Harumo Morikawa

			守川春雲		D3
			今、エピタキシャル成長中です。相転移もします。

現所属

• 東京大学大学院理学系研究科化学専攻岩澤研究室助手 (2004-2006)
• 延世大学（韓国） Institute of Physics and Applied Physics, Research Professor (2006-2010)

修士論文

• 「SnまたはPbを吸着させたSi(111)超構造表面の相転移に関する研究」（２００１年）

博士論文

• 「Dynamics of the low-dimensional metallic systems on semiconductor surfaces」（２００5年）

投稿論文

1. I. Matsuda,. T. Hirahara, M. Konishi, C. Liu, H. Morikawa, M. D'angelo, S. Hasegawa, T. Okuda, and T. Kinoshita:
   Evolution of Fermi surface by electron doping into a free-electron-like surface state,
   Physical Review B, in press.
   
   
2. A.A. Saranin, A.V. Zotov, I.A. Kuyanov, V.G. Kotlyar, M. Kishida, Y. Murata, H. Okado, I. Matsuda, H. Morikawa, N. Miyata, S. Hasegawa, M. Katayama, and K. Oura:
   Long-periodic modulations in the linear chains of Tl atoms on Si(100)
   Physical Review B 71, 165307 (2005).
   
   
3. M. Konishi, I. Matsuda, C. Liu, H. Morikawa, and S. Hasegawa:
   A √21×√21 phase formed by Na adsorption on Si(111)√3×√3-Ag surface and its electronic structure,
   e-Journal of Surface Science and Nanotechnology 3, 107-112 (2005).
   
   
4. I. Matsuda, M. Ueno, T. Hirahara, R. Hobara, H. Morikawa, and S. Hasegawa,
   Electrical Resistance of a Monatomic Step on a Crystal Surface,
   Physical Review Letters 93, 236801 (Dec, 2004).
   
   
5. H. Morikawa, I. Matsuda, and S. Hasegawa
   Direct observation of soliton dynamics in charge density waves on a quasi-one-dimensional metallic surface,
   Physical Review B 70, 085412 (2004).
   
   
6. 守川春雲、松田巌、長谷川修司：
   シリコン表面上での電荷密度波の格子整合効果とソリトンダイナミクス
   表面科学、25, 407-415 (2004)
   
   
7. I. Matsuda, H. Morikawa, C.-H. Liu, S. Ohuchi, S. Hasegawa, T. Okuda, T. Kinoshita, C. Ottaviani, A. Cricenti, M. D'angelo, P. Soukiassian, and G. LeLay:
   Electronic evidence of symmetry breakdown in surface structure,
   Physical Review B 68, 085407 (August, 2003
   
   
8. C. Liu, I. Matsuda, H. Morikawa, H. Okino, T. Okuda, T. Kinoshita, and S. Hasegawa,
   Si(111)-√21×√21-(Ag+Cs) surface studied by scanning tunneling microscopy and angle-resolved photoemission spectroscopy,
   Japanese Journal of Applied Physics, 42, Part 1, pp. 4659-4662 (2003, July)
   
   
9. H. Morikawa, I. Matsuda, S. Hasegawa:
   STM Observation of Si(111)-α-√3×√3-Sn at low temperature,
   Physical Review B 65 (Rapid Comm.), 201308(R) (2002).
   
   【卒業後】
10. Kim KS (Kim, Keun Su), Morikawa H (Morikawa, Harumo), Choi WH (Choi, Won Hoon), Yeom HW (Yeom, Han Woong)
    Strong lateral electron coupling of pb nanowires on stepped si(111): Angle-resolved photoemission studies,
    PHYSICAL REVIEW LETTERS    Volume: 99    Issue: 19  Article Number: 196804    Published: NOV 9 2007
    
11. Morikawa H (Morikawa, Harumo)^1,2, Kim KS (Kim, Keun Su)^1,2, Jung DY (Jung, Duk Yong)^1,2, Yeom HW (Yeom, Han Woong)^1,2
    Scanning tunneling microscopy observation of Pb-induced superstructures on Si(557),
    PHYSICAL REVIEW B    Volume: 76    Issue: 16  Article Number: 165406    Published: OCT 2007
    
