長尾忠昭

現所属

  • 物質材料研究機構　ナノマテリアル研究所　主管研究員

投稿論文

  1. T. Nagao, J. T. Sadowski, M. Saito, S. Yaginuma, Y. Fujikawa, T. Kogure, T. Ohno, Y. Hasegawa, S. Hasegawa, and T. Sakurai:
    Nanofilm Allotrope and Phase Transformation of Ultrathin Bi Film on Si(111)-7×7,
    Physical Review Letters 93, 105501 (Sep, 2004).

  2. J. T. Sadowski, T. Nagao, M. Saito, A. Oreshkin, S. Yaginuma, S. Hasegawa, T. Ohno, and T. Sakurai,
    STM/STS Stduies of the Structural Phase Transition in the Growth of Ultra-Thin Bi Films on Si(111)
    ACTA PHYSICA POLONICA A 104, 381-387 (2003).

  3. T. Sekiguchi, T. Nagao, and S. Hasegawa:
    Transformation dynamics in Ca-induced reconstructions on Si(111) surface,
    e-Journal of Surface Science and Nanotechnology 1, 26-32 (2003).

  4. T. Inaoka, T. Nagao, S. Hasegawa, T. Hildebrandt, M. Henzler:
    Two-dimensional plasmon in a metallic monolayer on a semiconductor surface; exchange-correlation effects,
    Physical Review B 66, 245320 (2002).

  5. F. Shi, I. Shiraki, T. Nagao, and S. Hasegawa：
    Electromigration and phase transformation of Ag on a Cu-precovered Si(111) surface,
    Surface Science 493, 331-337 (2001).

  6. T. Sekiguchi, F. Shimokoshi, T. Nagao, and S. Hasegawa：
    A series of Ca-induced reconstructions on Si(111) surface,
    Surface Science 493, 148-156 (2001).

  7. S. V. Ryjkov, T. Nagao, V. G. Lifshits, and S. Hasegawa：
    Surface roughness and electrical resistance on Si(100)-2×3-Na surface,
    Surface Scie. 493, 619-625 (2001).

  8. T. Nagao, T. Hildebrandt, M. Henzler, S. Hasegawa：
    Two-dimensional plasmon in a surface-state band,
    Surface Sciece 493, 680-686 (2001)

  9. T. Tanikawa, T. Nagao, S. Hasegawa:
    Grwoth mode and electrical conductance of Ag layers on Si(001) surface,
    Surface Science 493, 389-398 (2001).

  10. T. Nagao, T. Hildebrandt, M. Henzler, and S. Hasegawa：
    Sheet plasma in a two-dimensional electron liquid in a surface-state band,
    Phys. Rev. Lett. 86 (Jun, 2001) 5747.

  11. X. Tong, S. Ohuchi, N. Sato, T. Tanikawa, T. Nagao, I. Matsuda, Y. Aoyagi, S. Hasegawa:
    Electronic structures of Ag-induced superstructures on Si(111) surface studied by angle-resolved photoemission spectroscopy and scanning tunneling microscopy,
    Physical Review B 64, 205316 (2001).

  12. S. V. Ryjkov, T. Nagao, V. G. Lifshits, S. Hasegawa：
    Phase transition and stability of Si(111)-8ד2”: In surface phase at low temperature,
    Surface Science 488, 15-22 (2001).

  13. I. Shiraki, F. Tanabe, R. Hobara, T. Nagao, S. Hasegawa：
    Independently driven four-tip probes for conductivity measurements in ultlahigh vacuum,
    Surface Science 493, 633-643 (2001).

  14. S. Hasegawa, K. Tsuchie, K. Toriyama, X. Tong, T. Nagao：
    Surface electronic transport on silicon: Donor- and acceptor-type adsorbates on Si(111)-√3×√3-Ag substrate,
    Applied Surface Science 162/163, 42-47 (July, 2000).

  15. F. X. Shi, I. Shiraki, T. Nagao, S. Hasegawa:
    Diffusion Anisotropy of Ag and In on Si(111) Surface Studied by UHV-SEM,
    Ultramicroscopy 85, 23-33 (Aug, 2000).

  16. F. X. Shi, I. Shiraki, T. Nagao, and S. Hasegawa:
    Substrate-structure dependence of Ag electromigration on Au-precovered Si(111) surfaces,
    Japanese Journal of Applied Physics 39, 4438-4442 (July, 2000).

  17. T. Nagao, T. Sekiguchi, and S. Hasegawa:
    Epitaxial growth of single-crystal　ultrathin film of Bi on the Si(111) surface,
    Japanese Journal of Applied Physics 39, 4567-4570 (July, 2000).

