長尾忠昭
現所属
- 物質材料研究機構 ナノマテリアル研究所 主管研究員
投稿論文
- T. Nagao, J. T. Sadowski, M. Saito, S. Yaginuma, Y. Fujikawa, T. Kogure, T.
Ohno, Y. Hasegawa, S. Hasegawa, and T. Sakurai:
Nanofilm
Allotrope and Phase Transformation of Ultrathin Bi Film on
Si(111)-7×7,
Physical Review Letters 93, 105501 (Sep,
2004).
- J. T. Sadowski, T. Nagao, M. Saito, A. Oreshkin, S. Yaginuma, S. Hasegawa, T.
Ohno, and T. Sakurai,
STM/STS Stduies of the Structural Phase Transition
in the Growth of Ultra-Thin Bi Films on Si(111) ACTA PHYSICA POLONICA
A 104, 381-387 (2003).
- T. Sekiguchi, T. Nagao, and S. Hasegawa:
Transformation
dynamics in Ca-induced reconstructions on Si(111) surface,
e-Journal of Surface Science and Nanotechnology 1, 26-32 (2003).
- T. Inaoka, T. Nagao, S. Hasegawa, T. Hildebrandt, M. Henzler:
Two-dimensional plasmon in a metallic monolayer on a semiconductor
surface; exchange-correlation effects, Physical Review B
66, 245320 (2002).
- F. Shi, I. Shiraki, T. Nagao, and S. Hasegawa:
Electromigration and phase transformation of Ag on a Cu-precovered Si(111)
surface,
Surface Science 493, 331-337 (2001).
- T. Sekiguchi, F. Shimokoshi, T. Nagao, and S. Hasegawa:
A series of Ca-induced reconstructions on Si(111) surface,
Surface Science 493, 148-156 (2001).
- S. V. Ryjkov, T. Nagao, V. G. Lifshits, and S. Hasegawa:
Surface roughness and electrical resistance on Si(100)-2×3-Na surface,
Surface Scie. 493, 619-625 (2001).
- T. Nagao, T. Hildebrandt, M. Henzler, S. Hasegawa:
Two-dimensional plasmon in a surface-state band,
Surface Sciece 493, 680-686 (2001)
- T. Tanikawa, T. Nagao, S. Hasegawa:
Grwoth mode and electrical conductance of Ag layers on Si(001) surface,
Surface Science 493, 389-398 (2001).
- T. Nagao, T. Hildebrandt, M. Henzler, and S. Hasegawa:
Sheet plasma in a two-dimensional electron liquid in a surface-state band,
Phys. Rev. Lett. 86 (Jun, 2001) 5747.
- X. Tong, S. Ohuchi, N. Sato, T. Tanikawa, T. Nagao, I. Matsuda, Y. Aoyagi, S. Hasegawa:
Electronic structures of Ag-induced superstructures on Si(111) surface
studied by angle-resolved photoemission spectroscopy and scanning tunneling
microscopy,
Physical Review B 64, 205316 (2001).
- S. V. Ryjkov, T. Nagao, V. G. Lifshits, S. Hasegawa:
Phase transition and stability of Si(111)-8ד2”: In surface
phase at low temperature,
Surface Science 488, 15-22 (2001).
- I. Shiraki, F. Tanabe, R. Hobara, T. Nagao, S. Hasegawa:
Independently driven four-tip probes for conductivity measurements in ultlahigh vacuum,
Surface Science 493, 633-643 (2001).
- S. Hasegawa, K. Tsuchie, K. Toriyama, X. Tong, T. Nagao:
Surface electronic transport on silicon: Donor- and acceptor-type adsorbates
on Si(111)-√3×√3-Ag substrate,
Applied Surface Science 162/163, 42-47 (July, 2000).
- F. X. Shi, I. Shiraki, T. Nagao, S. Hasegawa:
Diffusion Anisotropy of Ag and In on Si(111) Surface Studied by UHV-SEM,
Ultramicroscopy 85, 23-33 (Aug, 2000).
- F. X. Shi, I. Shiraki, T. Nagao, and S. Hasegawa:
Substrate-structure dependence of Ag electromigration on Au-precovered Si(111) surfaces,
Japanese Journal of Applied Physics 39, 4438-4442 (July, 2000).
- T. Nagao, T. Sekiguchi, and S. Hasegawa:
Epitaxial growth of single-crystal ultrathin film of Bi on the Si(111)
surface,
Japanese Journal of Applied Physics 39, 4567-4570 (July, 2000).