    
12. Morikawa H (Morikawa, Harumo), Kang PG (Kang, Pil Gyu), Yeom HW (Yeom, Han Woong)¹
    Electronic structure of Ag-induced atomic wires on Si(557) investigated by STS and angle-resolved photoemission
    SURFACE SCIENCE    Volume: 602    Issue: 24    Pages: 3745-3749    Published: DEC 15 2008  
    
    
13. Morikawa H (Morikawa, Harumo)^1,2, Jeong S (Jeong, Sukmin)^3,4, Yeom HW (Yeom, Han Woong)^1,2
    Observation of a metallic ground state of Sn/Ge(111)-3X3 at 4 K
    PHYSICAL REVIEW B    Volume: 78    Issue: 24  Article Number: 245307    Published: DEC 2008  
    
    
14. Morikawa H (Morikawa, Harumo)¹, Yeom HW (Yeom, Han Woong)
    Comment on "Metallic Nature of the alpha-Sn/Ge(111) Surface down to 2.5 K"
    PHYSICAL REVIEW LETTERS    Volume: 102    Issue: 15  Article Number: 159601    Published: APR 17 2009  
    

学会発表

1. N. Miyata, I. Matsuda, H. Morikawa, T. Hirahara, M. D'angelo, and S. Hasegawa,
   STM observation of Ag/Si(111)-c(12x2) surface at low temperature,
   The Sixth Japan-Russia Seminar on Semiconductor Surfaces (JRSSS-6), October 13, 2004,
   Toyama University, JAPAN.
   
   
2. A.A. Saranin, A.V. Zotov, I.A. Kuyanov, V.G. Kotlyar, T.V. Kasyanova, M. Kishida, Y. Murata, H. Okado, I. Matsuda, H. Morikawa, N. Miyata, S. Hasegawa, M. Katayama and K. Oura,
   Phase transitions in Tl/Si(100) system,
   The Sixth Japan-Russia Seminar on Semiconductor Surfaces (JRSSS-6), October 13, 2004,
   Toyama University, JAPAN.
   
   
3. I. Matsuda, T. Hirahara, M. Konishi, C. Liu, H. Morikawa, M. D'angelo and S. Hasegawa,
   Fermi surface evolved by electron doping from a monovalent atom into a free-electron-like surface state of Si(111)√ 3x√ 3-Ag,
   The Sixth Japan-Russia Seminar on Semiconductor Surfaces (JRSSS-6), October 13, 2004,
   Toyama University, JAPAN.
   
   
4. S. Yamazaki, I. Matsuda, H. Okino, H. Morikawa, S. Hasegawa,
   Surface electronic transport study of a glass-crystal transition on Au/Si(111) surface,
   The Sixth Japan-Russia Seminar on Semiconductor Surfaces (JRSSS-6), October 13, 2004,
   Toyama University, JAPAN.
   
   
5. H. Morikawa, T. Tanikawa, H. Okino, I. Matsuda, and S. Hasegawa:
   Role of impurities againist a CDW transition on a silicon surface,
   12th International Conference on Solid Films and Surfaces (ICSFS-12), June 22, 2004, Hamamatsu, JAPAN.
   
   
6. S. Yamazaki, I. Matsuda, H. Okino, H. Morikawa, and S. Hasegawa:
   Surface electron transport study of a glass-crystal transition of Au/Si(111),
   12th International Conference on Solid Films and Surfaces (ICSFS-12), June 22, 2004, Hamamatsu, JAPAN.
   
   
7. 守川春雲、谷川雄洋、沖野泰之、松田巌、長谷川修司：
   In/Si(111)-4×1⇔8×'2' 表面相転移に対する不純物の影響、
   日本物理学会第59回年次大会、2004年3月27日、九州大学（箱崎）.
   
   
8. 沖野泰之、保原麗、守川春雲、松田巌、長谷川修司：
   Au/Si(557)表面の電気伝導度の異方性I、
   日本物理学会第59回年次大会、2004年3月27日、九州大学（箱崎）.
   
   
9. 守川春雲，松田巌，長谷川修司
   室温〜極低温STM/STSによるGe(111)表面上Pb，Sn吸着系√3×√3→3×3相転移の電子状態研究
   日本物理学会2004秋季大会 領域９特別講演 2004年9月14日、青森大学
   
   
10. H. Morikawa, T. Tanikawa, I. Matsuda, S. Hasegawa:
    Direct observation of low dimensional instability at Low Temperature (Oral)
    7th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures (ACSIN-7), 2003年11月18日、奈良.
    