  18. T. Nagao and S. Hasegawa：
    Construction of an ELS-LEED : an electron energy-loss spectrometer with electrostatic two-dimensional angular scanning,
    Surface and Interface Analysis 30, 488-492 (Aug, 2000).

  19. I. Shiraki, T. Nagao, S. Hasegawa, C. L. Petersen, P. Boggild, T. M. Hansen, F. Grey：
    Micro-Four-Point Probes in a UHV-Scanning Electron Microscope for In-Situ Surface Conductivity Measurements,
    Surface Review and Letters 7 (Nos. 5&6) 533-537 (2000, Dec).

  20. 長谷川修司，佐藤昇男，長尾忠昭：
    シリコンの表面構造と電子輸送，
    固体物理 34 (2) (1999) 81-89.

  21. N. Sato，T. Nagao，S. Takeda，and S. Hasegawa：
    Electron standing waves on the Si(111)-√3×√3-Ag surface，
    Physical Review B 59 (1999) 2035-2039.

  22. T. Nagao，S. Ohuchi，Y. Matsuoka，and S. Hasegawa：
    Morphology of ultrathin manganese silicide on Si(111)，
    Surface Science 419 (1999) 134-143.

  23. S. Hasegawa，X. Tong，S. Takeda，N. Sato，and T. Nagao：
    Structures and electronic transport on silicon surfaces，
    Progress in Surface Science 60 (1999) 89-257.

  24. H. W. Yeom，S. Takeda，E. Rotenberg，I. Matsuda，K. Horikoshi，J. Schaefer，C. M. Lee，S. D. Kevan，T. Ohta，T. Nagao，and S. Hasegawa：
    Instability and charge density wave of metallic quantum chains on a silicon surface，
    Phys. Rev. Letters 82 (1999) 4898-4901.

  25. N. Sato，T. Nagao，and S. Hasegawa：
    Si(111)-√3×√3-Ag surface at low temperatures; Symmetry breaking and surface twin boundaries，
    Surface Science 422 (1999) 65-73.

  26. K. Tsuchie，T. Nagao，and S. Hasegawa：
    Structure of C60 layers on the Si(111)-√3×√3-Ag surface，
    Physical Review B 60 (1999) 11131-11134.

  27. N. Sato，T. Nagao，and S. Hasegawa：
    Two-dimensional adatom gas phase on the Si(111)-√3×√3-Ag surface directly observed by scanning tunneling microscopy，
    Physical Review B 60 (1999) 16083-16087.

  28. K. Horikoshi，T. Nagao，and S. Hasegawa：
    Structural phase transition on Pb-adsorbed Si(111) surface，
    Physcal Review B 60 (1999) 13287-13290.

  29. T. Nagao，C. Voges，H. Pfnuer，M. Henzler，S. Ino，and S. Hasegawa：
    Diffraction from small antiphase domains：α-√3×√3，β-√3×√3，6×6 phases of Au adsorbed Si(111)，
    Applied Surface Science 130-132 (1998) 47-53.

  30. S. Hasegawa，C.-S. Jiang，Y. Nakajima，T. Nagao，and X. Tong：
    Surface electrical conduction correlated with surface structures and atom dynamics，
    Surface Review and Letters 5 (3/4) (1998) 803-819.

  31. X. Tong，Y. Sugiura，T. Nagao，T. Takami，S. Takeda，S. Ino，and S. Hasegawa：
    STM observations of Ag adsorption on the Si(111)-√3×√3-Ag surface at low temperatures，
    Surface Science 408 (1-3) (1998) 146-159.

  32. T. Nagao，K. Tsuchie，S. Hasegawa，and S. Ino：
    Structural phase transitions of Si(111)-(√3×√3)R30°-Au：phase transitions in domain wall configurations，
    Physical Review B 57 (1998) 10100-10109.

  33. 長谷川修司，冬暁，中島雄二，姜春生，長尾忠昭：
    シリコン表面構造と表面電気伝導 (1) (2)，
    表面科学 19 (1998) 114-121，193-200.

  34. Y. Nakajima，S. Takeda，T. Nagao，S. Hasegawa，and X. Tong：
    Surface electrical conduction due to carrier doping into a surface-state band on Si(111)-√3×√3-Ag，
    Physical Review B 56 (1997) 6782-6787.

  35. S. Hasegawa，X. Tong，C.-S. Jiang，Y. Nakajima，and T. Nagao：
    Electrical conduction via surface-state band，
    Surface Science 386 (1997) 322-327.

  36. Y. Nakajima，C. Voges，T. Nagao，S.Hasegawa，G. Klos，and H. Pfnur：
    Critical scattering at the order-disorder phase transition of Si(111)-√3×√3R30°-Au surface：A phase transition with particle exchange，
    Physical Review B 55 (1997) 8129-8135.