- T. Nagao and S. Hasegawa:
Construction of an ELS-LEED : an electron energy-loss spectrometer with
electrostatic two-dimensional angular scanning,
Surface and Interface Analysis 30, 488-492 (Aug, 2000).
- I. Shiraki, T. Nagao, S. Hasegawa, C. L. Petersen, P. Boggild, T. M. Hansen,
F. Grey:
Micro-Four-Point Probes in a UHV-Scanning Electron Microscope for In-Situ Surface Conductivity Measurements,
Surface Review and Letters 7 (Nos. 5&6) 533-537 (2000, Dec).
- 長谷川修司,佐藤昇男,長尾忠昭:
シリコンの表面構造と電子輸送,
固体物理 34 (2) (1999) 81-89.
- N. Sato,T. Nagao,S. Takeda,and S. Hasegawa:
Electron standing waves on the Si(111)-√3×√3-Ag surface,
Physical Review B 59 (1999) 2035-2039.
- T. Nagao,S. Ohuchi,Y. Matsuoka,and S. Hasegawa:
Morphology of ultrathin manganese silicide on Si(111),
Surface Science 419 (1999) 134-143.
- S. Hasegawa,X. Tong,S. Takeda,N. Sato,and T. Nagao:
Structures and electronic transport on silicon surfaces,
Progress in Surface Science 60 (1999) 89-257.
- H. W. Yeom,S. Takeda,E. Rotenberg,I. Matsuda,K. Horikoshi,J. Schaefer,C. M. Lee,S. D. Kevan,T. Ohta,T. Nagao,and S. Hasegawa:
Instability and charge density wave of metallic quantum chains on a silicon
surface,
Phys. Rev. Letters 82 (1999) 4898-4901.
- N. Sato,T. Nagao,and S. Hasegawa:
Si(111)-√3×√3-Ag surface at low temperatures; Symmetry breaking and surface twin boundaries,
Surface Science 422 (1999) 65-73.
- K. Tsuchie,T. Nagao,and S. Hasegawa:
Structure of C60 layers on the Si(111)-√3×√3-Ag surface,
Physical Review B 60 (1999) 11131-11134.
- N. Sato,T. Nagao,and S. Hasegawa:
Two-dimensional adatom gas phase on the Si(111)-√3×√3-Ag
surface directly observed by scanning tunneling microscopy,
Physical Review B 60 (1999) 16083-16087.
- K. Horikoshi,T. Nagao,and S. Hasegawa:
Structural phase transition on Pb-adsorbed Si(111) surface,
Physcal Review B 60 (1999) 13287-13290.
- T. Nagao,C. Voges,H. Pfnuer,M. Henzler,S. Ino,and S. Hasegawa:
Diffraction from small antiphase domains:α-√3×√3,β-√3×√3,6×6
phases of Au adsorbed Si(111),
Applied Surface Science 130-132 (1998) 47-53.
- S. Hasegawa,C.-S. Jiang,Y. Nakajima,T. Nagao,and X. Tong:
Surface electrical conduction correlated with surface structures and atom
dynamics,
Surface Review and Letters 5 (3/4) (1998) 803-819.
- X. Tong,Y. Sugiura,T. Nagao,T. Takami,S. Takeda,S. Ino,and S. Hasegawa:
STM observations of Ag adsorption on the Si(111)-√3×√3-Ag surface at low temperatures,
Surface Science 408 (1-3) (1998) 146-159.
- T. Nagao,K. Tsuchie,S. Hasegawa,and S. Ino:
Structural phase transitions of Si(111)-(√3×√3)R30°-Au:phase
transitions in domain wall configurations,
Physical Review B 57 (1998) 10100-10109.
- 長谷川修司,冬暁,中島雄二,姜春生,長尾忠昭:
シリコン表面構造と表面電気伝導 (1) (2),
表面科学 19 (1998) 114-121,193-200.
- Y. Nakajima,S. Takeda,T. Nagao,S. Hasegawa,and X. Tong:
Surface electrical conduction due to carrier doping into a surface-state band on Si(111)-√3×√3-Ag,
Physical Review B 56 (1997) 6782-6787.
- S. Hasegawa,X. Tong,C.-S. Jiang,Y. Nakajima,and T. Nagao:
Electrical conduction via surface-state band,
Surface Science 386 (1997) 322-327.
- Y. Nakajima,C. Voges,T. Nagao,S.Hasegawa,G. Klos,and H. Pfnur:
Critical scattering at the order-disorder phase transition of Si(111)-√3×√3R30°-Au
surface:A phase transition with particle exchange,
Physical Review B 55 (1997) 8129-8135.
