永村 直佳


永村　直佳 2009
私とおしゃべりしましょう。しゃべらナイト！

現所属

修士論文

  • 「シリコン結晶表面上の金属量子薄膜の電子状態と電子輸送特性」(2006年）

博士論文

  • 「Study of Transport Properties of Low-Dimensional Metallic Systems on Si Surfaces」 (2011年）
    (シリコン結晶表面上に形成される低次元金属系の電子輸送特性の解明)

投稿論文

  1. Naoka Nagamura, Iwao Matsuda, Nobuhiro Miyata, Toru Hirahara, Shuji Hasegawa, and Takashi Uchihashi, 
    Quasi-quantum-wire states in an epitaxial Ag film on a one-dimensional surface superstructure 
    Phys. Rev. Lett. 96, 256801 (2006) 

  2. Rei Hobara, Naoka Nagamura, Shuji Hasegawa, Iwao Matsuda, Yuko Yamamoto, Ken'ichi Ishikawa, and Toshihiko Nagamura, 
    Variable-Temperature Independently-Driven Four-Tip Scanning Tunneling Microscope 
    Review of Scientific Instruments 78, 053705 ( 2007) 

  3. Takahide Shibasaki, Naoka Nagamura, Toru Hirahara, Hiroyuki Okino, Shiro Yamazaki, Woosang Lee, Hyungjoon Shim, Rei Hobara, Iwao Matsuda, Geunseop Lee, and Shuji Hasegawa, 
    Phase Transition Temperatures Determined by Different Experimental Methods: Si(111)4x1-In Surface with Defects 
    Phys. Rev. B. 81, 035314 (2010) 

  4. T. Uetake, T. Hirahara, Y. Ueda, N. Nagamura, R. Hobara, and S. Hasegawa:
    Anisotropic conductivity of the Si(111)4×1-In surface: Transport mechanism determined by the temperature dependence
    Phys. Rev. B 86, 035325 (2012).

  5. N. Nagamura, R. Hobara, T. Uetake, T. Hirahara, M. Ogawa, T. Okuda, K. He, P. Moras, P. M. Sheverdyaeva, C. Carbone, K. Kobayashi, I. Matsuda, and S. Hasegawa:
    Anisotropic Electronic Conduction in Metal Nanofilms Grown on a One-Dimensional Surface Superstructure,
    Phys. Rev. B 89, 125415 (2014)

国際学会発表

  1. N. Nagamura, I.Matsuda, T.Uchihashi, T.Hirahara, N.Miyata, C.Ohbuchi, S.Hasegawa, 
    Quantum well states of ultra-thin Ag films prepared on one dimensional atomic array 
    The 4th International Symposium on Surface Science and Nanotechnology (ISSS-4) 
    2005年11月13日 Omiya, Japan
  2. S. Hasegawa, N. Nagamura, I.Matsuda, T.Uchihashi, T.Hirahara, N.Miyata, C.Ohbuchi, 
    Anisotropic quantum well states in ultra-thin Ag films prepared on one- dimensional atomic array 
    The 7th Russia-Japan Seminar on Semiconductor Surfaces(RJSSS-7) 
    2006年9月20日 
    Vladivostok, Russia

  3. N.Nagamura, I.Matsuda, T.Uchihashi, N.Miyata, T.Hirahara, and S.Hasegawa, 
    Quasi one dimensional quantized states of ultra-thin Ag films on one dimensional structure Si(111)4x1-In 
    The 10th ISSP International Symposium on Nanoscience at Surfaces(ISSP-10) 
    2006年10月12日 
    ISSP, Kashiwa, Japan

  4. N.Nagamura, I.Matsuda, T.Uchihashi, N.Miyata, T.Hirahara, and S.Hasegawa, 
    Quasi One-dimensional State of Ultra-thin Ag Films Prepared on One-dimensional Surface Superstructure 
    MRS(Material Research Society) Fall Meeting 
    2006年11月30日 
    Boston, USA

  5. N.Nagamura, I.Matsuda, T.Uchihashi, N.Miyata, T.Hirahara, K.Takase, Y.Kitaoka, Y.Niinuma, and S.Hasegawa, 
    Electric and Transport Properties of Quasi-one-dimentional Quantized States of Ultra-thin Ag Films on Si(111)4x1-In 
    JSPS-NSFC-KOSEF A3 Foresight Program "Sub-10nm Wires; New Physics and Chemistry" Kusatsu Seminor 2007 in Japan 
    2007年11月16日 
    Kusatsu, Japan

  6. N.Nagamura, and S.Hasegawa, 
    Quasi One-dimensional Metal Film Prepared on One-dimensional Surface Superstructure 〜ARPES and 4-tip STM measurement〜 
    JSPS 1st HOPE Meeting Nanoscience and Nanotechnology 
    2008年2月24-28日 
    Tsukuba, Japan

