松田 巌


Iwao MATSUDA 助手
グレートでエピタキシャルな黒豹です。

在籍 　　　助手　2001/Sep/1 〜 2006/Nov/30

現所属 　　　東京大学物性研究所 准教授 (2006/Dec/1〜) -> 教授（2021/4/1〜）

投稿論文

  1. T. Hirahara, T. Nagao, I. Matsuda, G. Bihlmayer, E. V. Chulkov, Yu. M. Koroteev, and S. Hasegawa:
    Quantum-well states in ultrathin Bi films from angle-resolved photoemission spectroscopy and first-principles calculations study
    Phys. Rev. B 75, 035422 (Jan, 2007).

  2. H. Konishi, Y. Murata, W. Wongwiriyapan, M. Kishida, K. Tomita, K. Motoyoshi, S. Honda, and M. Katayama, S. Yoshimoto, K. Kubo, R. Hobara, I. Matsuda, and S. Hasegawa, M. Yoshimura, J.-G. Lee and H. Mori:
    High-yield synthesis of conductive carbon nanotube tips for multiprobe scanning tunneling microscope
    Review of Scientific Instruments 78, 013703 (Jan. 2007).

  3. Iwao Matsuda, Canhua Liu, Toru Hirahara, Masashi Ueno,Takehiro Tanikawa, Taizo Kanagawa, Rei Hobara, Shiro Yamazaki, Shuji Hasegawa, and Katsuyoshi Kobayashi:
    Electron-phonon interaction and localization of surface-state carriers in a metallic monolayer
    Phys. Rev. Lett., submitted.

  4. T. Hirahara, K. Miyamoto, I. Matsuda, T. Kadono, A. Kimura, T. Nagao, G. Bihlmayer, E. V. Chulkov, S. Qiao, K. Shimada, H. Namatame, M. Taniguchi, and S. Hasegawa:
    Direct Observation of Spin Splitting in Bismuth Surface States
    Phys. Rev. B., submitted.

  5. Shiro Yamazaki, Iwao Matsuda, Hiroyuki Okino, Harumo Morikawa, and Shuji Hasegawa:
    Variable-Range-Hopping Conduction at Glass-Crystal Transition in Monatomic Layers on Silicon Surfaces
    Phys. Rev. Lett., submitted.

  6. Shinya Yoshimoto, Yuya Murata, Keisuke Kubo, Kazuhiro Tomita, Kenji Motoyoshi, Takehiko Kimura, Hiroyuki Okino, Rei Hobara, Iwao Matsuda, Shin-ichi Honda, Mitsuhiro Katayama, and Shuji Hasegawa:
    10-nm-Scale Four-Point Probe Resistance Measurements Using Carbon Nanotube Tips in Four-Tip Scanning Tunneling Microscope
    Nano Letters 7, 956 (May, 2007).

  7. Hiroyuki Okino, Iwao Matsuda, Shiro Yamazaki, Rei Hobara, and Shuji Hasegawa:
    Transport in Defective Quasi-One-Dimensional Atomic-Chain Arrays of Gold on Vicinal Silicon Surfaces
    Physical Review B, submitted.

  8. 松田巌、保原麗、長谷川修司：
    単原子ステップを通過する表面自由電子
    日本物理学会誌 62, 91-98 (Feb, 2007).

  9. C. Liu, I. Matsuda, R. Hobara, and S. Hasegawa:
    Interaction between the adatoms-induced localized state and the quasi-two-dimensional electron gas
    Phys. Rev. Lett. 96, 036803 (15 Jan, 2006).

  10. Naoka Nagamura, Iwao Matsuda, Nobuhiro Miyata, Toru Hirahara, Shuji Hasegawa, and Takashi Uchihashi:
    Quasi-quantum-wire states in an epitaxial Ag film on a one-dimensional surface superstructure
    Phys. Rev. Lett. 96, 256801 (June, 2006).

  11. T. Hirahara, T. Nagao, I. Matsuda, G. Bihlmayer, E. V. Chulkov, Yu. M. Koroteev, P. M. Echenique, M. Saito, and S. Hasegawa
    Role of Spin-Orbit Coupling and Hybridization Effects in the Electronic Structure of Ultrathin Bi Films
    Phys. Rev. Lett. 97, 146803 (October, 2006).

  12. Yasuo Nakayama, Iwao Matsuda, Shuji Hasegawa, and Masakazu Ichikawa:
    Quantum regulation of Ge nanodot state by controlling barrier of the interface layer
    Applied Physics Letters 88, 253102 (June, 2006).

  13. Alexander Konchenko,, Iwao Matsuda, Shuji Hasegawa,Yoshiaki Nakamura, and Masakazu Ichikawa:
    Observation of Quantum Confinement in Ge nanodots on an oxidized Si surface
    Phys. Rev. B 73, 113311(15 March, 2006).

  14. T. Hirahara, I. Matsuda, R. Hobara, S. Yoshimoto, and S. Hasegawa:
    Direct measurement of the Hall effect in a free-electron-like surface state
    Phys. Rev. B 73, 235332 (June, 2006).

  15. Canhua Liu, Iwao Matsuda, Marie D'angelo, and Shuji Hasegawa:
    Self-Assembly of Two-Dimensional Nanoclusters: From Surface Molecules to Surface Superstructure,
    Phys. Rev. B 74, 235420 (Dec, 2006).

  16. I. Matsuda, T. Hirahara, M. Ueno, R. Hobaram and S. Hasegawa
    Electrical Conduction through a Monatomic Step
    Journal de Physique IV 132, 57 (April 2006).

  17. H. Konishi, S. Honda, M. Kishida, Y. Murata, T. Yasuda, D. Maeda, K. Tomita, K. Motoyoshi, S. Yoshimoto, R. Hobara, I. Matsuda, J.-G. Lee, H. Mori, K. Oura, S. Hasegawa, and M. Katayama:
    Synthesis of Metal-Alloy Nanowires toward Functional Scanning Probe Microscope,
    Japanese Journal of Applied Physics 45, 3690-3692 (April, 2006).

  18. 松田巌、上野将司、平原徹、保原麗、守川春雲、劉燦華、長谷川修司
    結晶表面上単原子ステップの電気抵抗
    表面科学 27, 182-187 (March 2006).

  19. 中山泰生，松田巌，長谷川修司，市川昌和:
    極薄Si酸化物上Geナノドットの界面構造と閉じ込めポテンシャル
    表面科学　27 (2), 523-529 (September, 2006).

  20. 劉燦華、松田巌、保原麗、長谷川修司:
    吸着原子誘起の局在状態と表面自由電子ガスとの相互作用
    表面科学　27 (12), 702-707 (december, 2006).

  21. C. Liu, S. Yamazaki, R. Hobara, I. Matsuda, and S. Hasegawa
    Two-Dimensional Liquid-Solid Phase Transition Observed on Atomic Scale
    Physical Review B 71, 041310(R) (2005).

  22. I. Matsuda,. T. Hirahara, M. Konishi, C. Liu, H. Morikawa, M. D'angelo, S. Hasegawa, T. Okuda, and T. Kinoshita:
    Evolution of Fermi surface by electron doping into a free-electron-like surface state,
    Physical Review B 71, 235315 (June, 2005).

  23. A. A. Saranin, A. V. Zotov, I. A. Kuyanov, V. G. Kotlyar, M. Kishida, Y. Murata, H. Okado, I. Matsuda, H. Morikawa, N. Miyata, S. Hasegawa, M. Katayama, and K. Oura:
    Long-periodic modulations in the linear chains of Tl atoms on Si(100)
    Physical Review B 71, 165307 (April 2005).

  24. Hiroyuki Okino,. Iwao Matsuda, Rei Hobara, Yoshikazu Hosomura, Shuji Hasegawa, and P. A. Bennett:
    In situ resistance measurements of epitaxial cobalt silicide nanowires on Si(110)
    Applied Physics Letters 86, 233108 (June 2005).

  25. Yuya Murata, Shinya Yoshimoto, Masaru Kishida, Daisuke Maeda, Tatsuro Yasuda, Takashi Ikuno, Shin-ichi Honda, Hideaki Okad, Rei Hobara, Iwao Matsuda, Shuji Hasegawa, Kenjiro Oura, and Mitsuhiro Katayama:
    Exploiting Metal Coating of Carbon Nanotubes for Scanning Tunneling Microscopy Probes
    Japanese Jourmal of Applied Physics 44, 5336-5338 (July 2005).