学会発表
- I. Shiraki, C. L. Petersen, P. Boggild, T. M. Hansen, T. Nagao, F. Grey, and S. Hasegawa:
Micro-four-point probes for surface-sensitive conductivity measurements,
10th International Conference on Solid Films and Surfaces, 2000年7月12日(Princeton
Univ., USA).
- T. Nagao, T. Hildebrandt, M. Henzler, and S. Hasegawa:
Dispersion and Damping of a Two-dimensional Plasmon in a Surface-State
Band,
19th European Conference on the Surface Science (ECOSS19), 2000年9月5日(Madrid,
Spain).
- T. Nagao, T. Hildebrandt, M. Henzler, and S. Hasegawa:
Direct observation of two-dimensional plasmon in a metallic monolayer on silicon surface,
25th International Conference on the Physics of Semiconductors (ICPS25), 2000年9月18日(Osaka).
- S. V. Ryjkov, V. G. Lifshits, T. Nagao, and S. Hasegawa:
Structural and transport properties of Si(001)-2×3-Na surface,
International Symposium on Surface and Interfaces: Properties of Different
Symmetry Crossing,
2000年10月18日(Nagoya).
- T. Sekiguchi, T. Nagao, and S. Hasegawa:
A series of Ca-induced reconstructions of the Si(111) surface,
International Symposium on Surface and Interfaces: Properties of Different
Symmetry Crossing,
2000年10月18日(Nagoya).
- T. Nagao, S. Hasegawa, T. Hildebrandt, and M. Henzler:
Two-dimensional plasma oscillation in a metallic surface-state band on a silicon surface,
International Symposium on Surface and Interfaces: Properties of Different Symmetry Crossing,
2000年10月18日(Nagoya).
- F. X. Shi, I. Shiraki, T. Nagao, and S. Hasegawa:
Surface electromigration and phase transformation of Ag and Cu on Si(111)
surfaces modified by Au and Cu,
International Symposium on Surface and Interfaces: Properties of Different
Symmetry Crossing,
2000年10月18日(Nagoya).
- T. Nagao, and S. Hasegawa:
Effects of interface modification by surface superstructures on the growth
of Bi overlayers,
International Symposium on Surface and Interfaces: Properties of Different
Symmetry Crossing,
2000年10月18日(Nagoya).
- T. Tanikawa, I. Matsuda, T. Nagao, and S. Hasegawa:
Growth mode and electrical conductance of Ag atomic layers on Si(001) surface,
International Symposium on Surface and Interfaces: Properties of Different Symmetry Crossing,
2000年10月18日(Nagoya).
- I. Shiraki, F. Tanabe, T. Nagao, F. Grey, and S. Hasegawa:
Surface conductivity measurements by micro- and nano-four-point probes,
International Symposium on Surface and Interfaces: Properties of Different
Symmetry Crossing,
2000年10月18日(Nagoya).
- T. Nagao, T. Hildebrandt, M. Henzler, and S. Hasegawa:
Plasmon dispersion in a metallic surface-state band on a silicon surface ,
The Fourth Japan-Russia Seminar on Semiconductor Surfaces, 2000年12月12日(Nagoya).
- S. V. Ryjkov, V. G. Lifshits, T. Nagao, and S. Hasegawa:
Effects of surface structures on electrical resistance of silicon,
The 4th Japan-Russia Seminar on Semiconductor Surfaces, 2000年11月13日(Nagoya).
- I. Shiraki, F. Tanabe, R. Hobara, T. Nagao, and S. Hasegawa:
Independently driven four-tip UHV-STM,
The 8th International Colloquium on Scanning Probe Microscopy and Asian
SPM-3, 2000年12月9日(Atagawa).
- T. Nagao, T. Hildebrandt, M. Henzler, and S. Hasegawa:
Observation of a Low-Dimensional Plasmon in a Metallic Surface-State Band on a Silicon Surface,
The Symposium on Surface Science 2001年1月8日(Furano).
- T. Tanikawa, I. Matsuda, T. Nagao, and S. Hasegawa:
Growth and conductivity of Ag layers on Si(001) surfaces,
251st WE-Heraeus Seminar on 2D Conductivity in Surface States and Monolayers,
2001年3月5日(Bad Honnef, Germany).