学会発表

  1. I. Shiraki, C. L. Petersen, P. Boggild, T. M. Hansen, T. Nagao, F. Grey, and S. Hasegawa:
    Micro-four-point probes for surface-sensitive conductivity measurements,
    10th International Conference on Solid Films and Surfaces, 2000年7月12日（Princeton Univ., USA).

  2. T. Nagao, T. Hildebrandt, M. Henzler, and S. Hasegawa：
    Dispersion and Damping of a Two-dimensional Plasmon in a Surface-State Band,
    19th European Conference on the Surface Science (ECOSS19), 2000年9月5日(Madrid, Spain).

  3. T. Nagao, T. Hildebrandt, M. Henzler, and S. Hasegawa：
    Direct observation of two-dimensional plasmon in a metallic monolayer on silicon surface,
    25th International Conference on the Physics of Semiconductors (ICPS25), 2000年9月18日(Osaka).

  4. S. V. Ryjkov, V. G. Lifshits, T. Nagao, and S. Hasegawa:
    Structural and transport properties of Si(001)-2×3-Na surface,
    International Symposium on Surface and Interfaces: Properties of Different Symmetry Crossing,
    2000年10月18日（Nagoya）.

  5. T. Sekiguchi, T. Nagao, and S. Hasegawa:
    A series of Ca-induced reconstructions of the Si(111) surface,
    International Symposium on Surface and Interfaces: Properties of Different Symmetry Crossing,
    2000年10月18日（Nagoya).

  6. T. Nagao, S. Hasegawa, T. Hildebrandt, and M. Henzler:
    Two-dimensional plasma oscillation in a metallic surface-state band on a silicon surface,
    International Symposium on Surface and Interfaces: Properties of Different Symmetry Crossing,
    2000年10月18日（Nagoya）.

  7. F. X. Shi, I. Shiraki, T. Nagao, and S. Hasegawa:
    Surface electromigration and phase transformation of Ag and Cu on Si(111) surfaces modified by Au and Cu,
    International Symposium on Surface and Interfaces: Properties of Different Symmetry Crossing,
    2000年10月18日（Nagoya）.

  8. T. Nagao, and S. Hasegawa:
    Effects of interface modification by surface superstructures on the growth of Bi overlayers,
    International Symposium on Surface and Interfaces: Properties of Different Symmetry Crossing,
    2000年10月18日（Nagoya）.

  9. T. Tanikawa, I. Matsuda, T. Nagao, and S. Hasegawa:
    Growth mode and electrical conductance of Ag atomic layers on Si(001) surface,
    International Symposium on Surface and Interfaces: Properties of Different Symmetry Crossing,
    2000年10月18日（Nagoya）.

  10. I. Shiraki, F. Tanabe, T. Nagao, F. Grey, and S. Hasegawa:
    Surface conductivity measurements by micro- and nano-four-point probes,
    International Symposium on Surface and Interfaces: Properties of Different Symmetry Crossing,
    2000年10月18日（Nagoya）.

  11. T. Nagao, T. Hildebrandt, M. Henzler, and S. Hasegawa：
    Plasmon dispersion in a metallic surface-state band on a silicon surface ,
    The Fourth Japan-Russia Seminar on Semiconductor Surfaces, 2000年12月12日(Nagoya).

  12. S. V. Ryjkov, V. G. Lifshits, T. Nagao, and S. Hasegawa:
    Effects of surface structures on electrical resistance of silicon,
    The 4th Japan-Russia Seminar on Semiconductor Surfaces, 2000年11月13日（Nagoya）.

  13. I. Shiraki, F. Tanabe, R. Hobara, T. Nagao, and S. Hasegawa:
    Independently driven four-tip UHV-STM,
    The 8th International Colloquium on Scanning Probe Microscopy and Asian SPM-3, 2000年12月9日（Atagawa）.

  14. T. Nagao, T. Hildebrandt, M. Henzler, and S. Hasegawa:
    Observation of a Low-Dimensional Plasmon in a Metallic Surface-State Band on a Silicon Surface,
    The Symposium on Surface Science 2001年1月8日(Furano).

  15. T. Tanikawa, I. Matsuda, T. Nagao, and S. Hasegawa:
    Growth and conductivity of Ag layers on Si(001) surfaces,
    251st WE-Heraeus Seminar on 2D Conductivity in Surface States and Monolayers, 2001年3月5日（Bad Honnef, Germany）.