  7. N.Nagamura, T.Shibasakhi, H.Okino, S.Yamazaki, Y.H.Kim, T.Hirahara, I.Matsuda, R.Hobara, G.S.Lee, and S.Hasegawa, 
    Influence of defects on the phase transition of Si(111)4x1-In 
    JSPS-NSFC-KOSEF A3 Foresight Program "Sub-10nm Wires; New Physics and Chemistry" Spring School 2008 in Japan
    2008年5月28日 
    ISSP, Kashiwa, Japan

  8. N.Nagamura, T.Hirahara, T.Shibasakhi, H.Okino, S.Yamazaki, Y.H.Kim, R.Hobara, I.Matsuda, G.S.Lee, and S.Hasegawa, 
    Influence of defects on the phase transition of Si(111)4x1-In 
    The 8th Japan-Russia Seminar on Semiconductor Surfaces(JRSSS-8) 
    2008年10月20日 
    IMRAM, Tohoku University, Sendai, Japan
  9. N.Nagamura, T.Hirahara, T.Shibasakhi, H.Okino, S.Yamazaki, Y.H.Kim, R.Hobara, I.Matsuda, G.S.Lee, and S.Hasegawa, 
    Influence of defects on the phase transition of Si(111)4x1-In 
    The 5th International Symposium on Surface Science and Nanotechnology(ISSS-5) 
    2008年10月20日 
    Waseda University, Tokyo, Japan

  10. N.Nagamura, R.Hobara, T.Uetake, T.Hirahara, and S.Hasegawa, 
    Electronic and Transport Properties of Low-dimensional Systems Prepared on Si(111) Surfaces 
    The 3rd Yonsei-Tokyo Joint Symposium on Condensed Matter Physics 
    2010年2月12日 
    Yonsei University, Korea

  11. N.Nagamura, R.Hobara, T.Uetake, T.Hirahara, and S.Hasegawa, 
    Electronic and T    ransport Properties of Low-dimensional Systems Prepared on Si(111) Surfaces 
    The 2nd Nanyang Technological University-University of Tokyo Joint Workshop 
    2010年2月22日 
    University of Tokyo, Japan

国内学会発表

  1. 永村直佳, 松田巌, 内橋隆, 大渕千種, 箕輪雅章, 宮田伸弘, 平原徹, 長谷川修司, 
    Si(111)8×2-In上Ag薄膜の量子井戸状態の研究
    日本物理学会2005秋季大会 
    2005年9月21日 
    同志社大学

  2. 永村直佳, 松田巌, 内橋隆, 箕輪雅章, 宮田伸弘, 平原徹, 大渕千種, 長谷川修司, 
    Si(111)4x1-Inおよび7x7上Ag薄膜の量子井戸状態の研究
    第25回表面科学学術講演会 
    2005年11月17日 
    大宮

  3. 永村直佳, 松田巌, 内橋隆, 宮田伸弘, 平原徹, 長谷川修司, 
    Si(111)4×1-In表面上擬1次元的Ag薄膜の量子サイズ効果に関する研究II
    日本物理学会第61回年次大会 
    2006年3月30日 
    愛知大学、松山大学

  4. 永村直佳, 松田巌, 宮田伸弘, 平原徹, 内橋隆, 長谷川修司, 
    Si(111)4x1-In上Ag薄膜の擬1次元的量子状態の研究
    第26回表面科学学術講演会 
    2006年11月7日 
    大阪大学

  5. 芝崎剛豪, 沖野泰之, 山崎詩郎, Y.H.Kim, 永村直佳, 平原徹, 松田巌, G.S.Lee, 長谷川修司, 
    Si(111)4×1-In表面の相転移と欠陥の効果
    日本物理学会第63回年次大会 
    2008年3月24日 
    近畿大学

  6. 永村直佳, 芝崎剛豪, 沖野泰之, 山崎詩郎, Y.H.Kim, 平原徹, 松田巌, G.S.Lee, 長谷川修司, 
    Si(111)4×1-In表面の相転移と欠陥の効果II
    日本物理学会2008年度秋季大会 
    2008年9月22日 
    岩手大学

  7. 永村直佳, 長谷川修司, 
    シリコン表面で展開される低次元系の物理 
    グローバルCOE　第2回RA自主研究会 
    2009年7月2日 
    レイクランドホテルみずのさと(山梨)

  8. 永村直佳, 保原麗, 植竹智哉, 平原徹, 長谷川修司, 
    低温型独立駆動4探針STM装置の現状と表面の輸送特性測定 
    第29回表面科学学術講演会 
    2009年10月27日 
    タワーホール船堀(東京)

  9. 永村直佳, 保原麗, 植竹智哉, 平原徹, 長谷川修司, 
    低温型独立駆動4探針STMによるSi(111)4x1-In上Ag薄膜の輸送特性測定 
    日本物理学会第65回年次大会 
    2010年3月20日 
    岡山大学