- S. Hasegawa, I. Shiraki, C. L. Petersen, F. Grey, T. M. Hansen, P. Boggild,
T. Tanikawa, F. Tanabe, and T. Nagao:
Microscopic four-point probes for surface conductivity measurements,
251st WE-Heraeus Seminar on 2D Conductivity in Surface States and Monolayers,
2001年3月5日(Bad Honnef, Germany).
- T. Nagao, H. Seki, and S. Hasegawa:
Growth and conductivity of bismuth overlayers on Si(111) surfaces,
251st WE-Heraeus Seminar on 2D Conductivity in Surface States and Monolayers,
2001年3月5日(Bad Honnef, Germany).
- I. Shiraki, F. Tanabe, R. Hobara, T. Nagao, and S. Hasegawa:
Independently driven four-tip UHV-STM,
251st WE-Heraeus Seminar on 2D Conductivity in Surface States and Monolayers,
2001年3月6日(Bad Honnef, Germany).
- T. Nagao, and S. Hasegawa:
Surface-state 2D plasmon,
251st WE-Heraeus Seminar on 2D Conductivity in Surface States and Monolayers, 2001年3月6日(Bad Honnef, Germany).
- S. V. Ryjkov, V. G. Lifshits, T. Nagao, and S. Hasegawa:
Structural transformations on silicon: effect on electrical resistance,
251st WE-Heraeus Seminar on 2D Conductivity in Surface States and Monolayers,
2001年3月7日(Bad Honnef, Germany).
- S. Hasegawa, I. Shiraki, F. Tanabe, T. Nagao, and F. Grey:
Conductivity measurements in micro- and nanometer-scale regions on surfaces,
The 4th Japan-Russia Seminar on semiconductor Surfaces, 2000年11月13日(Nagoya).
- 長尾忠昭、T. Hildebrandt、M. Henzler、長谷川修司:
表面電子状態中のシートプラズモンにおける量子効果、
日本物理学会 第55回年次大会、2000年9月22日(新潟大学).
- S. V. Ryjkov、長尾忠昭、V. Lifshits、長谷川修司:
Epitaxial growth of Ag on Si(111)-4×1-In surface、
日本物理学会 第55回年次大会、2000年9月24日(新潟大学).
- 金川泰三、長尾忠昭、谷川雄洋、長谷川修司:
アルカリ金属原子吸着 Si(111)-√3×√3-Ag 表面の構造と電気伝導、
日本物理学会 第55回年次大会、2000年9月24日(新潟大学).
- 長尾忠昭、長谷川修司:
Bi 多重原子層成長における表面超構造を用いた界面改質の効果、
日本物理学会第55回年次大会、2000年9月24日(新潟大学).
- 白木一郎、田邊輔仁、保原麗、長尾忠昭、長谷川修司:
4探針STMの開発とそれによる表面電気伝導の測定、
科学技術振興事業団戦略的基礎研究「量子効果等の物理」第4回シンポジウム、2000年12月20日
(東京).
- 長谷川修司、大内暁、X. Tong、谷川雄洋、佐藤昇男、長尾忠昭:
金属吸着シリコン表面の電子状態、
物性研研究会シリーズ物性研究の展望「高輝度光源計画の現状と放射光利用研究の展望」、2000年12月27日(物性研).
- 長尾忠昭:
波数空間とエネルギー空間の高分解能化でナノ構造の物性を観る、
日本板硝子材料工学助成会研究成果報告会、2001年1月18日(東京).
- 白木一郎、田邊輔仁、保原麗、長尾忠昭、長谷川修司:
独立駆動型4探針STMによる表面電気伝導の研究、
文部省科学研究費補助金創成的基礎研究費「表面・界面-異なる対称性の接点の物性」
平成12年度年度末研究報告会、2001年1月27日(東工大).
- 田邊輔仁、白木一郎、保原麗、長尾忠昭、長谷川修司:
独立駆動型四探針STM装置による表面電気伝導の測定、
日本物理学会第56回年次大会、2001年3月28日(中央大学).
- 谷川雄洋、白木一郎、長尾忠昭、長谷川修司:
マイクロ4端子法による電気伝導の測定、
日本物理学会第56回年次大会、2001年3月28日(中央大学).
- T. Nagao and S. Hasegawa:
Growth of single-crystal Bi layer on Si(111) surfafes,
The 5th International Conference on Atomically Controlled Surfaces Interfaces
and Nanostructures (ACSIN-5),
1999年7月8日(Aix-en Provence, France).