  26. S. Yoshimoto, Y. Murata, R. Hobara, I. Matsuda, M. Kishida, H. Konishi, T. Ikuno, D. Maeda, T. Yasuda, S. Honda, H. Okado, K. Oura, M. Katayama, and S. Hasegawa:
    Electrical Characterization of Metal-Coated Carbon-Nanotube Tips,
    Japanese Journal of Applied Physics 44, L1563-L1566 (Dec, 2005).

  27. M. D'angelo, M. Konishi, I. Matsuda, C. Liu, S. Hasegawa, T. Okuda, and T. Kinoshita,
    Alkali metal-induced Si(111)√21x√21 structure: the Na case,
    Surface Science 590, 162-172 (Oct. 2005).

  28. C. Liu, I. Matsuda, and S. Hasegawa:
    STM observation at initial stage of Cs adsorption on Si(111)-√3x√3-Ag surface,
    Surface and Interface Analysis 37, 101-105 (2005).

  29. M. Konishi, I. Matsuda, C. Liu, H. Morikawa, and S. Hasegawa:
    A √21x√21 phase formed by Na adsorption on Si(111)√3x√3-Ag surface and its electronic structure,
    e-Journal of Surface Science and Nanotechnology 3, 107-112 (March, 2005).

  30. N. Miyata, I. Matsuda,. M. D'angelo, H. Morikawa, T. Hirahara, and S. Hasegawa:
    STM observation of the Si(111)-c(12×2)-Ag surface
    e-Journal of Surface Science and Nanotechnology 3, 151-155 (May, 2005).

  31. Masaru Kishida, Hirofumi Konishi, Yuya Murata, Daisuke Maeda, Tatsuro
    Yasuda, Takashi Ikuno, Shin-ichi Honda, Mitsuhiro Katayama, Shinya Yoshimoto, Rei Hobara, Iwao Matsuda, and Shuji Hasegawa:
    Coating Carbon Nanotubes with Compound Ultrathin Film: A Novel Route to Functional SPM tips.
    e-Journal of Surface Science and Nanotechnology 3, 417-420 (Dec, 2005).

  32. Hiroyuki Okino, Iwao Matsuda, Rei Hobara, Yoshikazu Hosomura, Shuji Hasegawa, and P. A. Bennett:
    Resistance measurements of metallic silicide nanowires on a Si substrate with a four-tip scanning tunneling microscope
    e-Journal of Surface Science and Nanotechnology 3, 362-366 (Dec, 2005).

  33. Shiro Yamazaki, Iwao Matsuda, Hiroyuki Okino, Harumo Morikawa, and Shuji Hasegawa:
    Electrical Conduction on Various Au/Si(111) Surface Superstructures
    e-Journal of Surface Science and Nanotechnology 3, 497-502 (Dec, 2005).

  34. 山崎詩郎、松田巌、沖野泰之、守川春雲、長谷川修司:
    Au/Si(111)表面超構造のガラス・結晶化転移での電気伝導の研究
    表面科学 26, 468-473 (2005).

  35. I. Matsuda, M. Ueno, T. Hirahara, R. Hobara, H. Morikawa, and S. Hasegawa,
    Electrical Resistance of a Monatomic Step on a Crystal Surface,
    Physical Review Letters 93, 236801 (Dec, 2004).

  36. T. Tanikawa, I. Matsuda, T. Kanagawa, and S. Hasegawa,
    Surface-state electrical conductivity at a metal-insulator transition on silicon,
    Physical Review Letters 93, 016801 (2004).

  37. H. Okino, R. Hobara, I. Matsuda, T. Kanagawa, and S. Hasegawa,
    Non-metallic transport of a quasi-one-dimensional metallic Si(557)-Au surface,
    Physical Review B 70, 113404 (2004).

  38. H. Morikawa, I. Matsuda, and S. Hasegawa
    Direct observation of soliton dynamics in charge density waves on a quasi-one-dimensional metallic surface,
    Physical Review B 70, 085412 (2004).

  39. T. Hirahara, I. Matsuda, M. Ueno, and S. Hasegawa,
    The effective mass of a free-electron-like surface state of the Si(111)√3×√3-Ag investigated by photoemission and scanning tunneling spectroscopies,
    Surface Science 563, 191-198 (2004).

  40. R. Hobara, S. Yoshimoto, T. Ikuno, M. Katayama, N. Yamauchi, W. Wongwiriyapan, S. Honda, I. Matsuda, S. Hasegawa, and K. Oura:
    Electronic Transport in Multiwalled Carbon Nanotubes Contacted with Patterned Electrodes
    Japanese Journal of Applied Physics 43, L1081-L1084 (2004).

  41. T. Hirahara, I. Matsuda, and S. Hasegawa,
    Photoemission Structure Factor Effect for Fermi Rings of the Si(111)√3 × √3-Ag Surface,
    e-Journal of Surface Science and Nanotechnology, 2, 141-145 (2004, April).

  42. F. Shimokoshi, I. Matsuda, S. Hasegawa, and S. Ino,
    Successive Phase Transitions Induced by Ca and Sr Adsorptions on a Si(111) surface
    e-Journal of Surface Science and Nanotechnology 2, 178-185 (2004).

  43. I. Matsuda, T. Tanikawa, S. Hasegawa, H. W. Yeom, K. Tono, and T. Ohta,
    Quantum-Well States in Ultra-Thin Metal Films on Semiconductor Surfaces,
    e-Journal of Surface Science and Nanotechnology 2, 169-177 (2004, May).

  44. 守川春雲、松田巌、長谷川修司：
    シリコン表面上での電荷密度波の格子整合効果とソリトンダイナミクス
    表面科学、25, 407-415 (2004).
  45. 松田巌:
    注目の論文「金属ー単分子ー金属接合の構造および電子状態の直接観察」 
    化学　59(No.10), 63 (2004).

  46. T. Kanagawa, R. Hobara, I. Matsuda, T. Tanikawa, A. Natori, and S. Hasegawa,
    Anisotropy in conductance of a quasi-one-dimensional metallic surface state measured by square micro-four-point probe method,
    Physical Review Letters 91(3), 036805 (2003).

  47. I. Matsuda, H. Morikawa, C.-H. Liu, S. Ohuchi, S. Hasegawa, T. Okuda, T. Kinoshita, C. Ottaviani, A. Cricenti, M. D'angelo, P. Soukiassian, and G. LeLay:
    Electronic evidence of symmetry breakdown in surface structure    ,
    Physical Review B 68, 085407 (August, 2003).

  48. T . Tanikawa , K . Yoo, I . Matsuda, and S. Hasegawa,
    Non-Metallic Transport Property of the Si(111) 7×7 Surface,
    Physical Review B 68, 113303 (2003, September).

  49. S. Hasegawa, I. Shiraki, F. Tanabe, R. Hobara, T. Kanagawa, T. Tanikawa, I. Matsuda, C. L. Petersen, T. M. Hansen, P. Boggild, F. Grey:
    Electrical conduction through surface superstructures measured by microscopic four-point probes,
    Surface Review and Letters 10, 963-980 (2003).

  50. C. Liu, I. Matsuda, H. Morikawa, H. Okino, T. Okuda, T. Kinoshita, and S. Hasegawa,
    Si(111)-√21×√21-(Ag+Cs) surface studied by scanning tunneling microscopy and angle-resolved photoemission spectroscopy,
    Japanese Journal of Applied Physics, 42, Part 1, pp. 4659-4662 (2003, July).

  51. M. Ueno, I. Matsuda, C. Liu, and S. Hasegawa,
    Step edges as reservoirs of adatom gas on a surface,
    Japanese Journal of Applied Physics 42, Part 1, pp. 4894-4897 (2003, July).

  52. T. Tanikawa, I. Matsuda, R. Hobara, and S. Hasegawa,
    Variable-temperature micro-four-point probe method for surface electrical conductivity measurements in ultrahigh vacuum,
    e-Journal of Surface Science and Nanotechnology 1, 50-56 (2003).

  53. H. Okino, I. Matsuda, T. Tanikawa, and S. Hasegawa,
    Formation of Facet Structures by Au Adsorption on Vicinal Si(111) Surfaces,
    e-Journal of Surface Science and Nanotechnology 1, 84-90 (2003).