  16. S. Hasegawa, I. Shiraki, C. L. Petersen, F. Grey, T. M. Hansen, P. Boggild, T. Tanikawa, F. Tanabe, and T. Nagao:
    Microscopic four-point probes for surface conductivity measurements,
    251st WE-Heraeus Seminar on 2D Conductivity in Surface States and Monolayers, 2001年3月5日（Bad Honnef, Germany）.

  17. T. Nagao, H. Seki, and S. Hasegawa:
    Growth and conductivity of bismuth overlayers on Si(111) surfaces,
    251st WE-Heraeus Seminar on 2D Conductivity in Surface States and Monolayers,
    2001年3月5日（Bad Honnef, Germany）.

  18. I. Shiraki, F. Tanabe, R. Hobara, T. Nagao, and S. Hasegawa:
    Independently driven four-tip UHV-STM,
    251st WE-Heraeus Seminar on 2D Conductivity in Surface States and Monolayers, 2001年3月6日（Bad Honnef, Germany）.

  19. T. Nagao, and S. Hasegawa:
    Surface-state 2D plasmon,
    251st WE-Heraeus Seminar on 2D Conductivity in Surface States and Monolayers, 2001年3月6日（Bad Honnef, Germany）.

  20. S. V. Ryjkov, V. G. Lifshits, T. Nagao, and S. Hasegawa:
    Structural transformations on silicon: effect on electrical resistance,
    251st WE-Heraeus Seminar on 2D Conductivity in Surface States and Monolayers, 2001年3月7日（Bad Honnef, Germany）.

  21. S. Hasegawa, I. Shiraki, F. Tanabe, T. Nagao, and F. Grey:
    Conductivity measurements in micro- and nanometer-scale regions on surfaces,
    The 4th Japan-Russia Seminar on semiconductor Surfaces, 2000年11月13日（Nagoya）.

  22. 長尾忠昭、T. Hildebrandt、M. Henzler、長谷川修司：
    表面電子状態中のシートプラズモンにおける量子効果、
    日本物理学会 第５５回年次大会、2000年9月22日（新潟大学）.

  23. S. V. Ryjkov、長尾忠昭、V. Lifshits、長谷川修司：
    Epitaxial growth of Ag on Si(111)-4×1-In surface、
    日本物理学会 第５５回年次大会、2000年9月24日（新潟大学）.

  24. 金川泰三、長尾忠昭、谷川雄洋、長谷川修司：
    アルカリ金属原子吸着 Si(111)-√3×√3-Ag 表面の構造と電気伝導、
    日本物理学会 第５５回年次大会、2000年9月24日（新潟大学）.

  25. 長尾忠昭、長谷川修司：
    Bi 多重原子層成長における表面超構造を用いた界面改質の効果、
    日本物理学会第５５回年次大会、2000年9月24日（新潟大学）.

  26. 白木一郎、田邊輔仁、保原麗、長尾忠昭、長谷川修司：
    ４探針STMの開発とそれによる表面電気伝導の測定、
    科学技術振興事業団戦略的基礎研究「量子効果等の物理」第４回シンポジウム、2000年12月20日 (東京).

  27. 長谷川修司、大内暁、X. Tong、谷川雄洋、佐藤昇男、長尾忠昭:
    金属吸着シリコン表面の電子状態、
    物性研研究会シリーズ物性研究の展望「高輝度光源計画の現状と放射光利用研究の展望」、2000年12月27日（物性研）.

  28. 長尾忠昭：
    波数空間とエネルギー空間の高分解能化でナノ構造の物性を観る、
    日本板硝子材料工学助成会研究成果報告会、2001年1月18日（東京）.

  29. 白木一郎、田邊輔仁、保原麗、長尾忠昭、長谷川修司:
    独立駆動型４探針STMによる表面電気伝導の研究、
    文部省科学研究費補助金創成的基礎研究費「表面・界面-異なる対称性の接点の物性」
    平成12年度年度末研究報告会、2001年1月27日（東工大）.

  30. 田邊輔仁、白木一郎、保原麗、長尾忠昭、長谷川修司：
    独立駆動型四探針STM装置による表面電気伝導の測定、
    日本物理学会第５６回年次大会、2001年3月28日（中央大学）.

  31. 谷川雄洋、白木一郎、長尾忠昭、長谷川修司：
    マイクロ４端子法による電気伝導の測定、
    日本物理学会第５６回年次大会、2001年3月28日（中央大学）.

  32. T. Nagao and S. Hasegawa:
    Growth of single-crystal Bi layer on Si(111) surfafes,
    The 5th International Conference on Atomically Controlled Surfaces Interfaces and Nanostructures (ACSIN-5),
    1999年7月8日(Aix-en Provence, France).