- S. Takeda, H.-W. Yeom, N. Sato, T. Nagao and S. Hasegawa:
Low temperature STM observation of Si(111)-8×2-In one-dimensional
charge density waves,
The 5th International Conference on Atomically Controlled Surfaces Interfaces and Nanostructures (ACSIN-5),
1999年7月9日(Aix-en Provence, France).
- T. Nagao and S. Hasegawa:
Development of a high-resolution electron energy loss spectrometer with
two-dimensional angular scanning,
9th International Conference of Production Engineerings (9t ICPE), 1999年8月31日(Osaka,
Japan).
- T. Nagao and S. Hasegawa:
Construction of an ELS-LEED: an electron energy loss spectrometer with
electrostatic two-dimensional angular scanning,
8th European Conference on Applications of Surface and Interface Analysis
(ECASIA'99), 1999年10月8日 (Sevilla, Spain).
- T. Nagao, T. Sekiguchi, T. Doi and S. Hasegawa:
Epitaxial growth of single-crystal ultrathin film of bismuth on Si(111) surfaces,
International Symposium on Surface Science for Micro- and Nano-Device Fabrication
(ISSS-3),
1999年11月30日 (Tokyo, Japan).
- S. Hasegawa, F. Shi, I. Shiraki, and T. Nagao:
Surface electromigration of Ag and In atoms on Au-induced superstructures
on Si(111),
International Symposium on Surface Science for Micro- and Nano-Device Fabrication (ISSS-3),
1999年11月30日 (Tokyo, Japan).
- S. Hasegawa, N. Sato, T. Nagao, H. Aizawa, and M. Tsukada:
Structure of Si(111)-√3×√3-Ag surface,
International Symposium on Surface Science for Micro- and Nano-Device Fabrication
(ISSS-3),
1999年11月30日 (Tokyo, Japan).
- T. Nagao and S. Hasegawa:
Growth and Electrodynamics of Surface-Superstructures and Epitaxial Nanofilms on Silicon Surfaces,
International Simposium on Nanomscale Magnetism and Transport, 2000年3月10日 (Sendai, Japan).
- S. Ryjkov, T. Nagao, and S. Hasegawa:
Epitaxial growth and resistance of Ag on Si(111)-4×1-In surfaces,
The 3rd SANKEN International Symposium, 2000年3月15日(Osaka, Japan).
- 長尾忠昭、長谷川修司:
低速電子分光-電子回折によるシリコン表面の電子物性の研究、
科学技術振興事業団戦略的基礎研究「量子効果等の物理現象領域 --人工ナノ構造の機能探索」青野グループ研究会、
1999年8月27日(箱根).
- 白木一郎、長尾忠昭、長谷川修司:
マイクロおよびナノ4端子プローブ法による局所表面電気伝導の研究、
科学技術振興事業団戦略的基礎研究「量子効果等の物理現象領域 —人工ナノ構造の機能探索」青野グループ研究会、
1999年8月27日(箱根).
- 長尾忠昭、長谷川修司:
高分解2次元角度走査型電子エネルギー損失分光装置、
第66回応用物理学会学術講演会、1999年9月3日(甲南大学).
- 長尾忠昭、T. Hildeblandt、M. Henzler、長谷川修司:
表面電子バンド中に局在した(2次元?)プラズモン、
日本物理学会秋の分科会,1999年9月25日(岩手大学).
- 白木一郎、田邊輔仁、 P. Bøggild、C. L. petersen、 F. Grey、長尾忠昭、長谷川修司:
µ-4 probe 内UHV-SEM-SREM による表面電気伝導のその場観察、
日本物理学会秋の分科会,1999年9月25日(岩手大学).
- 谷川雄洋、松田巌、長尾忠昭、長谷川修司:
Si(001) 表面上の Ag 原子層のunwetting と電気伝導、
日本物理学会秋の分科会、1999年9月26日 (岩手大学).
- 長谷川修司、淺沼伸彦、谷川雄洋、長尾忠昭:
インジウムが吸着した Si(111)表面での低温相転移、
日本物理学会秋の分科会,1999年9月26日(岩手大学).
- 関口武治、堀越孝太郎、長尾忠昭、H. W. Yeom、松田巌、大内暁、田辺輔仁、X. Tong、谷川雄洋、原沢あゆみ、木下豊彦、長谷川修司:
Si(111)-3×2-Ca表面の電子状態、
日本物理学会秋の分科会、1999年9月27日(岩手大学).
- 長尾忠昭、長谷川修司:
ELS-LEED 法による表面電子バンド中のプラズモンの分散測定、
物性研究所研究会シリーズ「物性研究の展望 : 表面・人工物質における 科学のフロンティア —」
1999年11月10日(東京大学).