  54. 長谷川修司、白木一郎、田邊輔仁、保原麗、金川泰三、松田巌：
    ４探針ＳＴＭの開発と表面電子輸送の測定、
    電子顕微鏡 38, 36 (2003).

  55. 上野将司、松田巌、劉燦華、原沢あゆみ、奥田太一、木下豊彦、長谷川修司：
    表面上の２次元吸着原子ガス相と内殻光電子分光
    表面科学 24, 556 (September, 2003).

  56. G. LeLay, A. Cricenti, C. Ottaviani, P. Perfetti, T. Tanikawa, I. Matsuda, S. Hasegawa:
    Evidence of asymmetric dimers down to 40 K at the clean Si(100) surface,
    Physical Review B 66, 153317 (2002).

  57. H. Morikawa, I. Matsuda, S. Hasegawa:
    STM Observation of Si(111)-α-√3×√3-Sn at low temperature,
    Physical Review B 65 (Rapid Comm.), 201308(R) (2002).

  58. 長谷川修司、白木一郎、田邊輔仁、保原麗、金川泰三、谷川雄洋、松田巌、Christian L.. Petersen、Torben M. Hanssen、Peter Boggild、Francois Grey:
    ミクロな４端子プローブによる表面電気伝導の測定、
    表面科学 23 (12) (2002) 740-752.

  59. I. Matsuda, H.-W. Yeom, T. Tanikawa, K. Tono, T. Nagao, S. Hasegawa, and T. Ohta：
    Growth and electron quantization of the metastable silver films on Si(001),
    Physical Review B 63, 125325 (2001).

  60. X. Tong, S. Ohuchi, N. Sato, T. Tanikawa, T. Nagao, I. Matsuda, Y. Aoyagi, S. Hasegawa:
    Electronic structures of Ag-induced superstructures on Si(111) surface studied by angle-resolved photoemission spectroscopy and scanning tunneling microscopy,
    Physical Review B 64, 205316 (2001).

  61. H. W. Yeom，S. Takeda，E. Rotenberg，I. Matsuda，K. Horikoshi，J. Schaefer，C. M. Lee，S. D. Kevan，T. Ohta，T. Nagao，and S. Hasegawa：
    Instability and charge density wave of metallic quantum chains on a silicon surface，
    Physical Review Letters 82, 4898-4901 (1999).

学会発表

  1. 高瀬恵子，松田巌，保原麗，宮田伸弘，長谷川修司:
    Mn吸着したSi(111)√3×√3-Ag表面のSTMおよび光電子分光測定
    日本物理学会2007年春季大会, , 2007年3月18-21日、鹿児島大.

  2. 平原徹，宮本幸治，松田巌，門野利治，木村昭夫，長尾忠昭，G. Bihlmayer，E. V. Chulkov，喬山，島田賢也，生天目博文，谷口雅樹，長谷川修司:
    ビスマス表面状態のスピン角度分解光電子分光
    日本物理学会2007年春季大会, , 2007年3月18-21日、鹿児島大

  3. 宮田伸弘，松田巌，堀越孝太郎，平原徹，長谷川修司:
    Pb超薄膜の電子輸送の振動現象
    日本物理学会2007年春季大会, , 2007年3月18-21日、鹿児島大.

  4. 中山泰生，山崎詩郎，吉本信也、保原麗、沖野泰之、平原徹、松田巌，長谷川修司、市川昌和:
    極薄Si酸化膜上Geナノドットの伝導機構の研究
    日本物理学会2007年春季大会, , 2007年3月18-21日、鹿児島大.

  5. 山崎詩郎，松田巌，平原徹、W. H. Choi、H. W. Yeom、沖野泰之、守川春雲、長谷川修司:
    Si(111)表面上のAu膜の内殻光電子分光および電気伝導測定
    日本物理学会2007年春季大会, , 2007年3月18-21日、鹿児島大.

  6. 沖野泰之，松田巌，山崎詩郎，保原麗，長谷川修司:
    金属蒸着したシリコン表面上の電気伝導度異方性
    日本物理学会2007年春季大会, , 2007年3月18-21日、鹿児島大.

  7. 坂本克好，河野勝泰，名取晃子，長谷川修司:
    In被覆Au探針を用いたエレクトロマイグレーションの観察
    日本物理学会2007年春季大会, , 2007年3月18-21日、鹿児島大.

  8. 角田治哉，平原徹，松田巌，長尾忠昭，長谷川修司、上野信雄、坂本一之:
    ペンタセン超薄膜の電子構造
    日本物理学会2007年春季大会, , 2007年3月18-21日、鹿児島大.

  9. S. Hasegawa, N. Nagamura, I. Matsuda, T. Uchihashi, T. Hirahara, N. Miyata, C. Ohbuchi:
    Anisotropic quantum well states in ultra-thin Ag films prepared on one- dimensional atomic array
    The Seventh Russia-Japan Seminar on Semiconductor Surfaces(RJSSS-7), 2006/Sep/20, Vladivostok, Russia.

  10. I. Matsuda, K. Kubo, S. Yamazaki, T. Hirahara, and S. Hasegawa:
    Electronic structure and electron transport of the Hume-Rothery-type phase on a semiconductor surface
    The Seventh Russia-Japan Seminar on Semiconductor Surfaces(RJSSS-7), 2006/Sep/20, Vladivostok, Russia.

  11. S. Yamazaki, I. Matsuda, S. Hasegawa:
    Increase of surface electrical conduction by In deposition on a-r3xr3-Au surface
    The Seventh Russia-Japan Seminar on Semiconductor Surfaces(RJSSS-7), 2006/Sep/20, Vladivostok, Russia.

  12. T. Hirahara, T. Nagao, I. Matsuda, G. Bihlmayer, E. V. Chulkov, Yu. M. Koroteev, P. M. Echenique, M. Sato, and S. Hasegawa:
    Role of spin-orbit coupling and hybridization effects in the electronic structure of ultrathin Bi films
    The 13th International Conference on Solid Films and Surfaces
    2006年11月7日, San Carlos de Bariloche, Patagonia, Argentina.

  13. S. Yamazaki, Y. Hosomura, I. Matsuda, R. Hobara, and S. Hasegawa:
    Electrical resistances of In/Si(111) surfaces: metallic transport on Si(111)-√7×√3-In surface
    The 13th International Conference on Solid Films and Surfaces
    2006年11月9日, San Carlos de Bariloche, Patagonia, Argentina.

  14. H. Okino, I. Matsuda, S. Yamazaki, R. Hobara, and S. Hasegawa:
    Temperature dependece of surface-state conductivity of Si(553)-Au
    The 13th International Conference on Solid Films and Surfaces
    2006年11月9日, San Carlos de Bariloche, Patagonia, Argentina.

  15. K. Takase, I. Matsuda, R. Hobara, and S. Hasegawa:
    STM observation of Mn adatoms on Si(111)√3×√3-Ag
    The 13th International Conference on Solid Films and Surfaces
    2006年11月9日, San Carlos de Bariloche, Patagonia, Argentina.

  16. K. Kubo, I. Matsuda, S. Yamazaki, T. Hirahara, and S. Hasegawa:
    Atomic/electronic structures and phase transition of the Hume-Rothery-type phase on a silicon surface.
    The 13th International Conference on Solid Films and Surfaces
    2006年11月9日, San Carlos de Bariloche, Patagonia, Argentina.

  17. 中山泰生，松田　巌，山崎詩郎，長谷川修司，市川昌和：
    極薄Si酸化膜上Geナノドットの閉じ込めポテンシャル高さに依存した電気伝導特性
    2006年秋季 第67回応用物理学会学術講演会, 2006年8月31日、立命館大.

  18. 本好謙司，岸田　優，小西博文，村田祐也，冨田一裕, 木村雄彦，岡本一将，松井良憲，田川精一，吉本真也，久保敬祐，保原　麗，松田　巌，長谷川修司，本多信一，片山光浩:
    カーボンナノチューブ探針による高アスペクト比構造のSTM観察
    2006年秋季 第67回応用物理学会学術講演会, , 2006年8月31日、立命館大.

  19. 村田祐也，岸田　優，小西博文，本好謙司，冨田一裕，木村雄彦，吉本真也，久保敬祐，保原　麗，松田　巌，長谷川修司，本多信一，片山光浩:
    金属被膜カーボンナノチューブ探針によるCoSi2ナノワイヤの電気伝導計測
    2006年秋季 第67回応用物理学会学術講演会, , 2006年8月31日、立命館大.