  33. S. Takeda, H.-W. Yeom, N. Sato, T. Nagao and S. Hasegawa:
    Low temperature STM observation of Si(111)-8×2-In one-dimensional charge density waves,
    The 5th International Conference on Atomically Controlled Surfaces Interfaces and Nanostructures (ACSIN-5),
    1999年7月9日(Aix-en Provence, France).

  34. T. Nagao and S. Hasegawa:
    Development of a high-resolution electron energy loss spectrometer with two-dimensional angular scanning,
    9th International Conference of Production Engineerings (9t ICPE), 1999年8月31日(Osaka, Japan).

  35. T. Nagao and S. Hasegawa:
    Construction of an ELS-LEED: an electron energy loss spectrometer with electrostatic two-dimensional angular scanning,
    8th European Conference on Applications of Surface and Interface Analysis (ECASIA'99), 1999年10月8日 (Sevilla, Spain).

  36. T. Nagao, T. Sekiguchi, T. Doi and S. Hasegawa:
    Epitaxial growth of single-crystal ultrathin film of bismuth on Si(111) surfaces,
    International Symposium on Surface Science for Micro- and Nano-Device Fabrication (ISSS-3),
    1999年11月30日 (Tokyo, Japan).

  37. S. Hasegawa, F. Shi, I. Shiraki, and T. Nagao:
    Surface electromigration of Ag and In atoms on Au-induced superstructures on Si(111),
    International Symposium on Surface Science for Micro- and Nano-Device Fabrication (ISSS-3),
    1999年11月30日 (Tokyo, Japan).

  38. S. Hasegawa, N. Sato, T. Nagao, H. Aizawa, and M. Tsukada:
    Structure of Si(111)-√3×√3-Ag surface,
    International Symposium on Surface Science for Micro- and Nano-Device Fabrication (ISSS-3),
    1999年11月30日 (Tokyo, Japan).

  39. T. Nagao and S. Hasegawa:
    Growth and Electrodynamics of Surface-Superstructures and Epitaxial Nanofilms on Silicon Surfaces,
    International Simposium on Nanomscale Magnetism and Transport, 2000年3月10日 (Sendai, Japan).

  40. S. Ryjkov, T. Nagao, and S. Hasegawa:
    Epitaxial growth and resistance of Ag on Si(111)-4×1-In surfaces,
    The 3rd SANKEN International Symposium, 2000年3月15日（Osaka, Japan）.

  41. 長尾忠昭、長谷川修司:
    低速電子分光-電子回折によるシリコン表面の電子物性の研究、
    科学技術振興事業団戦略的基礎研究「量子効果等の物理現象領域 --人工ナノ構造の機能探索」青野グループ研究会、
    1999年8月27日(箱根).
  42. 白木一郎、長尾忠昭、長谷川修司:
    マイクロおよびナノ４端子プローブ法による局所表面電気伝導の研究、
    科学技術振興事業団戦略的基礎研究「量子効果等の物理現象領域 —人工ナノ構造の機能探索」青野グループ研究会、
    1999年8月27日(箱根).

  43. 長尾忠昭、長谷川修司:
    高分解２次元角度走査型電子エネルギー損失分光装置、
    第６６回応用物理学会学術講演会、1999年9月3日（甲南大学）.

  44. 長尾忠昭、T. Hildeblandt、M. Henzler、長谷川修司:
    表面電子バンド中に局在した（２次元？）プラズモン、
    日本物理学会秋の分科会，1999年9月25日（岩手大学).

  45. 白木一郎、田邊輔仁、 P. Bøggild、C. L. petersen、 F. Grey、長尾忠昭、長谷川修司:
    µ-4 probe 内UHV-SEM-SREM による表面電気伝導のその場観察、
    日本物理学会秋の分科会，1999年9月25日（岩手大学).

  46. 谷川雄洋、松田巌、長尾忠昭、長谷川修司：
    Si(001) 表面上の Ag 原子層のunwetting と電気伝導、
    日本物理学会秋の分科会、1999年9月26日 (岩手大学).

  47. 長谷川修司、淺沼伸彦、谷川雄洋、長尾忠昭:
    インジウムが吸着した Si(111)表面での低温相転移、
    日本物理学会秋の分科会，1999年9月26日（岩手大学).

  48. 関口武治、堀越孝太郎、長尾忠昭、H. W. Yeom、松田巌、大内暁、田辺輔仁、X. Tong、谷川雄洋、原沢あゆみ、木下豊彦、長谷川修司：
    Si(111)-3×2-Ca表面の電子状態、
    日本物理学会秋の分科会、1999年9月27日（岩手大学）.

  49. 長尾忠昭、長谷川修司:
    ELS-LEED 法による表面電子バンド中のプラズモンの分散測定、
    物性研究所研究会シリーズ「物性研究の展望 : 表面・人工物質における 科学のフロンティア —」
    1999年11月10日（東京大学）.