- 長尾忠昭、T. Hildeblandt、M. Henzler、長谷川修司:
表面電子バンド中の低次元電子系のプラズモン分散関係、
文部省科学研究費補助金創成的基礎研究費「表面・界面:異なる対称性の接点の物性」、
第1班・第2班研究会、1999年11月20日(名古屋大学).
- 長谷川修司、長尾忠昭、白木一郎、 C. L. Petersen、P. Bøggild、T. Hansen、F. Grey:
局所表面電気伝導の測定 — マイクロ4端子プローブと4探針STM、
科学技術振興事業団戦略的基礎研究「量子効果等の物理」第3回シンポジウム、1999年12月21日
(東京).
- 長谷川修司、長尾忠昭、白木一郎:
マイクロおよびナノ4端子法による局所表面電気伝導の測定、
文部省科学研究費補助金創成的基礎研究費「表面・界面: 異なる対称性の接点の物性」研究会、
2000年1月28日 (東京工業大学).
- 長尾忠昭、T. Hildeblandt、M. Henzler、長谷川修司:
Si(111)-4x1-In表面電子バンド中の擬一次元プラズモンとそのエネルギー分散関係、
文部省科学研究費補助金創成的基礎研究費「表面・界面-異なる対称性の接点の物性」
第3回ワークショップ「密度波転移などの表面量子物性」、2000年2月3日、東京大学.
- 堀越孝太郎、 H.-W. Yeom、関口武治、武田さくら、田邊輔仁、松田巌、長尾忠昭、長谷川修司:
鉛吸着シリコン表面上での整合・不整合転移のSTMおよび光電子分光法による研究、
日本物理学会春の年会、2000年3月22日(関西大学).
- 白木一郎、田邊輔仁、長尾忠昭、長谷川修司:
独立駆動型4端子STMによる表面電気伝導の測定、
日本物理学会春の年会、2000年3月23日(関西大学).
- 武田さくら、 M. Eichman、服部賢、大門寛、 H. Pfnuer、長尾忠昭、長谷川修司:
SPA-LEED による Si(111)-4×1-In → 8×2 相転移の温度依存性の測定、
日本物理学会春の年会、2000年3月23日(関西大学).
- 長尾忠昭、関口武治、長谷川修司:
Si(111)表面上の単結晶 Bi 超薄膜の成長メカニズム、
日本物理学会春の年会、2000年3月24日(関西大学).
- 大内暁、 X. Tong、谷川雄洋、松田巌、長尾忠昭、長谷川修司:
Si(111)-√21×√21-Ag 表面の電子状態、
日本物理学会春の年会、2000年3月24日(関西大学).
- 谷川雄洋、松田巌、長尾忠昭、長谷川修司:
Si(001) 表面上の Ag 原子層のunwetting と電気伝導 II、
日本物理学会春の年会、2000年3月24日 (関西大学).
- 田邊輔仁、白木一郎、長尾忠昭、長谷川修司:
独立駆動型4端子STM装置の開発、
日本物理学会春の年会、2000年3月24日(関西大学).
- 堀越孝太郎、 H.-W. Yeom、長尾忠昭、長谷川修司:
Si(111)-√3×√3→3×3 相転移のSTMによる研究、
日本物理学会春の年会、2000年3月24日(関西大学).
- T. Nagao, C. Voges, H. Pfnuer, M. Henzler, and S. Hasegawa:
Phase Transitions in domain wall configurations: Phase transitions of Si(111)-√3×√3-Au
and 6×6 phases,
10th International Vacuum Conference on Solid Surfaces (ICSS-10) 1998年9月2日(バーミンガム,
英国).
- K. Horikoshi, X. Tong, N. Sato, T. Watari, T. Nagao, and S. Hasegawa:
Structural phase transitions and electrical conductance of Pb adsorbed
Si(111) surface,
10th International Vacuum Conference on Solid Surfaces(ICSS-10) 1998年9月3日
(バーミンガム, 英国).
- T. Nagao, and S. Hasegawa:
Construction of a high resolution electron energy loss spectrometer with
two-dimensional angular scanning,
International Symposium on Surface and Interfaces — Properties of
Different Symmetry Crossing,
1998年11月19日 (東工大、東京).
- 長尾忠昭:
表面シリサイドのナノモルフォロジーと電気的・磁気的性質、
文部省特定領域研究「微小領域の磁性と伝導」研究会、1998年7月7日(大阪).