  20. 保原　麗，永村直佳，吉本真也，松田　巌，長谷川修司:
    4探針STMによる表面電気伝導の異方性測定とその温度依存性
    2006年秋季 第67回応用物理学会学術講演会, , 2006年8月31日、立命館大.

  21. 平原徹，松田巌，山崎詩郎，宮田伸弘，長尾忠昭A，長谷川修司:
    Si(111)表面上Bi(001)超薄膜の表面状態電気伝導
    日本物理学会2006年秋季大会, 2006年９月２３日、千葉大.

  22. 山崎詩郎，細村嘉一，松田巌，保原麗，長谷川修司：
    In/Si(111)-√7×√3表面超構造の金属伝導と絶縁体転移
    日本物理学会2006年秋季大会, 2006年９月２３日、千葉大.

  23. 高瀬恵子，松田巌，Marie D'angelo，平原徹，長谷川修司：
    Si(111)7×7表面上Na吸着に伴う金属−絶縁体転移とその電気伝導変化
    日本物理学会2006年秋季大会, 2006年９月２３日、千葉大.

  24. 宮田 伸弘, 松田 巌, 堀越 孝太郎, 平原 徹, 長谷川 修司:
    Pb超薄膜の電子輸送の振動現象
    第26回表面科学講演大会 2006年11月7日、大阪大.

  25. 松田 巌, 小林 功佳, 平原 徹, 宮田 伸弘, 長谷川 修司:
    表面Hume-Rothery相の研究
    第26回表面科学講演大会 2006年11月7日、大阪大.

  26. 極薄Si酸化膜上のGeナノドットの電気伝導特性
    第26回表面科学講演大会 2006年11月7日、大阪大.

  27. T. Hirahara, T. Nagao, I. Matsuda, E. Chulkov, G. Bihlmayer, M. Saito, S. Hasegawa:
    An ARPES Study of Quantum-Well States of Ultrathin Bi(001) Films on Si(111),
    International Symposium on Surface Science and Nanotechnology (ISSS-4), 2005/Nov/13, Omiyai, Japan.

  28. S. Yoshimoto, R. Hobara, I. Matsuda, Y. Murata, M. Kishida, H. Konishi, T. Ikuno:
    Electrical Characterization of Metal-Coated Carbon Nanotube Tips,
    International Symposium on Surface Science and Nanotechnology (ISSS-4), 2005/Nov/13, Omiyai, Japan.

  29. H. Morikawa,. H. Okino, S. Yamazaki, H. Ohe, I. Matsuda, and S. Hasegawa:
    Electronic structure and the surface state conductivity of the Sn/Ge(111)-√3 × √3 surface throughout the charge ordering phase transition,
    International Symposium on Surface Science and Nanotechnology (ISSS-4), 2005/Nov/13, Omiyai, Japan.

  30. H. Morikawa, H. Ohe, I. Matsuda, and S. Hasegawa:
    Fermi surfaces of 'prototypical' 2-D metallic systems on Ge(111),
    International Symposium on Surface Science and Nanotechnology (ISSS-4), 2005/Nov/13, Omiyai, Japan.

  31. C. Liu, I. Matsuda, T. Hirahara and S. Hasegawa:
    Interaction between the adatoms-induced localized state and the free-electron-like surface state,
    International Symposium on Surface Science and Nanotechnology (ISSS-4), 2005/Nov/13, Omiyai, Japan.

  32. S. Yamazaki, I. Matsuda, H. Okino, H. Morikawa and S. Hasegawa:
    Surface Electrical Conductioin Au/Si(111) Surface Superstructures and Thin Films,
    International Symposium on Surface Science and Nanotechnology (ISSS-4), 2005/Nov/13, Omiyai, Japan.

  33. N. Nagamura, I. Matsuda, T. Uchihashi, T. Hirahara, N. Miyata, C. Ohbuchi, and S. Hasegawa:
    Quantum well states of ultra-thin Ag films prepared on one dimensional atomic array,
    International Symposium on Surface Science and Nanotechnology (ISSS-4), 2005/Nov/13, Omiyai, Japan.

  34. S. Yoshimoto, R. Hobara, I. Matsuda, Y. Murata, M. Kishida, H. Konishi, T. Ikuno,D. Maeda, T. Yasuda, S. Honda, H. Okado, M. Katayama, K. Oura, and S. Hasegawa:
    Electrical Characterization of Metal-Coated Carbon Nanotube Tip,
    13th International Conference on Scanning Tunneling Microscopy/Spectroscopy and Related Techniques (STM'05), July 3-8, 2005 Sapporo, Japan.

  35. Y. Murata, M. Kishida, H. Konishi, D. Maeda, T. Yasuda, K. Motoyosi, K. Tomita, S. Honda, H. Okado, S. Yoshimoto, R. Hobara, I. Matsuda, S. Hasegawa, K. Oura and M. Katayama:
    Metal-coated Carbon Nanotube Tips for Multi-Probe STM,
    13th International Conference on Scanning Tunneling Microscopy/Spectroscopy and Related Techniques (STM'05), July 3-8, 2005 Sapporo, Japan.

  36. H. Konishi, M. Kishida, Y. Murata, T. Yasuda, D. Maeda, K. Tomita, K. Motoyoshi, S. Honda, J.-G. Lee, H. Mori, S. Yoshimoto, R. Hobara, I. Matsuda, S. Hasegawa, K. Oura, and M. Katayama:
    Coating Carbon Nanotubes with Inorganic Compounds toward Functionalized Nanoprobe Applications,
    13th International Conference on Scanning Tunneling Microscopy/Spectroscopy and Related Techniques (STM'05), July 3-8, 2005 Sapporo, Japan.

  37. S. Yamazaki, I. Matsuda, H. Okino, H. Morikawa and S. Hasegawa:
    Study of Surface Electric Conduction at Glass-Crystal Transition in Au/Si(111) Surface Superstructures: Variable Range Hopping at Glass Phase,
    13th International Conference on Scanning Tunneling Microscopy/Spectroscopy and Related Techniques (STM'05), July 3-8, 2005 Sapporo, Japan.

  38. C. Liu, I. Matsuda, T. Hirahara and S. Hasegawa:
    Influence of adatoms on the two-dimensional electron gas in the surface of Si(111)-√3 × √3-Ag,
    13th International Conference on Scanning Tunneling Microscopy/Spectroscopy and Related Techniques (STM'05), July 3-8, 2005 Sapporo, Japan.

  39. H. Okino, I. Matsuda, R. Hobara, Y. Hosomura, Z. He, P. A. Bennett, and S. Hasegawa:
    Transport properties of epitaxial cobalt silicide nanowires on Si(110)
    13th International Congress on Thin Films/8th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures (ICTF 13/ACSIN 8)    , 2005/June/19-23, Stockholm, Sweden.

  40. S. Yamazaki, I. Matsuda, H. Okino, H. Morikawa, and S. Hasegawa:
    Surface electronic transport study of glass-crystal transition on Au/Si(111) surface from room temperature to ultra-low temperature
    13th International Congress on Thin Films/8th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures (ICTF 13/ACSIN 8)    , 2005/June/19-23, Stockholm, Sweden.

  41. 平原 徹, 松田 巌, 保原 麗, 吉本 真也, 長谷川 修司:
    自由電子的な表面状態のホール効果測定
    表面科学会講演大会, 2005年11月17日、大宮.

  42. 保原 麗, 吉本 真也, 松田 巌, 長谷川 修司:
    低温型四探針STM装置の開発と電気伝導測定
    表面科学会講演大会, 2005年11月17日、大宮

  43. 守川 春雲、松田 巌、長谷川 修司:
    シリコン表面上での電荷密度波の格子整合効果とソリトンダイナミクス(論文賞受賞講演)
    表面科学会講演大会, 2005年11月17日、大宮.

  44. 永村直佳、松田巌、内橋隆、 箕輪雅章、宮田伸弘、平原徹、大渕千種、長谷川修司:
    Si(111)4x1-Inおよび7x7上Ag薄膜の量子井戸状態の研究
    表面科学会講演大会, 2005年11月17日、大宮.

  45. 劉燦華、松田巌、長谷川修司：
    内殻準位光電子分光法による金原子吸着したSi(111)-√3×√3-Ag 表面の研究
    表面科学会講演大会, 2005年11月17日、大宮.