  50. 長尾忠昭、T. Hildeblandt、M. Henzler、長谷川修司:
    表面電子バンド中の低次元電子系のプラズモン分散関係、
    文部省科学研究費補助金創成的基礎研究費「表面・界面:異なる対称性の接点の物性」、
    第１班・第２班研究会、1999年11月20日（名古屋大学）.

  51. 長谷川修司、長尾忠昭、白木一郎、 C. L. Petersen、P. Bøggild、T. Hansen、F. Grey:
    局所表面電気伝導の測定 — マイクロ４端子プローブと４探針STM、
    科学技術振興事業団戦略的基礎研究「量子効果等の物理」第３回シンポジウム、1999年12月21日 (東京).

  52. 長谷川修司、長尾忠昭、白木一郎:
    マイクロおよびナノ４端子法による局所表面電気伝導の測定、
    文部省科学研究費補助金創成的基礎研究費「表面・界面: 異なる対称性の接点の物性」研究会、
    2000年1月28日 (東京工業大学).

  53. 長尾忠昭、T. Hildeblandt、M. Henzler、長谷川修司:
    Si(111)-4x1-In表面電子バンド中の擬一次元プラズモンとそのエネルギー分散関係、
    文部省科学研究費補助金創成的基礎研究費「表面・界面-異なる対称性の接点の物性」
    第３回ワークショップ「密度波転移などの表面量子物性」、2000年2月3日、東京大学.

  54. 堀越孝太郎、 H.-W. Yeom、関口武治、武田さくら、田邊輔仁、松田巌、長尾忠昭、長谷川修司:
    鉛吸着シリコン表面上での整合・不整合転移のSTMおよび光電子分光法による研究、
    日本物理学会春の年会、2000年3月22日(関西大学).

  55. 白木一郎、田邊輔仁、長尾忠昭、長谷川修司:
    独立駆動型４端子STMによる表面電気伝導の測定、
    日本物理学会春の年会、2000年3月23日(関西大学).

  56. 武田さくら、 M. Eichman、服部賢、大門寛、 H. Pfnuer、長尾忠昭、長谷川修司:
    SPA-LEED による Si(111)-4×1-In → 8×2 相転移の温度依存性の測定、
    日本物理学会春の年会、2000年3月23日(関西大学).

  57. 長尾忠昭、関口武治、長谷川修司:
    Si(111)表面上の単結晶 Bi 超薄膜の成長メカニズム、
    日本物理学会春の年会、2000年3月24日(関西大学).

  58. 大内暁、 X. Tong、谷川雄洋、松田巌、長尾忠昭、長谷川修司：
    Si(111)-√21×√21-Ag 表面の電子状態、
    日本物理学会春の年会、2000年3月24日(関西大学).

  59. 谷川雄洋、松田巌、長尾忠昭、長谷川修司：
    Si(001) 表面上の Ag 原子層のunwetting と電気伝導 II、
    日本物理学会春の年会、2000年3月24日 (関西大学).

  60. 田邊輔仁、白木一郎、長尾忠昭、長谷川修司:
    独立駆動型４端子STM装置の開発、
    日本物理学会春の年会、2000年3月24日(関西大学).

  61. 堀越孝太郎、 H.-W. Yeom、長尾忠昭、長谷川修司:
    Si(111)-√3×√3→3×3 相転移のSTMによる研究、
    日本物理学会春の年会、2000年3月24日(関西大学).

  62. T. Nagao, C. Voges, H. Pfnuer, M. Henzler, and S. Hasegawa:
    Phase Transitions in domain wall configurations: Phase transitions of Si(111)-√3×√3-Au and 6×6 phases,
    10th International Vacuum Conference on Solid Surfaces (ICSS-10) 1998年9月2日(バーミンガム, 英国).
  63. K. Horikoshi, X. Tong, N. Sato, T. Watari, T. Nagao, and S. Hasegawa:
    Structural phase transitions and electrical conductance of Pb adsorbed Si(111) surface,
    10th International Vacuum Conference on Solid Surfaces(ICSS-10) 1998年9月3日 (バーミンガム, 英国).

  64. T. Nagao, and S. Hasegawa:
    Construction of a high resolution electron energy loss spectrometer with two-dimensional angular scanning,
    International Symposium on Surface and Interfaces — Properties of Different Symmetry Crossing,
    1998年11月19日 (東工大、東京).

  65. 長尾忠昭:
    表面シリサイドのナノモルフォロジーと電気的・磁気的性質、
    文部省特定領域研究「微小領域の磁性と伝導」研究会、1998年7月7日（大阪).