- 武田さくら、Han Woong Yeom、松田巌、堀越孝太郎、登野健介、長尾忠昭、長谷川修司:
In 吸着 Si(111) 表面の4×1←→8×2パイエルス構造相転移、
日本物理学会秋の分科会、1998年9月25日(沖縄国際大学).
- 佐藤昇男、長尾忠昭、武田さくら、長谷川修司:
Si(111)-√3×√3-Ag 表面上の電子定在波、
日本物理学会秋の分科会、1998年9月25日(沖縄国際大学).
- F. X. Shi, 白木一郎、長尾忠昭、長谷川修司:
Electromigration of Ag on Au covered Si(111) surface studied by μ-probe
RHEED and SEM、
日本物理学会秋の分科会、1998年9月27日(沖縄国際大学).
- 長尾忠昭、長谷川修司:
2次元角度走査型高分解電子エネルギー損失分光装置の開発、
日本物理学会秋の分科会、1998年9月28日(沖縄国際大学).
- 堀越 孝太郎、武田さくら、松田巌、Han Woong Yeom、登野健介、長尾忠昭、長谷川修司:
Pb吸着Si(111)表面上の整合ー不整合転移における電子状態の変化と電気伝導、
日本物理学会秋の分科会、1998年9月28日(沖縄国際大学).
- S. Takeda, T. Nagao, S. Hasegawa:
Surface morphology and conductance change of In on Si(111)-7×7 surface,
The 4th International Symposium on Atomically Controlled Surfaces and Interfaces,
1997年10月28日(早稲田大学).
- K. Horikoshi, X. Tong, T. Nagao, S. Hasegawa:
Structure and electrical conductance of Pb layers on Si(111) surface,
The 4th International Symposium on Atomically Controlled Surfaces and Interfaces, 1997年10月28日 (早稲田大学).
- Y. Nakajima, X. Tong, S. Takeda, T. Nagao, and S. Hasegawa:
Electrical conduction via a surface-state band due to carrier doping on
Si(111)-√3×√3-Ag,
The 4th International Symposium on Atomically Controlled Surfaces and Interfaces,
1996年10月30日(早稲田大学).
- 白木一郎、鳥山啓之亮、長尾忠昭、長谷川修司:
UHV-SEM/SREM によるSi(111)-√21×√21-(Ag+Au) の形成過程の観察、
日本物理学会 秋の分科会、1997年10月7日(神戸大学).
- 長尾忠昭、長谷川修司:
Si(111)表面の Mn;2次元シリサイドのモルフォロジー観察、
日本物理学会秋の分科会、1997年10月7日 (神戸大学).
- 鳥山啓之亮、長尾忠昭、長谷川修司:
Si(111)-√3×√3-Ag表面上のアルカリ金属による構造と電気伝導、
日本物理学会 秋の分科会、1997年10月8日(神戸大学).
- 堀越孝太郎、Xiao Tong、長尾忠昭、長谷川修司:
Pb吸着Si(111)表面に おける新構造と電気伝導、
日本物理学会 秋の分科会、1997年10月8日 (神戸大学).
- 白木一郎、鳥山啓之亮、長尾忠昭、長谷川修司:
SEM-SREM-RHEEDによるSi(111)-(Ag+Au)二元表面合金相の形成過程の観察、
創成的基礎研究「表面・界面 —異なる対称性の接点の物性—」平成9年度第2回研究会、1997年10月25日(東京工業大学).
- 武田さくら、長尾忠昭、長谷川修司:
Si(111) 表面上でのインジウムの成長構造と電気伝導、
創成的基礎研究「表面・界面 — 異なる対称性の接点の物性—」平成9年度第4回研究会1997年12月12日(箱根小涌園).
- 佐藤昇男、長尾忠昭、武田さくら、長谷川修司:
シリコン表面での電子定在波の観察、創成的基礎研究「表面・界面: 異なる対称性の接点の物性」
平成9年度第5回研究会1998年1月30日(東京工業大学).
- 堀越孝太郎、渡利泰山、佐藤昇男、長尾忠昭、長谷川修司:
Pb吸着Si(111)表面におけるSTM観察と電気伝導測定、
日本物理学会春の年会、1998年3月31日 (日本大学).
- 白木一郎、鳥山啓之亮、長尾忠昭、長谷川修司:
UHV-SEM-SREM-RHEED-STMによるSi(111)-(Ag+Au) 二次元表面合金相の形成過程の観察、
日本物理学会 春の年会、1998年3月31日(日本大学).