    
11. H. Morikawa, T. Tanikawa, I. Matsuda, S. Hasegawa:
    Low Temperature Property of the Si(111)-8×'2'-In CDW Surface (Poster),
    The 9th International Conference on the Formation of Semiconductor Interfaces (ICFSI-9), 2003/Sep/15-19 (Madrid, Spain).
    
    
12. H. Morikawa, T. Tanikawa, I. Matsuda, and S. Hasegawa:
    Role of defects in surface phase transitions,
    The 22nd European Conference on Surface Science (ECOSS22), 2003/Sep/7-12 (Praha, Czech Republic).
    
    
13. 小西満、松田巌、守川春雲、奥田太一、木下豊彦、長谷川修司：
    Si(111)-√21×√21(Ag+Na)の表面電子構造、
    日本表面科学会第２３回表面科学講演大会、2003年11月28日（早稲田大学、東京）
    
    
14. 長谷川修司、谷川雄洋、金川泰三、守川春雲、平原徹、上野将司、松田巌、：
    表面原子ステップでの電気抵抗、
    平成15年度東北大電気通信研究所プロジェクト研究会、ナノ成長場制御による構造と機能」　2003年10月17日、作並温泉、宮城.
    
    
15. 守川春雲，谷川雄洋，松田巌，長谷川修司:
    Si(111)-4x1-In系低温相転移のSTM観察、
    日本物理学会2003年秋季大会（岡山大）、2003年9月20-23日.
    
    
16. 松田巌、小西満、守川春雲、奥田太一、木下豊彦、長谷川修司:
    内殻光電子分光によるSi(111)-√21×√21-(Ag,Na)表面の研究、
    日本物理学会第５８回年次大会、2003/March/31、東北大学.
    
    
17. H. Morikawa, I. Matsuda, S. Hasegawa:
    STM Study of Phase Transitions on the Sn,Pb/Si(111) Surfaces,
    Dr. Rohrer's JSPS Award Workshop, (2002/March/5, Sendai).
    
    
18. 劉燦華、松田巌、守川春雲、長谷川修司：
    Research on the surface of Si(111)-√21×√21-(Ag+Cs)、
    日本表面科学会第２２回講演大会、2002年11月27日、早稲田大学.
    
    
19. 松田巌、守川春雲、劉燦華、大内暁、長谷川修司、奥田太一、木下豊彦、Guy Le Lay：
    Si(111)-√3×√3-Ag　における表面状態対称性の破れ、
    日本表面科学会第２２回講演大会、2002年11月27日、早稲田大学.
    
    
20. 守川春雲、松田巌、劉燦華、堀越孝太郎、長谷川修司：
    Si(111)-√3×√3-Ｓｎ，Ｐｂ　系の相転移と表面欠陥の関係、
    日本表面科学会第２２回講演大会、2002年11月27日、早稲田大学.
    
    
21. H. Morikawa, K. Horikoshi, and S. Hasegawa:
    STM Investigation of Sn,Pb/Si(111)-(3×3) Phase at RT and LT
    15th International Vacuum Congress/AVS 48th International Symposium/11th International Conference on Solid Surfaces, 2001年11月2日 (San Francisco, USA).
    
    
22. H. Morikawa, K. Horikoshi, and S. Hasegawa:
    STM study of(√3×√3)-Sn,Pb/Si(111) surface,
    57th Yamada Conference on Atomic-scale surface designing for fuctional low-dimensional materials, 2001年11月14日 (筑波).
    
    
23. H. Morikawa, I. Matsuda, S. Hasegawa:
    STM Study of Phase Transitions on the Sn,Pb/Si(111) Surfaces,
    The 9th International Colloquium on Scanning Probe Microscopy, 2001年12月7日（熱川）.
    
    
24. 守川春雲、堀越孝太郎、長谷川修司、
    室温及び低温におけるα-√3×√3-Sn,Pb/Si(111)表面のSTM観察
    日本物理学会第56回年次大会、2001年9月19日(徳島大学)