  66. 武田さくら、Han Woong Yeom、松田巌、堀越孝太郎、登野健介、長尾忠昭、長谷川修司:
    In 吸着 Si(111) 表面の4×1←→8×2パイエルス構造相転移、
    日本物理学会秋の分科会、1998年9月25日（沖縄国際大学).

  67. 佐藤昇男、長尾忠昭、武田さくら、長谷川修司:
    Si(111)-√3×√3-Ag 表面上の電子定在波、
    日本物理学会秋の分科会、1998年9月25日（沖縄国際大学).

  68. F. X. Shi, 白木一郎、長尾忠昭、長谷川修司:
    Electromigration of Ag on Au covered Si(111) surface studied by μ-probe RHEED and SEM、
    日本物理学会秋の分科会、1998年9月27日（沖縄国際大学).

  69. 長尾忠昭、長谷川修司:
    ２次元角度走査型高分解電子エネルギー損失分光装置の開発、
    日本物理学会秋の分科会、1998年9月28日（沖縄国際大学).

  70. 堀越 孝太郎、武田さくら、松田巌、Han Woong Yeom、登野健介、長尾忠昭、長谷川修司:
    Pb吸着Si(111)表面上の整合ー不整合転移における電子状態の変化と電気伝導、
    日本物理学会秋の分科会、1998年9月28日（沖縄国際大学).

  71. S. Takeda, T. Nagao, S. Hasegawa:
    Surface morphology and conductance change of In on Si(111)-7×7 surface,
    The 4th International Symposium on Atomically Controlled Surfaces and Interfaces, 1997年10月28日(早稲田大学).

  72. K. Horikoshi, X. Tong, T. Nagao, S. Hasegawa:
    Structure and electrical conductance of Pb layers on Si(111) surface,
    The 4th International Symposium on Atomically Controlled Surfaces and Interfaces, 1997年10月28日 (早稲田大学).

  73. Y. Nakajima, X. Tong, S. Takeda, T. Nagao, and S. Hasegawa：
    Electrical conduction via a surface-state band due to carrier doping on Si(111)-√3×√3-Ag,
    The 4th International Symposium on Atomically Controlled Surfaces and Interfaces, 1996年10月30日（早稲田大学）.

  74. 白木一郎、鳥山啓之亮、長尾忠昭、長谷川修司:
    UHV-SEM/SREM によるSi(111)-√21×√21-(Ag+Au) の形成過程の観察、
    日本物理学会 秋の分科会、1997年10月7日(神戸大学).

  75. 長尾忠昭、長谷川修司:
    Si(111)表面の Mn；２次元シリサイドのモルフォロジー観察、
    日本物理学会秋の分科会、1997年10月7日 (神戸大学).

  76. 鳥山啓之亮、長尾忠昭、長谷川修司:
    Si(111)-√3×√3-Ag表面上のアルカリ金属による構造と電気伝導、
    日本物理学会 秋の分科会、1997年10月8日(神戸大学).

  77. 堀越孝太郎、Xiao Tong、長尾忠昭、長谷川修司:
    Pb吸着Si(111)表面に おける新構造と電気伝導、
    日本物理学会 秋の分科会、1997年10月8日 (神戸大学).

  78. 白木一郎、鳥山啓之亮、長尾忠昭、長谷川修司：
    SEM-SREM-RHEEDによるSi(111)-(Ag+Au)二元表面合金相の形成過程の観察、
    創成的基礎研究「表面・界面 —異なる対称性の接点の物性—」平成９年度第２回研究会、1997年10月25日（東京工業大学）．

  79. 武田さくら、長尾忠昭、長谷川修司：
    Si(111) 表面上でのインジウムの成長構造と電気伝導、
    創成的基礎研究「表面・界面 — 異なる対称性の接点の物性—」平成９年度第４回研究会1997年12月12日（箱根小涌園）.

  80. 佐藤昇男、長尾忠昭、武田さくら、長谷川修司：
    シリコン表面での電子定在波の観察、創成的基礎研究「表面・界面: 異なる対称性の接点の物性」
    平成９年度第５回研究会1998年1月30日（東京工業大学）.

  81. 堀越孝太郎、渡利泰山、佐藤昇男、長尾忠昭、長谷川修司:
    Pb吸着Si(111)表面におけるSTM観察と電気伝導測定、
    日本物理学会春の年会、1998年3月31日 (日本大学).

  82. 白木一郎、鳥山啓之亮、長尾忠昭、長谷川修司:
    UHV-SEM-SREM-RHEED-STMによるSi(111)-(Ag+Au) 二次元表面合金相の形成過程の観察、
    日本物理学会 春の年会、1998年3月31日(日本大学).