- 武田さくら、長尾忠昭、長谷川修司:
In/Si(111)-7×7表面の形態と電気伝導の変化、
日本物理学会春の年会、1998年4月1日(日本大学).
- 土江孝二、武田さくら、鳥山啓之亮、堀越孝太郎、長尾忠明、長谷川修司:
Si(111)表面上におけるC60分子層の構造と電気伝導、
日本物理学会春の年会1998年4月1日(日本大学).
- T. Nagao:
Phase transitions of Au-adsorbed Si(111) surfaces,
Japan-Germany Seminar on Mechanisms of Epitaxy and Properties of Coherent Thin Films, 1997年9月28日(日光).
- K. Horikoshi, X. Tong, T. Nagao, S. Hasegawa:
Structure and electrical conductance of Pb layers on Si(111) surface,
Japan-Germany Seminar on Mechanisms of Epitaxy and Properties of Coherent
Thin Films, 1997年9月29日(日光).
- I. Shiraki、K. Toriyama、T. Nagao、S. Hasegawa:
Observation of Si(111)-√21×√21-(Ag+Au) formation process
by UHV-SEM/SREM、
Japan-Germany Seminar on Mechanisms of Epitaxy and Properties of Coherent
Thin Films, 1997年9月29日(日光).
- N. Sato, S. Takeda, T. Nagao, and S. Hasegawa:
Electron standing wave on silicon surfaces,
Mini-Workshop on Theory of Scanning Tunneling Microscopy and NanoStructures, 1998年1月20日(東京大学).
- 長谷川修司、Xiao Tong、姜春生、鳥山啓之亮、長尾忠昭:
表面電子準位を介した電気伝導とエレクトロマイグレーションのその場SEM-SREM観察、
創成的基礎研究「表面・界面: 異なる対称性の接点の物性 」平成8年度第1回研究会1996年8月7日(東京工業大学).
- 中島雄二、長尾忠昭、Xiao Tong、武田さくら、長谷川修司:
吸着原子による表面伝導バンドへのキャリア・ドーピング、
創成的基礎研究「表面・界面: 異なる対称性の接点の物性:」平成8年度第2回研究会1997年2月1日(東京工業大学).
- 長尾忠昭、土江孝二、長谷川修司、M. Henzler、高見知秀、井野正三:
Au吸着Si(111)表面のドメイン構造、
物理学会秋の分科会 1996年10月3日(山口大学).
- 長谷川修司、鳥山啓之亮、中島雄二、長尾忠昭、井野正三:
Si(111)表面上のAgの吸着・脱離過程のその場SEM-SREM観察、
物理学会 秋の分科会、1996年10月3日(山口大学).
- 武田さくら、長尾忠昭、長谷川修司、井野正三:
In/Si(111)-√3×√3-Gaの表面構造と電気伝導、
物理学会秋の分科会、1996年10月3日(山口大学).
- 堀越 孝太郎、Tong Xiao,武田 さくら、長尾 忠昭、長谷川 修司:
Cu/Si(111)-√3×√3-Ag表面における構造安定性と電気伝導、
物理学会春の年会、1997年3月29日(名城大学).
- 長尾忠昭、土江孝二、C. Voges, H. Pfnuer, 長谷川修司、M. Henzler、井野正三:
Si(111)-(√3×√3)R30°-Auの構造相転移:分域境界が担う相転移、
物理学会春の年会1997年3月29日(名城大学).
- 松本高明、長尾忠昭、高見知秀、長谷川修司:
Si(111)-5×2-Au構造の RHEED-STM による研究、
物理学会春の年会 1997年3月29日(名城大学).
- T. Nagao, C. Voges, H. Pfnuer, G. Klos, M. Henzler, S. Ino, and S. Hasegawa:
Phase transitions of Au/Si(111);
Workshop on Determination of Surface Morphology by High Resolution Diffraction
1996年10月26日(Wohldenberg, Germany).
- 中島雄二、小林暢子、植田正輝、長尾忠昭、長谷川修司、井野正三:
RHEEDによるSi(111)-√3×√3-Au表面の秩序−無秩序相転移の研究、
日本物理学会講演会、大阪府立大、1995年9月30日.
- 中島雄二、内田元、長尾忠昭、長谷川修司:
核生成による表面電気伝導変化、
日本物理学会講演会、金沢大、1996年4月3日.
- 長尾忠昭、長谷川修司、高見知秀、井野正三:
Au吸着Si(111)表面の高温STM観察II、
日本物理学会講演会、金沢大、1996年4月3日.
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