  46. 宮田伸弘、松田巌、守川春雲、平原徹、ダンジェロ・マリー、長谷川修司：
    Si(111)-c(12x2)-Ag 表面のＳＴＭ観察
    表面科学会講演大会, 2005年11月17日、大宮

  47. 山崎詩郎、松田巌、沖野泰之、守川春雲、長谷川修司：
    Au薄膜に対する乱れのＳＴＭ観察および弱局在の電気伝導測定
    表面科学会講演大会, 2005年11月17日、大宮

  48. 山崎詩郎、松田巌、沖野浩之、守川春雲、長谷川修司
    表面構造のガラス結晶化転移での電気伝導
    平成１７年度東北大学電気通信研究所共同プロジェクト研究会「ナノ半導体物理の構築とその作製・計測技術の開拓」
    2005年10月14日、宮城県岩沼.

  49. 前田大輔，岸田優, 小西博文, 村田祐也, 本好謙司, 保田達郎, 冨田一裕, 生野孝, 本多信一, 大門秀朗, 吉本真也, 久保敬祐, 保原麗, 松田巌, 長谷川修司, 尾浦憲治郎, 片山光浩:
    ナノスケール電気計測応用に向けた金属被膜カーボンナノチューブ探針の作製と評価,
    平成17年秋季　応用物理学会学術講演会 2005年9月.

  50. 小西博文，岸田優，村田祐也，保田達郎，前田大輔，冨田一裕，本好謙司，本多信一，李正九，森博太郎，吉本真也，保原麗，松田巌，長谷川修司，尾浦憲治郎，片山光浩:
    無機化合物被膜カーボンナノチューブの作製,
    平成17年秋季　応用物理学会学術講演会 2005年9月.

  51. 劉燦華、松田巌、平原徹、長谷川修司:
    吸着子によるSi(111)-√3×√3-Ag の金属バンドの分裂,
    日本物理学会2005秋季大会 2005年9月19-22日、同志社大学.

  52. 平原徹，長尾忠明，松田巌，E. Chulkov，G. Bihlmayer，斎藤峯雄，長谷川修司:
    Si(111)表面上Bi(001)超薄膜の光電子分光測定,
    日本物理学会2005秋季大会 2005年9月19-22日、同志社大学.

  53. 永村直佳，松田巌，内橋隆，小渕千種、箕輪雅章，宮田伸弘，平原徹，長谷川修司:
    Si(111)8×2-In上Ag薄膜の量子井戸状態の研究,
    日本物理学会2005秋季大会 2005年9月19-22日、同志社大学.

  54. 守川春雲、大江英輝、沖野泰之、山崎詩郎、松田巌、長谷川修司:
    Pb 吸着Ge(111) 表面の相転移とその電子状態,
    日本物理学会2005秋季大会 2005年9月19-22日、同志社大学.

  55. 山崎詩郎、松田巌、沖野泰之、守川春雲、長谷川修司:
    Au吸着Si(111)表面のSTM観察と電気伝導,
    日本物理学会2005秋季大会 2005年9月19-22日、同志社大学.

  56. 平原徹、松田巌、長谷川修司:
    表面状態のホール抵抗測定,
    日本物理学会第60回年次大会、2005/Mar/24、東京理科大学、野田.

  57. 吉本真也、保原麗、松田巌、村田裕也、岸田優、生野孝、前田大輔、保田達郎、本多信一、片山光浩、尾浦憲治郎、長谷川修司:
    金属被覆カーボンナノチューブ探針の電気伝導特性,
    日本物理学会第60回年次大会、2005/Mar/24、東京理科大学、野田.

  58. 沖野泰之、松田巌、保原麗、細村嘉一、長谷川修司、P. A. Bennett:
    CoSi2ナノワイヤの電気伝導特性,
    日本物理学会第60回年次大会、2005/Mar/24、東京理科大学、野田.

  59. 宮田伸弘、松田巌、平原徹、長谷川修司:
    光電子分光によるSi上のPb薄膜の量子井戸状態の研究,
    日本物理学会第60回年次大会、2005/Mar/25、東京理科大学、野田.

  60. 山崎詩郎、松田巌、長谷川修司:
    室温から極低温までのAu/Si(111)表面の表面電子輸送研究,
    日本物理学会第60回年次大会、2005/Mar/25、東京理科大学、野田.

  61. 松田巌、劉燦華、平原徹、長谷川修司:
    Si(111)√３×√３−Ag表面の電気伝導II,
    日本物理学会第60回年次大会、2005/Mar/25、東京理科大学、野田.

  62. C. Liu, S. Yamasaki, R. Hobara, I. Matsuda, and S. Hasegawa:
    Atomic scale observations of two-dimensional Liquid Solid Phase Transition on the Si(111)-√3×√3-Ag surface,
    Beijing-TEDA 2004 Scannning Probe Microscopy, Sensors and Nanostructures.
    2004年5月23日 (Beijing, China).

  63. S. Yoshimoto, H. Okino, R. Hobara, I. Matsuda, Y. Murata, M. Kishida, T. Ikuno, D. Maeda, T. Yasuda, H. Okado, M. Katayama, K. Oura, and S. Hasegawa:
    Electrical Characterization of Metal-Coated Carbon Nanotube Tip, (Poster)
    The 12th International Colloquium on Scanning Probe Microscopy,
    9 Dec, 2004, Atagawa, JAPAN.

  64. Y. Murata, M. Kishida, T. Ikuno, D. Maeda, T. Yasuda, H. Okado, M. Katayama, K. Oura, S. Yoshimoto, R. Hobara, I. Matsuda, and S. Hasegawa:
    Metal-Coated Carbon Nanotube Tip towards Multi-Tip STM Prober, (Poster)
    The 12th International Colloquium on Scanning Probe Microscopy,
    9 Dec, 2004, Atagawa, JAPAN.

  65. H. Okino, R. Hobara, I. Matsuda, T. Kanagawa, S. Hasegawa:
    Electronic Transport Mechanism of Si(557)-Au Surface, (Poster)
    International Workshop of COE Program on 'New Horizons in Condensed Matter Physics',
    November, 29, 2004, University of Tokyo, JAPAN.

  66. N. Miyata, I. Matsuda, H. Morikawa, T. Hirahara, M. D'angelo, and S. Hasegawa,
    STM observation of Ag/Si(111)-c(12x2) surface at low temperature,
    The Sixth Japan-Russia Seminar on Semiconductor Surfaces (JRSSS-6), October 13, 2004,
    Toyama University, JAPAN.

  67. M. D’angelo, I. Matsuda, T. Hirahara and S. Hasegawa,
    Na interaction with the Si(111)-7x7 surface studied by valence band photoemission
    The Sixth Japan-Russia Seminar on Semiconductor Surfaces (JRSSS-6), October 13, 2004,
    Toyama University, JAPAN.

  68. A.A. Saranin, A.V. Zotov, I.A. Kuyanov, V.G. Kotlyar, T.V. Kasyanova, M. Kishida, Y. Murata, H. Okado, I. Matsuda, H. Morikawa, N. Miyata, S. Hasegawa, M. Katayama and K. Oura,
    Phase transitions in Tl/Si(100) system,
    The Sixth Japan-Russia Seminar on Semiconductor Surfaces (JRSSS-6), October 13, 2004,
    Toyama University, JAPAN.

  69. I. Matsuda, T. Hirahara, M. Konishi, C. Liu, H. Morikawa, M. D'angelo and S. Hasegawa,
    Fermi surface evolved by electron doping from a monovalent atom into a free-electron-like surface state of Si(111)√ 3x√ 3-Ag,
    The Sixth Japan-Russia Seminar on Semiconductor Surfaces (JRSSS-6), October 13, 2004,
    Toyama University, JAPAN.

  70. C. Liu, M. D'angelo, I. Matsuda and S. Hasegawa,
    Studies of Au adsorption on the Si(111)-√3 x√3-Ag surface,
    The Sixth Japan-Russia Seminar on Semiconductor Surfaces (JRSSS-6), October 13, 2004,
    Toyama University, JAPAN.

  71. S. Yamazaki, I. Matsuda, H. Okino, H. Morikawa, S. Hasegawa,
    Surface electronic transport study of a glass-crystal transition on Au/Si(111) surface,
    The Sixth Japan-Russia Seminar on Semiconductor Surfaces (JRSSS-6), October 13, 2004,
    Toyama University, JAPAN.

