中島雄二

現所属

• キャノン��

修士論文

• 「Studies on Surface Electrical Conductivity and Structural Phase Transitions on Si(111) Surfaces」

投稿論文

1. Y. Nakajima，G. Uchida，T. Nagao，and S. Hasegawa：Two-dimensional adatom gas on the Si(111)-√3×√3-Ag surface detected through changes in electrical conduction，Physical Review B 54，14134-14138 (1996).
2. Y. Nakajima，C. Voges，T. Nagao，S.Hasegawa，G. Klos，and H. Pfnur：Critical scattering at the order-disorder phase transition of Si(111)-√3×√3R30°-Au surface: A phase transition with particle exchange，Physical Review B 55，8129-8135 (1997).
3. S. Hasegawa，X. Tong，C.-S. Jiang，Y. Nakajima，and T. Nagao：Electrical conduction via surface-state band，Surface Science 386，322-327 (1997).
4. S. Hasegawa，C.-S. Jiang，X. Tong，and Y. Nakajima：Electrical functional properties of surface superstructures on semiconductors，Advances in Colloid and Interface Science 71/72，125-145 (1997).
5. Y. Nakajima，S. Takeda，T. Nagao，S. Hasegawa，and X. Tong：Surface electrical conduction due to carrier doping into a surface-sta te band on Si(111)-√3×√3-Ag，Physical Review B 56，6782-6787 (1997).
6. S. Hasegawa，C.-S. Jiang，Y. Nakajima，T. Nagao，and X. Tong：Surface electrical conduction correlated with surface structures and atom dynamics，Surface Review and Letters 5，803-819 (1998).
7. S. Hasegawa，Y. Nakajima，X. Tong，and T. Nagao：Surface atom dynamics and surface electrical conduction，Proc. 2nd Topical Meeting on Structural Dynamics of Epitaxy and Quantum Mechanical Approach，75-79，Kobe，Jan. 1997.
8. S. Hasegawa，X. Tong，C.-S. Jiang，Y. Nakajima，and T. Nagao：Electrical conduction via surface-state band，Proceedings of the Tenth TOYOTA Conference on Atomic，Molecular and Electronic Dynamic Processes on Solid Surfaces，eds M. Aono and M. Kawai，(Elsevier，1997) pp. 322-327.
9. S. Hasegawa，X. Tong，C-.S. Jiang，Y. Nakajima，T. Nagao：Two-dimensional electron systems made of surface-state bands on semiconductors，The Electron (Proceedings of the International Centennial Symposium on the Electron)，eds. A. Kirkland and P. Brown，(IOM Comm. 1998) pp. 363-375.
10. 長谷川修司，冬暁，中島雄二，姜春生，長尾忠昭：シリコン表面構造と表面電気伝導 (1) (2)，表面科学 19，114-121，193-200 (1998).

学会発表

1. 中島雄二，長尾忠昭，Xiao Tong，武田さくら，長谷川修司：吸着原子による表面伝導バンドへのキャリア・ドーピング，創成的基礎研究「表面・界面 − 異なる対称性の接点の物性 −」，平成８年度第２回研究会，1997年2月1日（東京工業大学）.
2. 長谷川修司，鳥山啓之亮，中島雄二，長尾忠昭，井野正三：Si(111)表面上のAgの吸着・脱離過程のその場SEM-SREM観察，物理学会秋の分科会，1996年10月3日（山口大学）.
3. X. Tong，Y. Nakajima，C.-S. Jiang，and S. Hasegawa：Electrical conduction through the surface-state band on silicon，The 10th TOYOTA Conference on Atomic，Molecular，and Electronic Dynamic Processes on Solid Surfaces，1996年11月6日（浜松）.
4. 中島雄二，小林暢子，植田正輝，長尾忠昭，長谷川修司，井野正三：RHEEDによるSi(111)-√3×√3-Au表面の秩序 − 無秩序相転移の研究，日本物理学会講演会，1995年9月30日（大阪府立大学）.
5. 中島雄二，内田元，長尾忠昭，長谷川修司：核生成による表面電気伝導変化，日本物理学会講演会，1996年4月3日（金沢大学）.