康多, S. V. Eremeev, E. V. Chulkov, 横山利彦, 長谷川修司, 平原徹

   トポロジカル絶縁体/磁性絶縁体超薄膜ヘテロ接合II：磁化特性 (18aD42-2)

   日本物理学会 第72回年次大会　大阪大学（豊中キャンパス）
   2017年3月18日.
   

3. 中西亮介、秋山了太、長谷川修司、
   Bi(111)/Si(111)テンプレート上におけるトポロジカル結晶絶縁体 SnTe 薄膜の成長とその評価、
   強磁場コラボラトリーが拓く未踏計測領域への挑戦と物質・材料科学の最先端,
   物質材料研究機構, 2017年11月29日.