  72. H. Morikawa, T. Tanikawa, H. Okino, I. Matsuda, and S. Hasegawa:
    Role of impurities against the phase transition of In/Si(111)-4×1to 8×'2',
    The 16th International Vacuum Congress(IVC-16) / 12th International Conference on Solid Surfaces(ICSS-12) / 8th International Conference on Nanometer-scale Science and Technology(NANO-8) / 17th Vacuum National Symposium(AIV-17),
    2004年6月30日 (Venice, Italy).

  73. I. Matsuda, M. Ueno, T. Hirahara, H. Morikawa, R. Hobara, and S. Hasegawa:
    Resistance of a Monatomic Step on a Crystal Surface,
    The 16th International Vacuum Congress(IVC-16) / 12th International Conference on Solid Surfaces(ICSS-12) / 8th International Conference on Nanometer-scale Science and Technology(NANO-8) / 17th Vacuum National Symposium(AIV-17),
    2004年7月2日(Venice, Italy).

  74. M. D'angelo, M. Konishi, I. Matsuda, C. Liu, and S. Hasegawa:
    Alkali-metal induced √21×√21 superstructures on Si(111) √3×√3-Ag surface: the Na case,
    12th International Conference on Solid Films and Surfaces (ICSFS-12), June 22, 2004, Hamamatsu, JAPAN.

  75. H. Okino, R. Hobara, I. Matsuda, T. Kanagawa, S. Hasegawa, J. Okabayashi, S. Toyoda, M. Oshima, and K. Ono:
    Electronic transport mechanism of Si(557) -Au surface,
    12th International Conference on Solid Films and Surfaces (ICSFS-12), June 22, 2004, Hamamatsu, JAPAN.

  76. T. Hirahara, I. Matsuda, and S. Hasegawa:
    Photoemission-structure-factor effect for Fermi rings of Si(111) √3×√3-Ag surface,
    12th International Conference on Solid Films and Surfaces (ICSFS-12), June 22, 2004, Hamamatsu, JAPAN.

  77. I. Matsuda, M. Ueno, H. Okino, and S. Hasegawa:
    Temperature dependence of surface electrical conductance of Si(111) √3×√3-Ag studied by micro-four point probe method,
    12th International Conference on Solid Films and Surfaces (ICSFS-12), June 22, 2004, Hamamatsu, JAPAN.

  78. C. Liu, I. Matsuda, T. Hirahara, and S. Hasegawa:
    Alkali-metal adsorptions on Si(111) √3×√3-Ag surface,
    12th International Conference on Solid Films and Surfaces (ICSFS-12), June 22, 2004, Hamamatsu, JAPAN.

  79. H. Morikawa, T. Tanikawa, H. Okino, I. Matsuda, and S. Hasegawa:
    Role of impurities againist a CDW transition on a silicon surface,
    12th International Conference on Solid Films and Surfaces (ICSFS-12), June 22, 2004, Hamamatsu, JAPAN.

  80. S. Yamazaki, I. Matsuda, H. Okino, H. Morikawa, and S. Hasegawa:
    Surface electron transport study of a glass-crystal transition of Au/Si(111),
    12th International Conference on Solid Films and Surfaces (ICSFS-12), June 22, 2004, Hamamatsu, JAPAN.

  81. A. Konchenko, I. Matsuda, S. Hasegawa, and M. Ichikawa:
    Formation and properties of ultra small Ge and Mn dots on Si(111),
    12th International Conference on Solid Films and Surfaces (ICSFS-12), June 24, 2004, Hamamatsu, JAPAN.

  82. T. Hirahara, I. Matsuda, and S. Hasegawa:
    Brillouin-zone selection for Fermi rings of the Si(111)√3×√3-Ag surface,
    The Fourteenth International Conference on Vacuum Ultraviolet Radiation Physics (VUV-XIV) , 2004/Jul/19-23 (Cairns, Australia).

  83. 平原徹、松田巌、長谷川修司：
    Si(111)表面Ag吸着層のフェルミ面研究II、
    日本物理学会第59回年次大会、2004年3月27日、九州大学（箱崎）.

  84. 守川春雲、谷川雄洋、沖野泰之、松田巌、長谷川修司：
    In/Si(111)-4×1⇔8×'2' 表面相転移に対する不純物の影響、
    日本物理学会第59回年次大会、2004年3月27日、九州大学（箱崎）.

  85. 松田巌、上野将司、沖野泰之、長谷川修司：
    マイクロ４端子法によるSi(111)√3×√3-Ag 表面電気伝導の温度依存性の研究、
    日本物理学会第59回年次大会、2004年3月27日、九州大学（箱崎）.

  86. 沖野泰之、保原麗、守川春雲、松田巌、長谷川修司：
    Au/Si(557)表面の電気伝導度の異方性I、
    日本物理学会第59回年次大会、2004年3月27日、九州大学（箱崎）.

  87. 小西満、松田巌、劉燦華、Marie D'angelo、長谷川修司：
    √21×√21 reconstruction formed by Na adsorption on the Si(111)√3×√3-Ag surface: an STM study、
    日本物理学会第59回年次大会、2004年3月27日、九州大学（箱崎）.

  88. 守川春雲，松田巌，長谷川修司
    室温〜極低温STM/STSによるGe(111)表面上Pb，Sn吸着系√3}×√3→3x3相転移の電子状態研究
    日本物理学会2004秋季大会 2004年9月14日、青森大学.

  89. 山崎詩郎，松田巌，長谷川修司
    Si(111)-Au表面上のガラス-クリスタル転移の電気伝導度測定
    日本物理学会2004秋季大会 2004年9月14日、青森大学.

  90. 保原麗，吉本真也，松田巌，長谷川修司:
    低温型四探針STMによる電気伝導測定
    日本物理学会2004秋季大会 2004年9月14日、青森大学.

  91. 平原徹，松田巌，小西満，Marie D'angelo，長谷川修司
    一価金属吸着Si(111)表面上√21×√21超構造のフェルミ円と表面電気伝導の研究
    日本物理学会2004秋季大会 2004年9月14日、青森大学.

  92. 劉燦華，Marie D'angelo，松田巌，長谷川修司
    金原子吸着したSi(111)-√3×√3-Ag表面についての研究
    日本物理学会2004秋季大会 2004年9月14日、青森大学.

  93. Marie D'angelo，松田巌，平原徹，長谷川修司,
    Na interaction with the Si(111)-7x7 surface studied by valence band photoemission
    日本物理学会2004秋季大会 2004年9月14日、青森大学.

  94. 長谷川修司、松田巌、
    Si(111)-√3×√3-Ag 表面：何が問題か？
    ISSPワークショップ「Si(111)-√3×√3-Ag構造と相転移」、2004年12月15日、東京大学（柏）.

  95. 沖野泰之、松田巌、保原麗、細村嘉一、Zhian He, P. A. Bennett,長谷川修司：
    自己組織化によって作製されたCoSi2ナノワイヤの電気伝導特性、
    第52回　応用物理学関係連合講演会、
    2005年3月29日 (埼玉大学).

  96. 松田巌、平原徹、守川春雲、ダンジェロ　マリー、小西満、長谷川修司：
    半導体表面上２次元金属単原子層への一価原子吸着と電子移動、
    第２４回日本表面科学会講演大会、
    2004年11月8日（早稲田大学）.

  97. 劉燦華，Marie D'angelo,松田巌，長谷川修司:
    金原子吸着したSi(111)-√3×√3-Ag表面についての研究.
    日本表面科学会　第24回表面科学講演大会，
    2004年11月8日 (早稲田大学).

  98. 守川　春雲、沖野　泰之、山崎　詩郎、松田　巌、長谷川　修司:
    PbまたはSn吸着√3×√3表面構造の低温における3×3相転移とそれに伴う電子状態の変化,
    第24回表面科学講演大会,
    2004年11月10日(早稲田大学)．

  99. 平原徹、松田巌、小西満、Marie D’angelo、長谷川修司：
    Si(111) √21×√21-Ag 超構造のフェルミ円と電気伝導の研究、
    第24回表面科学講演大会、2004年11月9日（早稲田大学）.

  100. 山崎詩郎、松田巌、沖野泰之、守川春雲、長谷川修司：
    Au/Si(111)表面構造のガラス・結晶化転移での電子輸送、
    第24回表面科学講演大会、
    2004年11月9日(早稲田大学).

