遠藤 由大　ENDO Yoshihiro

			遠藤 由大		D3
			グラフェン作ります。超伝導も....

在籍　　　　 2015/April/1〜2020/March/31

修士論文　　SiC上２層グラフェンにおける量子輸送特性　（2017/March）

博士論文　　SiC上グラフェンへの金属原子インターカレーションによる構造変化と超伝導発現　（2020/March）

現所属　　NTT物性科学基礎研究所（2020/4/1-）

投稿論文

1. Y. Endo, Y. Fukaya, I. Mochizuki, A. Takayama, T. Hyodo, S. Hasegawa:
   Structure of Superconducting Ca-intercalated Bilayer Graphene/SiC studied using Total-Reflection High-Energy Positron Diffraction
   Carbon 157 857-862 (2020).　Elsevier 　プレスリリース(2019/11/14) YouTube
   
   
2. S. Ichinokura, Y. Nakata, K. Sugawara, Y. Endo, A. Takayama, T. Takahashi, and S. Hasegawa:
   Vortex-induced quantum metallicity in mono-unit-layer superconductor NbSe₂
   Phys. Rev. B 99, 220501(R) (Jun, 2019). (Editor's suggestion) APS　プレスリリース(2019/6/25) PhysOrg
   
   
3. Y. Endo, S. Ichinokura, R. Akiyama, A. Takayama, K. Sugawara, T. Takahashi, K. Nomura, and S. Hasegawa
   Weak localization in bilayer graphene with Li-intercalation/desorption
   J. Phys.: Cond. Matt., 30, 305701 (7pp) (Jul, 2018) [Times Cited 0] Cited by
   
   
4. R. Akiyama, Y. Takano, Y. Endo, S. Ichinokura, R. Nakanishi, K. Nomura, and S. Hasegawa:
   Berry phase shift from 2π to π in Bilayer graphene by Li-intercalation and sequential desorption
   Appl. Phys. Lett. 110, 233106 (Jun, 2017) [Times Cited 3] Cited by
   
   

学会発表

1. Y. Endo, S. Ichinokura, R. Akiyama, A. Takayama, S. Hasegawa, K. SuzukiA, K. SugawaraB, T. Takahashi, K. Nomura, and W.-X. Tang
   Graphene Intercalation
   Symposium on Surface and Nano Sciences 2018
   2018年1月12日, Furano (富良野、北海道）
   
   
2. Y. Endo, S. Ichinokura, R. Akiyama, A. Takayama, K. Sugawara, T. Takahashi, K. Nomura and S. Hasegawa
   Weak localization in bilayer graphene with Li-intercalation/desorption
   The 8th International Symposium on Surface Science (ISSS-8)
   2017年10月24日, つくば国際会議場、つくば
   
   
3. Y. Endo, S. Ichinokura, K. Suzuki, K. Sugawara, R. Akiyama, A. Takayama, T. Takahashi, S. Hasegawa
   Transport properties of bilayer graphene studied by in situ four-point probe resistance measurements,
   The 20th International Vacuum Congress (IVC-20),
   2016年8月24日, Busan, Korea
   
   
4. A. Takayama, Y. Endo, D.Fan, M. Imamura, K. Takahashi, S. Hasegawa
   Electronic Properties of Pb/Ge(111) studied by ARPES and transport measurements
   The 20th International Vacuum Congress (IVC-20),
   2016年8月25日, Busan, Korea.
   
   

5. 鄭帝洪, V. Jort, 遠藤由大, 渡邉和己, 遠山晴子, 高城拓也, 保原麗, L. V. Bondarenko, A. Y. Tupchaya, D. V. Gruznev, A. V. Zotov, A. A. Saranin, 秋山了太, 長谷川修司
   

   Yb吸着グラフェン/SiCの磁性

   日本物理学会第75回年次大会　名古屋大学（東山キャンパス）（新型コロナウイルスのため中止：講演概要提出）
   2020年3月17日(17aA42-9).

