鳥山啓之亮

現所属

• 日立製作所デバイス開発センター

修士論文

• 「アルカリ金属原子の吸着によるシリコン表面の構造と表面電気伝導の変化」

投稿論文

1. S. Hasegawa，K. Toriyama，K. Tsuchie，and T. Nagao：Surface Electronic Transport on Silicon: donner- and accepter-type adsorption on Si(111)-√3×√3-Ag substrate，Applied Surface Science，162/163, 42-47(2000).

学会発表

1. 鳥山啓之亮，長尾忠昭，長谷川修司：Si(111)-√3×√3-Ag表面上のアルカリ金属による構造と電気伝導日本物理学会秋の分科会，1997年10月8日（神戸大学）.
2. 白木一郎，鳥山啓之亮，長尾忠昭，長谷川修司：UHV-SEM/SREMによるSi(111)-√21×√21-(Ag+Au)の形成過程の観察，日本物理学会秋の分科会，1997年10月7日（神戸大学）.
3. 白木一郎，鳥山啓之亮，長尾忠昭，長谷川修司：SEM-SREM-RHEEDによるSi(111)-(Ag+Au)二元表面合金相の形成過程の観察，創成的基礎研究「表面・界面 − 異なる対称性の接点の物性 −」，平成９年度第２回研究会，1997年10月25日（東京工業大学）.
4. 白木一郎，鳥山啓之亮，長尾忠昭，長谷川修司：UHV-SEM-SREM-RHEED-STMによるSi(111)-(Ag+Au)二次元表面合金相の形成過程の観察，日本物理学会春の年会，1998年3月31日（日本大学）.
5. 土江孝二，武田さくら，鳥山啓之亮，堀越孝太郎，長尾忠明，長谷川修司：Si(111)表面上におけるC60分子層の構造と電気伝導，日本物理学会春の年会，1998年4月1日（日本大学）.
6. I. Shiraki，K. Toriyama，T. Nagao，S. Hasegawa：Observation of Si(111)-√21×√21-(Ag+Au) formation process by UHV-SEM/SREM，Japan-Germany Seminar on Mechanisms of Epitaxy and Properties of Coherent Thin Films，1997年9月29日（日光）.
7. 長谷川修司，Xiao Tong，姜春生，鳥山啓之亮，長尾忠昭：表面電子準位を介した電気伝導とエレクトロマイグレーションのその場SEM-SREM観察，創成的基礎研究「表面・界面 − 異なる対称性の接点の物性 −」，平成８年度第１回研究会，1996年8月7日（東京工業大学）.
8. 長谷川修司，鳥山啓之亮，中島雄二，長尾忠昭，井野正三：Si(111)表面上のAgの吸着・脱離過程のその場SEM-SREM観察，物理学会秋の分科会，1996年10月3日（山口大学）.