  101. 宮田伸弘、松田巌、平原徹、Marie D'angelo、守川春雲、長谷川修司：
    低温におけるSi(111)-c(12×2)-Ag表面のSTM観察、
    第24回表面科学講演大会、
    2004年11月8日(早稲田大学).

  102. I. Matsuda:
    Electron Transport Measurement on Semiconductor Surfaces in UHV,
    2004    年10月25日（Arizona-State University, USA).

  103. I. Matsuda, M. Ueno, T. Hirahara, J. Sugawa, R. Hobara, and S. Hasegawa:
    Resistance of a single atomic step studied by STS and indepedently driven four-tip STM, nsitions,
    The 11th International Colloquium on Scanning Probe Microscopy (SPM11), 2003/Dec/13 (Atagawa, Japan).

  104. I. Matsuda, M. Ueno, T. Hirahara, J. Sugawa, R. Hobara, and S. Hasegawa:
    STM/STS studies of standing waves at atomic steps on the Si(111)√3×√3-Ag surface,
    7th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures (ACSIN-7), 2003年11月19日、奈良.

  105. M. Ueno, I. Matsuda, L. Canhua, A. Harasawa, T. Okuda, T. Kinoshita, and S. Hasegawa:
    Morphology and core-level photoemission spectra of Si(111)-√3×√3-Ag surface,
    7th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures (ACSIN-7), 2003年11月18日、奈良.

  106. H. Morikawa, T. Tanikawa, I. Matsuda, S. Hasegawa:
    Direct observation of low dimensional instability at Low Temperature
    7th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures (ACSIN-7), 2003年11月18日、奈良.

  107. C. Liu, I. Matsuda, S. Hasegawa:
    Phase Transitions Induced by Potassium Adsorption on Si(111)-√3×√3-Ag Surface,
    7th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures (ACSIN-7), 2003年11月18日、奈良.

  108. T. Hirahara, I. Matusda, M. Ueno, J. Sugawa, T. Kawaguchi, and S. Hasegawa:
    Fermi Surface Mapping of Ag overlayers on Si(111),
    7th International Conference of Atomically Controlled Surfaces, Interfaces, and Nanostructures (ACSIN-7), 2003年11月16日（奈良）.

  109. S. Yoshimoto, R. Hobara, I. Matsuda, T. Ikuno, N. Yamauchi, W. Wongwiriyapan, S. Honda, M. Katayama, K. Oura, and S. Hasegawa,
    I-V characteristic of carbon nanotubes measured by four-tip STM,
    7th International Conference of Atomically Controlled Surfaces, Interfaces, and Nanostructures (ACSIN-7), 2003年11月16日（奈良）.

  110. R. Hobara, S. Yoshimoto, I. Matsuda, and S. Hasegawa:
    Development of Low-Temperature Multi-tip STM,
    7th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures (ACSIN-7), 2003年11月16 (奈良).

  111. H. Okino, I. Matsuda, C. Liu, J. Okabayashi, S. Toyoda, K. Ono, M. Oshima, and S. Hasegawa:
    Core-level photoemission study of Si(557) surface,
    7th International Conference of Atomically Controlled Surfaces, Interfaces, and Nanostructures (ACSIN-7), 2003年11月16日（奈良）.

  112. R. Hobara, Y. Shinya, I. Matsuda, and S. Hasegawa:
    Development of Low Temperature Multiprobe STM,
    8th International Conference on Advanced Materials (IUMRS-ICAM 2003), 2003年10月8日 (横浜).

  113. H. Morikawa, T. Tanikawa, I. Matsuda, S. Hasegawa:
    Low Temperature Property of the Si(111)-8x'2'-In CDW Surface (Poster),
    The 9th International Conference on the Formation of Semiconductor Interfaces (ICFSI-9), 2003/Sep/15-19 (Madrid, Spain).

  114. H. Morikawa, T. Tanikawa, I. Matsuda, and S. Hasegawa:
    Role of defects in surface phase transitions,
    The 22nd European Conference on Surface Science (ECOSS22), 2003/Sep/7-12 (Praha, Czech Republic).

  115. C. Liu, I. Matsuda, S. Hasegawa:
    First atomic-scale observations of two-dimensional liquefaction and solidification in real space,
    4th International Symposium on Atomic Level Characterizations for New Materials and Devices (ALC03), 2003/Oct/5-Oct/10 (Hawaii, USA).

  116. 松田巌:
    半導体表面上金属超薄膜の量子井戸状態の研究（奨励賞受賞記念講演）、
    日本表面科学会講演大会、2003/Nov/26、早稲田大学.

  117. 沖野泰之、松田巌、劉燦華、岡林潤、豊田智史、小野寛太、尾嶋正治、長谷川修司：
    Si(557)-Au表面の内殻光電子分光、
    「ナノテクノロジーと高分解光電子分光」PF研究会、2003年12月20日　(高エネルギー研究所、筑波).

  118. 小西満、松田巌、守川春雲、奥田太一、木下豊彦、長谷川修司：
    Si(111)-√21×√21(Ag+Na)の表面電子構造、
    日本表面科学会第２３回表面科学講演大会、2003年11月28日（早稲田大学、東京）

  119. 松田巌，上野将司，平原徹，栖川淳，保原麗，長谷川修司:
    STM/STS測定によるSi(111)√3x√3-Ag表面ステップの研究、
    日本表面科学会第２３回表面科学講演大会、2003年11月28日（早稲田大学、東京）

  120. 劉燦華、松田巌、長谷川修司：
    Si(111)-√3×√3-Ag表面上のカリウム吸着による相転移,
    日本表面科学会第２３回表面科学講演大会、2003年11月26日（早稲田大学、東京）

  121. 平原徹、松田巌、上野将司、栖川淳、川口司、長谷川修司：
    Si(111)表面上Ag吸着層のフェルミ面研究、
    日本表面科学会第２３回表面科学講演大会、2003年11月28日（早稲田大学、東京）

  122. 長谷川修司、谷川雄洋、金川泰三、守川春雲、平原徹、上野将司、松田巌、：
    表面原子ステップでの電気抵抗、
    平成15年度東北大電気通信研究所プロジェクト研究会、ナノ成長場制御による構造と機能」　2003年10月17日、作並温泉、宮城.

  123. 沖野泰之、松田巌、劉燦華、岡林潤、豊田智史、小野寛太、尾嶋正治、長谷川修司:
    Si(557)clean表面及びSi(557)-Au表面の内殻光電子分光、
    日本物理学会2003年秋季大会（岡山大）、2003年9月20日.

  124. 平原徹，松田巌，栖川淳，川口司，長谷川修司:
    Si(111)表面上Ag吸着層のフェルミ面研究、
    日本物理学会2003年秋季大会（岡山大）、2003年9月20-23日.

  125. 吉本真也，保原麗，生野孝，山内規裕，Winadda Wongwiriyapan，本多信一，片山光浩，尾浦憲治郎，松田巌，長谷川修司:
    独立駆動型4探針STMを用いたCNT電気伝導測定、
    日本物理学会2003年秋季大会（岡山大）、2003年9月20日.

  126. 守川春雲，谷川雄洋，松田巌，長谷川修司:
    Si(111)-4x1-In系低温相転移のSTM観察、
    日本物理学会2003年秋季大会（岡山大）、2003年9月20-23日.

  127. 松田巌、上野将司、平原徹、栖川淳、保原麗、長谷川修司:
    STM/STS測定によるSi(111)/3x/3-Ag表面ステップの研究、
    日本物理学会2003年秋季大会（岡山大）、2003年9月20-23日.

  128. 劉燦華、山崎詩郎、保原麗、松田巌、長谷川修司：
    二次元気相・液相・固相相転移の原子直視，
    日本物理学会2003年秋季大会（岡山大）、2003年9月20-23日.

  129. 劉燦華、松田巌、長谷川修司：
    二次元気相・液相・固相相転移の原子レベルの観察，
    ポスト山田コンファレンス研究会「表面低次元ナノ構造機能物質の創製と物性」　(東京大学)　2003年7月4日.

  130. 沖野泰之、松田巌、劉燦華、岡林潤、豊田智史、小野寛太、尾嶋正治、長谷川修司：
    微傾斜したSi(111)表面の内殻光電子分光、
    ポスト山田コンファレンス研究会「表面低次元ナノ構造機能物質の創製と物性」　(東京大学)　2003年7月4日.