   
   

6. 秋山了太，宮内恵太，遠藤由大，佐藤瞬亮，保原麗，長谷川修司
   SiC(0001)上に成長した原子層単結晶青リンの特性

   日本表面真空学会 2019年学術講演会　つくば国際会議場
   2019年10月28日.
   
   

7. 遠藤由大，鄭帝洪，秋山了太 ，長谷川修司
   K 修飾された Ca インターカレートグラフェン/SiC による超伝導

   日本表面真空学会 2019年学術講演会　つくば国際会議場
   2019年10月28日.
   
   

8. 鄭帝洪，フェルバケルヨルト，遠藤由大，秋山了太，長谷川修司

   日本表面真空学会 2019年学術講演会　つくば国際会議場
   SiC 基板上 Yb 蒸着グラフェンにおける強磁性の発現
   2019年10月29日.

   
   

9. 秋山了太, 佐藤瞬亮, 遠藤由大, 長谷川修司
   SiC(0001)上に成長した青リンの構造と伝導特性 (10pPSB-5, 領域9)

   日本物理学会 2019年秋季大会　岐阜大学
   2019年9月10日.
   
   

10. 遠藤由大, 鄭帝洪, 秋山了太, 長谷川修司

    K修飾されたCaインターカレートグラフェン/SiCの輸送特性 (10pPSB-48, 領域9)

    日本物理学会 2019年秋季大会　岐阜大学
    2019年9月10日.
    
    

11. 鄭帝洪, フェルバケルヨルト, 遠藤由大, 秋山了太, 長谷川修司

    Yb蒸着されたグラフェン/SiCにおける強磁性の発現 (10pPSB-50, 領域9)
    日本物理学会 2019年秋季大会　岐阜大学
    2019年9月10日.
    
    

12. 遠藤由大，一ノ倉聖、深谷有喜，望月出海，高山あかり，秋山了太、菅原克明、高橋隆、兵頭俊 夫，Z. Wei, W. X. Tang、長谷川修司

    2 層グラフェンへの金属原子のインターカレーション

    第 ９ 回分子アーキテクトニクス研究会、函館 （北海道)

    2018 年 11 月2 日

    
    

13. 遠藤由大，深谷有喜，望月出海，高山あかり，兵頭俊 夫，長谷川修司

    全反射高速陽電子回折 (TRHEPD) による 2 層グラフェン層間化合物の構造解析

    第 2 回 陽電子回折研究会, 高エネルギー 加速器研究機構 (茨城)

    2018 年 3 月 30 日

    
    

14. 宮内恵太, 秋山了太, 中 西亮介, 遠藤由大, 長谷川修司

    新奇層状物質青リンのAu(111)へのエピタキシャル成長とその電気伝導特性評価(PS-36)
    日本表面科学会 第3回関東支部講演大会、東京工業大学（大岡山キャンパス）
    2018年4月7日

    .
    

15. 遠藤由大, 深谷有喜, 望月出海, 高山あかり, 兵頭俊夫, 長谷川修司

    Caインターカレート2層グラフェン/SiCの構造：全反射高速陽電子回折 (14aK103-2, 領域9)
    日本物理学会 第74回年次大会（2019年）　九州大学（伊都キャンパス）　 2019年3月14日-17日
    2018年3月14日.
    
    

16. 宮内恵太, 秋山了太, 中西亮介, 遠藤由大, 長谷川修 司

    Li インターカレートした青リンのエピタキシャ ル成長とその電気伝導特性

    第 9 回低温センター研究交流会, 伊藤国際研究 センター (東京大学),

    2018 年 2 月 21 日.

    
    

17. 遠藤由大, 深谷有喜, 望月出海, 高山あかり, 兵頭俊夫, 長谷川修司

    全反射高速陽電子回折法による2層グラフェン層間化合物の構造解析 (22pPSB-71, 領域9) 学生優秀発表賞（領域９）授賞
    日本物理学会 第73回年次大会（2018年）　東京理科大学（野田キャンパス）
    2018年3月22日.
    
