小森田 拓

			小森田拓		M2
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現所属

• 富士通（株）

修士論文

• 「表面状態へのキャリアドーピング」(2009年）

投稿論文

1. T. Hirahara, T. Komorida, Y. Gu, F. Nakamura, H. Izuchi, H. Morikawa, and S. Hasegawa:
   Insulating conduction in Sn/Si(111): Possibility of a Mott insulating ground state and metallization/localization induced by carrier doping,
   Phys. Rev. B 80, 235419 (Dec, 2009).
   
   
2. T. Hirahara, T. Komorida, A. Sato, G. Bihlmayer, E. V. Chulkov, K. He, I. Matsuda, and S. Hasegawa:
   Manipulating quantum-well states by surface alloying: Pb on ultrathin Ag films,
   Physical Review B 78, 035408 (Jul 2008).
   
   

学会発表

1. T. Hirahara, T. Komorida, Y. Gu, F. Nakamura, H. Idzuchi, H. Morikawa, and S. Hasegawa:
   A Mott-insulator surface and its metallization by carrier doping
   Symposium on Surface and Nano Science (SSNS) 2010, Shizukuishi, January 15-18 (2010)
   
   
2. T. Komorida, T. Hirahara, A. Sato, G. Bihlmayer, E. V. Chulkov, K. He, I. Matsuda, S. Hasegawa:
   Manipulating quantum-well states by surface alloying: Pb on ultrathin Ag films,,
   The 8th Japan-Russia Seminar on Semiconductor Science (JRSSS-8), 2008年10月19日、仙台.
   
   
   
3. T. Komorida, T. Hirahara, A. Sato, G. Bihlmayer, E. V. Chulkov, K. He, I. Matsuda, S. Hasegawa:
   Manipulating quantum-well states by surface alloying: Pb on ultrathin Ag films,
   International Symposium on Surface Science and Nanotechnology (ISSS-5), 2008年11月12日、早稲田大学.
   
   
4. 小森田拓、平原徹，Yan Gu，守川春雲，長谷川修司:
   キャリアドープしたモット絶縁体表面の電気伝導,
   日本物理学会２００９年秋季大会, 2009年9月27日、熊本大学.
   
   
5. 小森田拓，北岡佑介，吉本真也，平原徹，大場隆之，長谷川修司:
   ナトリウム を吸着したSi(111)√3 × √3-Sn 表面の研究,
   日本物理学会第64回年次大会, 2009年3月31日、立教大学.
   
   
6. 小森田 拓，平原 徹, 佐藤 礼奈, Bihlmayer Gustav, Chulkov E.V, He Ke, 松田 巌, 長谷川 修司:
   表面合金化による量子井戸状態の制御：Pb/Ag超薄膜,
   日本表面科学会学術講演会2008年11月14日、早稲田大学.
   
   
7. 平原徹，小森田拓，佐藤礼奈，長谷川修司:
   Pb吸着Ag超薄膜の量子井戸状態の研究
   日本物理学会第62回年次大会 , 2007年9月24日、北海道大.