中山 泰生
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Yasuo NAKAYAMA |
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PD |
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化学から来ました。ホルン吹きます。ホラはふきません。 |
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在籍 2005/April/1〜2007/March/31
(独)科学技術振興機構 戦略的基礎研究 市川プロジェクト研究員
現所属
投稿論文
- Yasuo Nakayama, Shiro Yamazaki, Hiroyuki Okino, Toru Hirahara, Iwao Matsuda,
Shuji Hasegawa, and Masakazu Ichikawa:
Electrical conduction on Ge nanodot arrays formed on an oxidized Si surface,
to be submitted.
- Yasuo Nakayama, Iwao Matsuda, Shuji Hasegawa, and Masakazu Ichikawa:
Quantum regulation of Ge nanodot state by controlling barrier of the interface
layer
Applied Physics Letters 88, 253102 (June, 2006).
- 中山泰生,松田巌,長谷川修司,市川昌和:
極薄Si酸化物上Geナノドットの界面構造と閉じ込めポテンシャル
表面科学 27 (2), 523-529 (September, 2006).
学会発表
- 中山泰生,山崎詩郎,吉本信也、保原麗、沖野泰之、平原徹、松田巌,長谷川修司、市川昌和:
極薄Si酸化膜上Geナノドットの伝導機構の研究
日本物理学会2007年春季大会, , 2007年3月18-21日、鹿児島大.
- Y. Nakayama, I. Matsuda, S. Yamazaki, S. Hasegawa, and M. Ichikawa:
Electric conductivity of Ge nanodot array on an oxidized Si surface,
The 10th ISSP International Symposium on Nanoscience at Surfaces, 2006年10月12日、柏
(Japan).
- Y. Nakayama, I. Matsuda, S. Yamazaki, S. Hasegawa, and M. Ichikawa:
Electronic Structure and Electric Conductivity of Ge Nanodots with Controlling
Barrier,
The 24th European Conference on Surface Science, 2006年9月6日、Paris, France.
- 中山泰生,松田 巌,山崎詩郎,長谷川修司,市川昌和:
極薄Si酸化膜上Geナノドットの閉じ込めポテンシャル高さに依存した電気伝導特性
2006年秋季 第67回応用物理学会学術講演会, 2006年8月31日、立命館大.
- 中山 泰生, 松田 巌, 山崎 詩郎, 長谷川 修司, 市川 昌和:
極薄Si酸化膜上のGeナノドットの電気伝導特性
第26回表面科学講演大会 2006年11月7日、大阪大.
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