    

18. 遠藤由大, 一ノ倉聖, 鈴木克郷A, 菅原克明B, 秋山了太, 高山あかり,  野村健太郎C, 高橋隆A,B, 長谷川修司

    グラフェンへのインターカレーション

    平成29年度 東北大学 電気通信研究所 共同プロジェクト研究会「電荷とスピンの制御に基づく精密物性科学の構築とデバイス応用」技

    2017年11月3日 茂庭荘（仙台）

    
    

19. 遠藤由大, 望月出海, 深谷有喜, 高山あかり, 兵頭俊夫, 長谷川修司

    全反射高速陽電子回折法によるSiC上Liインターカレーション2層グラフェンの構造解析 (21pPSB-39)

    日本物理学会 2017秋季大会　岩手大学（上田キャンパス）
    2017年9月21日.

    
    

20. 高山あかり, 遠藤由大, 金觀洙, 朴君昊, 遠藤則史, 保原麗, 吹留博一, 末光眞希, 長谷川修司

    グラフェン/SiCの輸送特性：基板との相互作用の効果 (21pPSB-60)

    日本物理学会 2017秋季大会　岩手大学（上田キャンパス）
    2017年9月21日.

    
    

21. 遠藤由大，望月出海，深谷有喜，高山あかり，兵頭 俊夫，長谷川修司

    全反射高速陽電子回折法による SiC 上 Li インターカレーション 2 層グラフェンの構 造解析

    2017 年真空・表面科学合同講演会　日本表面科学会, 横浜市立大学 (横浜)
    2017年8月17日
    

    
    

22. 遠藤由大, 望月出海, 深谷有喜, 高山あかり, 兵頭俊夫, 長谷川修司

    全反射高速陽電子回折法によるSiC上のLiインターカレーション2層グラフェンの構造解析 (17pD41-10)

    日本物理学会 第72回年次大会　大阪大学（豊中キャンパス）　
    2017年3月17日.

    
    

23. 遠藤由大, 一ノ倉聖, 鈴木克郷, 菅原克明, 秋山了太, 高山あかり, ,野村健太郎, ,高橋隆, 長谷川修司
    SiC 結晶上２層グラフェンの輸送特性および Li インターカレートによる影響
    2016真空・表面科学合同講演会　名古屋国際会議場 （名古屋）

    2016年12月1日(水)

    
    
24. 高山あかり, 遠藤由大, Fan Di, 今村真幸, 高橋和敏, 長谷川修司:
    Pb/Ge(111)超薄膜における電子構造および輸送特性の膜厚依存性 (16aAJ-6)
    日本物理学会 2016年秋季大会　金沢大学（角間キャンパス）　
    2016年9月16日,

    
    

25. 遠藤由大, 一ノ倉聖, 鈴木克郷, 菅原克明, 秋山了太, 高山あかり, 高橋隆, 長谷川修司, 野村健太郎

    In situ 極低温四端子電気伝導測定によるSiC上2層グラフェンの量子輸送特性 (15aAR-13)
    日本物理学会 2016年秋季大会　金沢大学（角間キャンパス）

    2016年9月15日,

    
    

26. 秋山了太, 中西亮介, 遠藤由大, 一ノ倉聖, 長谷川修司

    Si(111)√3×√3-Bi上におけるトポロジカル結晶絶縁体SnTe薄膜の成長とその評価 (13pPSA-58)

    日本物理学会 2016年秋季大会　金沢大学（角間キャンパス）
    2016年9月13日,

    
    

27. 遠藤由大，一ノ倉聖，鈴木克郷，菅原克明，秋山了太，高山あかり，高橋隆，長谷川修司:
    極低温その場4端子電気伝導測定による2層グラフェンの輸送特性 (19pPSA-31)
    日本物理学会 第71回年次大会（2016年）　東北学院大学（泉キャンパス）
    2016年3月19日