  83. 武田さくら、長尾忠昭、長谷川修司:
    In/Si(111)-7×7表面の形態と電気伝導の変化、
    日本物理学会春の年会、1998年4月1日(日本大学).

  84. 土江孝二、武田さくら、鳥山啓之亮、堀越孝太郎、長尾忠明、長谷川修司：
    Si(111)表面上におけるC60分子層の構造と電気伝導、
    日本物理学会春の年会1998年4月1日(日本大学).

  85. T. Nagao:
    Phase transitions of Au-adsorbed Si(111) surfaces,
    Japan-Germany Seminar on Mechanisms of Epitaxy and Properties of Coherent Thin Films, 1997年9月28日（日光）.

  86. K. Horikoshi, X. Tong, T. Nagao, S. Hasegawa:
    Structure and electrical conductance of Pb layers on Si(111) surface,
    Japan-Germany Seminar on Mechanisms of Epitaxy and Properties of Coherent Thin Films, 1997年9月29日（日光）.

  87. I. Shiraki、K. Toriyama、T. Nagao、S. Hasegawa:
    Observation of Si(111)-√21×√21-(Ag+Au) formation process by UHV-SEM/SREM、
    Japan-Germany Seminar on Mechanisms of Epitaxy and Properties of Coherent Thin Films, 1997年9月29日（日光）.

  88. N. Sato, S. Takeda, T. Nagao, and S. Hasegawa:
    Electron standing wave on silicon surfaces,
    Mini-Workshop on Theory of Scanning Tunneling Microscopy and NanoStructures, 1998年1月20日（東京大学）.

  89. 長谷川修司、Xiao Tong、姜春生、鳥山啓之亮、長尾忠昭：
    表面電子準位を介した電気伝導とエレクトロマイグレーションのその場SEM-SREM観察、
    創成的基礎研究「表面・界面: 異なる対称性の接点の物性 」平成８年度第１回研究会1996年8月7日（東京工業大学）.

  90. 中島雄二、長尾忠昭、Xiao Tong、武田さくら、長谷川修司：
    吸着原子による表面伝導バンドへのキャリア・ドーピング、
    創成的基礎研究「表面・界面: 異なる対称性の接点の物性:」平成８年度第２回研究会1997年2月1日（東京工業大学）.

  91. 長尾忠昭、土江孝二、長谷川修司、M. Henzler、高見知秀、井野正三：
    Au吸着Si(111)表面のドメイン構造、
    物理学会秋の分科会 1996年10月3日(山口大学）.

  92. 長谷川修司、鳥山啓之亮、中島雄二、長尾忠昭、井野正三：
    Si(111)表面上のAgの吸着・脱離過程のその場SEM-SREM観察、
    物理学会 秋の分科会、1996年10月3日（山口大学）.

  93. 武田さくら、長尾忠昭、長谷川修司、井野正三：
    In/Si(111)-√3×√3-Gaの表面構造と電気伝導、
    物理学会秋の分科会、1996年10月3日（山口大学）.

  94. 堀越 孝太郎、Tong Xiao,武田 さくら、長尾 忠昭、長谷川 修司：
    Cu/Si(111)-√3×√3-Ag表面における構造安定性と電気伝導、
    物理学会春の年会、1997年3月29日（名城大学）.

  95. 長尾忠昭、土江孝二、C. Voges, H. Pfnuer, 長谷川修司、M. Henzler、井野正三：
    Si(111)-(√3×√3)R30°-Auの構造相転移：分域境界が担う相転移、
    物理学会春の年会1997年3月29日(名城大学）.

  96. 松本高明、長尾忠昭、高見知秀、長谷川修司：
    Si(111)-5×2-Au構造の RHEED-STM による研究、
    物理学会春の年会 1997年３月29日（名城大学）.

  97. T. Nagao, C. Voges, H. Pfnuer, G. Klos, M. Henzler, S. Ino, and S. Hasegawa:
    Phase transitions of Au/Si(111);
    Workshop on Determination of Surface Morphology by High Resolution Diffraction 1996年10月26日(Wohldenberg, Germany).

  98. 中島雄二、小林暢子、植田正輝、長尾忠昭、長谷川修司、井野正三：
    RHEEDによるSi(111)-√3×√3-Au表面の秩序−無秩序相転移の研究、
    日本物理学会講演会、大阪府立大、1995年9月30日.

  99. 中島雄二、内田元、長尾忠昭、長谷川修司：
    核生成による表面電気伝導変化、
    日本物理学会講演会、金沢大、1996年4月3日.

  100. 長尾忠昭、長谷川修司、高見知秀、井野正三：
    Au吸着Si(111)表面の高温STM観察II、
    日本物理学会講演会、金沢大、1996年4月3日.
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