中山　泰生

			Yasuo NAKAYAMA		PD
			化学から来ました。ホルン吹きます。ホラはふきません。

在籍　　　　 2005/April/1〜2007/March/31

　　　　　　　（独）科学技術振興機構 戦略的基礎研究 市川プロジェクト研究員
現所属

• 千葉大学　先進科学研究教育センター　助教

投稿論文

1. Yasuo Nakayama, Shiro Yamazaki, Hiroyuki Okino, Toru Hirahara, Iwao Matsuda, Shuji Hasegawa, and Masakazu Ichikawa:
   Electrical conduction on Ge nanodot arrays formed on an oxidized Si surface,
   to be submitted.
   
   
2. Yasuo Nakayama, Iwao Matsuda, Shuji Hasegawa, and Masakazu Ichikawa:
   Quantum regulation of Ge nanodot state by controlling barrier of the interface layer
   Applied Physics Letters 88, 253102 (June, 2006).
   
   
3. 中山泰生，松田巌，長谷川修司，市川昌和:
   極薄Si酸化物上Geナノドットの界面構造と閉じ込めポテンシャル
   表面科学　27 (2), 523-529 (September, 2006).
   
   

学会発表

1. 中山泰生，山崎詩郎，吉本信也、保原麗、沖野泰之、平原徹、松田巌，長谷川修司、市川昌和:
   極薄Si酸化膜上Geナノドットの伝導機構の研究
   日本物理学会2007年春季大会, , 2007年3月18-21日、鹿児島大.
   
   
2. Y. Nakayama, I. Matsuda, S. Yamazaki, S. Hasegawa, and M. Ichikawa:
   Electric conductivity of Ge nanodot array on an oxidized Si surface,
   The 10th ISSP International Symposium on Nanoscience at Surfaces, 2006年10月12日、柏 (Japan).
   
   
3. Y. Nakayama, I. Matsuda, S. Yamazaki, S. Hasegawa, and M. Ichikawa:
   Electronic Structure and Electric Conductivity of Ge Nanodots with Controlling Barrier,
   The 24th European Conference on Surface Science, 2006年9月6日、Paris, France.
   
   
4. 中山泰生，松田　巌，山崎詩郎，長谷川修司，市川昌和：
   極薄Si酸化膜上Geナノドットの閉じ込めポテンシャル高さに依存した電気伝導特性
   2006年秋季 第67回応用物理学会学術講演会, 2006年8月31日、立命館大.
   
   
5. 中山 泰生, 松田 巌, 山崎 詩郎, 長谷川 修司, 市川 昌和:
   極薄Si酸化膜上のGeナノドットの電気伝導特性
   第26回表面科学講演大会 2006年11月7日、大阪大.