  131. 沖野泰之、松田巌、長谷川修司:
    微傾斜した Si(111)-Au 表面のＳＴＭ観察、
    日本物理学会第５８回年次大会、2003/March/28、東北大学.

  132. 松田巌、小西満、守川春雲、奥田太一、木下豊彦、長谷川修司:
    内殻光電子分光によるSi(111)-√21×√21-(Ag,Na)表面の研究、
    日本物理学会第５８回年次大会、2003/March/31、東北大学.

  133. 上野将司、松田巌、劉燦華、長谷川修司
    Si(111)-√3×√3-Ag表面の作成法によるモルフォロジ−の違い,
    日本物理学会第58回年次大会、2003年3月29日、早稲田大学.

  134. S. Hasegawa, I. Shiraki, F. Tanabe, T. Tanikawa, R. Hobara, T. Kanagawa, and I. Matsuda:
    Surface-state electronic transport measured by microscopic four-point probes,
    Asia-Pacific Surface and Interface Analysis Conference (APSIAC'02), 2002/October/3 (Tokyo, Japan).

  135. H. Morikawa, I. Matsuda, S. Hasegawa:
    STM Study of Phase Transitions on the Sn,Pb/Si(111) Surfaces,
    Dr. Rohrer's JSPS Award Workshop, (2002/March/5, Sendai).

  136. T. Tanikawa, I. Matsuda, and S. Hasegawa:
    Micro-four-point probe measurements of surface-state conductance at a Peierls transition on Si(111)-4x1-In,
    2nd Vacuum and Surface Science Conference of Asia and Australia (VASSCAA-2), 2002/Aug/28 (Hong Kong, China). (Elsevier Student Award)

  137. S. Hasegawa, I. Shiraki, F. Tanabe, T. Tanikawa, R. Hobara, T. Kanagawa, and I. Matsuda:
    Direct measurements of surface conductivity by microscopic four-point probes,
    The 5th Russia-Japan Seminar on Semiconductor Surfaces, 2002/September/17 (Vladivostok, Russia).

  138. T. Tanikawa, H. Okino, I. Matsuda, and S. Hasegawa:
    Micro-four-point probe measurements during a phase transition on Si(111)-4x1-In surface at low temperature,
    Asia-Pacific Surface and Interface Analysis Conference (APSIAC02) (2002/ct/3, Univ. Tokyo).

  139. T. Kanagawa, R. Hobara, I. Matsuda, and S. Hasegawa:
    Anisotropic surface conducitvity measurements by microscopic squarely arranged foiur-probe method,
    Asia-Pacific Surface and Interface Analysis Conference (APSIAC02) (2002/Oct/3, Univ. Tokyo).(The Best Poster Award)

  140. R. Hobara, T. Kanagawa, T. Tanikawa, I. Matsuda, and S. Hasegawa:
    Electrical probe contact influence using micro four probe,
    Asia-Pacific Surface and Interface Analysis Conference (APSIAC02) (2002/Oct/3, Univ. Tokyo).

  141. T. Kanagawa, R. Hobara, I. Matsuda, and S. Hasegawa:
    Anisotropy in surface-state electrical conduction measured by microscopic square-four-point probe method,
    The 10th International Colloquium on Scanning Probe Microscopy (ICSPM10) (2002/Nov/1, Waikiki, Hawaii).

  142. M. Ueno, Liu Canhua, I. Matsuda, and S. Hasegawa:
    Difference in morphology of Si(111)-√3×√3-Ag surface with various preparations,
    The 10th International Colloquium on Scanning Probe Microscopy (ICSPM10) (2002/Nov/2, Waikiki, Hawaii).

  143. 劉燦華、松田巌、守川春雲、長谷川修司：
    Research on the surface of Si(111)-√21×√21-(Ag+Cs)、
    日本表面科学会第２２回講演大会、2002年11月27日、早稲田大学.

  144. 上野将司、劉燦華、松田巌、長谷川修司：
    Si(111)-√3×√3-Ag　表面構造の処理温度依存性、
    日本表面科学会第２２回講演大会、2002年11月27日、早稲田大学.

  145. 松田巌、守川春雲、劉燦華、大内暁、長谷川修司、奥田太一、木下豊彦、Guy Le Lay：
    Si(111)-√3×√3-Ag　における表面状態対称性の破れ、
    日本表面科学会第２２回講演大会、2002年11月27日、早稲田大学.

  146. 守川春雲、松田巌、劉燦華、堀越孝太郎、長谷川修司：
    Si(111)-√3×√3-Ｓｎ，Ｐｂ　系の相転移と表面欠陥の関係、
    日本表面科学会第２２回講演大会、2002年11月27日、早稲田大学.

  147. 谷川雄洋、松田巌、長谷川修司：
    マイクロ４端子法を用いた表面パイエルス転移に伴う表面電気伝導度の温度依存性測、
    日本表面科学会第２２回講演大会、2002年11月28日、早稲田大学.

  148. 保原麗、松田巌、長谷川修司：
    ４端子ＳＴＭを用いたＣＮＴ電気伝導測定、
    日本表面科学会第２２回講演大会、2002年11月28日、早稲田大学.

  149. 金川泰三、保原麗、、松田巌、長谷川修司：
    正方４端子法による表面電気伝導度測定、
    日本表面科学会第２２回講演大会、2002年11月28日、早稲田大学.

  150. 保原麗、金川泰三、白木一郎、松田巌、長谷川修司：
    ４探針ＳＴＭによる表面電気伝導測定、
    日本物理学会第５７回年次大会、2002年3月24日（立命館大、滋賀）.

  151. 谷川雄洋、松田巌、長谷川修司：
    温度可変μ４端子法による表面電気伝導、
    日本物理学会第５７回年次大会、2002年3月25日（立命館大、滋賀）.

  152. T. Tanikawa, I. Matsuda, T. Nagao, and S. Hasegawa:
    Growth and conductivity of Ag layers on Si(001) surfaces,
    251st WE-Heraeus Seminar on 2D Conductivity in Surface States and Monolayers, 2001/Mar/5(Bad Honnef, Germany）

  153. X. Tong, S. Ohuchi, T. Tanikawa, N. Sato, T. Nagao, I. Matsuda, A. Harasawa, T. Okuda, T. Kinoshita, S. Hasegawa:
    Electronic structures of Ag-induced superstructures on Si(111) surfaces by valence-bands and core-level photoemission spectroscopies,
    8th International Conference on the Formation of Semiconductor Interfaces (ICFSI-8), 2001/Jun/14 (Sapporo).

  154. H. Morikawa, I. Matsuda, S. Hasegawa:
    STM Study of Phase Transitions on the Sn,Pb/Si(111) Surfaces,
    The 9th International Colloquium on Scanning Probe Microscopy, 2001年12月7日（熱川）.

  155. T. Tanikawa, I. Matsuda, T. Nagao, and S. Hasegawa:
    Growth mode and electrical conductance of Ag atomic layers on Si(001) surface.
    International Symposium on Surface and Interfaces -Properties of Different Symmetry Crossing--, 2000/Oct/18(Nagoya, Japan）

  156. 谷川雄洋、松田巌、長尾忠昭、長谷川修司：
    Si(001) 表面上の Ag 原子層の unwetting と電気伝導 、
    日本物理学会秋の分科会、1999年9    月26日 (岩手大学).

  157. 関口武治、堀越孝太郎、長尾忠昭、H. W. Yeom、松田巌、大内暁、田辺輔仁、X. Tong、谷川雄洋、原沢あゆみ、木下豊彦、長谷川修司：
    Si(111)-3x2-Ca表面の電子状態、
    日本物理学会秋の分科会、1999年9月27日（岩手大学）

  158. 堀越孝太郎、 H.-W. Yeom、関口武治、武田さくら、田邊輔仁、松田巌、長尾忠昭、長谷川修司:
    鉛吸着シリコン表面上での整合・不整合転移のSTMおよび光電子分光法による研究、
    日本物理学会春の年会、2000年3月22日 (関西大学).

  159. 大内暁、 X. Tong、谷川雄洋、松田巌、長尾忠昭、長谷川修司：
    Si(111)-√21×√21-Ag 表面の電子状態、
    日本物理学会春の年会、2000年3月24日 (関西大学).

  160. 谷川雄洋、松田巌、長尾忠昭、長谷川修司：
    Si(001) 表面上の Ag 原子層の unwetting と電気伝導 II、
    日本物理学会春の年会、2000年3月24日 (関西大学).