武田さくら

現所属

• 奈良先端大学大学院物質創成科学研究科　助教

博士論文

• 「シリコン表面上のインジウム吸着構造と表面電気伝導の研究」

投稿論文

1. Y. Nakajima，S. Takeda，T. Nagao，S. Hasegawa，and X. Tong：Surface electrical conduction due to carrier doping into a surface-state band on Si(111)-√3×√3-Ag，Physical Review B 56，6782-6787 (1997).
2. S. Takeda，X. Tong，S. Ino，and S. Hasegawa：Structure-dependent electrical conductance through indium atomic layers on Si(111) surface，Surface Science 415，264-273 (1998).
3. X. Tong，Y. Sugiura，T. Nagao，T. Takami，S. Takeda，S. Ino，and S. Hasegawa：STM observations of Ag adsorption on the Si(111)-√3×√3-Ag surface at low temperatures，Surface Science 408，146-159 (1998).
4. N. Sato，T. Nagao，S. Takeda，and S. Hasegawa：Electron standing waves on the Si(111)-√3×√3-Ag surface，Physical Review B 59 (1999) 2035-2039.
5. S. Hasegawa，X. Tong，S. Takeda，N. Sato，and T. Nagao：Structures and electronic transport on silicon surfaces Progress in Surface Science 60，89-257 (1999).
6. H. W. Yeom，S. Takeda，E. Rotenberg，I. Matsuda，K. Horikoshi，J. Schaefer，C. M. Lee，S. D. Kevan，T. Ohta，T. Nagao，and S. Hasegawa：Instability and charge density wave of metallic quantum chains on a silicon surface，Physical Review Letters 82，4898-4901 (1999).

学会発表

1. 武田さくら，Han Woong Yeom，松田巌，堀越孝太郎，登野健介，長尾忠昭，長谷川修司：In吸着Si(111)表面の4×1←→8×2パイエルス構造相転移，日本物理学会秋の分科会，1998年9月25日（沖縄国際大学）.
2. 佐藤昇男，長尾忠昭，武田さくら，長谷川修司：Si(111)-√3×√3-Ag表面上の電子定在波，日本物理学会秋の分科会，1998年9月25日（沖縄国際大学）.
3. 堀越孝太郎，武田さくら，松田巌，Han Woong Yeom，登野健介，長尾忠昭，長谷川修司：Pb吸着Si(111)表面上の整合-不整合転移における電子状態の変化と電気伝導，日本物理学会秋の分科会，1998年9月28日（沖縄国際大学）.
4. 長谷川修司，武田さくら，H. W. Yeom：シリコン表面の低温物性，東北大学電気通信研究所共同プロジェクト研究会，1998年10月23日（秋保温泉，宮城）.
5. 武田さくら，H. W. Yeom，長尾忠昭，長谷川修司：シリコン表面上でのパイエルス転移，戦略的基礎研究「量子効果等の物理現象」領域第２回シンポジウム，1998年12月22日（東京）.
6. 佐藤昇男，長尾忠昭，武田さくら，長谷川修司： Si(111)-√3×√3-Ag表面の低温STM観察，日本物理学会春の年会，1999年3月28日（広島大学）.
7. 土江孝二，堀越孝太郎，武田さくら，松田巌，H. W. Yeom，長尾忠昭，長谷川修司：Si(111)-√3×√3R30°-Ag 表面上におけるC60分子層の構造，日本物理学会春の年会，1999年3月28日（広島大学）.
8. 武田さくら，H. W. Yeom，佐藤昇男，長尾忠昭，長谷川修司：8×2-In/Si(111)超構造の１次元電荷密度波の低温STM観察，日本物理学会春の年会，1999年3月30日（広島大学）.
9. 長谷川修司，武田さくら，堀越孝太郎，佐藤昇男，長尾忠昭：シリコン表面の低温物性，真空に関する連合講演会，1998年11月11日（大阪）.
10. 武田さくら，長尾忠昭，長谷川修司：Si(111)表面上でのインジウムの成長構造と電気伝導，創成的基礎研究「表面・界面 − 異なる対称性の接点の物性 −」，平成９年度第４回研究会，1997年12月12日（箱根小涌園）.
11. 佐藤昇男，長尾忠昭，武田さくら，長谷川修司：シリコン表面での電子定在波の観察，創成的基礎研究「表面・界面 − 異なる対称性の接点の物性 −」，平成９年度第５回研究会，1998年1月30日（東京工業大学）.
12. 武田さくら，長尾忠昭，長谷川修司：In/Si(111)-7×7表面の形態と電気伝導の変化，日本物理学会 春の年会，1998年4月1日（日本大学）.
13. 土江孝二，武田さくら，鳥山啓之亮，堀越孝太郎，長尾忠明，長谷川修司：Si(111)表面上におけるC60分子層の構造と電気伝導，日本物理学会春の年会，1998年4月1日（日本大学）.
14. N. Sato，S. Takeda，T. Nagao，and S. Hasegawa：Electron standing wave on silicon surfaces，Mini-Workshop on Theory of Scanning Tunneling Microscopy and NanoStructures，1998年1月20日（東京大学）.
15. 中島雄二，長尾忠昭，Xiao Tong，武田さくら，長谷川修司：吸着原子による表面伝導バンドへのキャリア・ドーピング，創成的基礎研究「表面・界面 − 異なる対称性の接点の物性 −」，平成８年度第２回研究会，1997年2月1日（東京工業大学）.
16. 武田さくら，長尾忠昭，長谷川修司，井野正三：In/Si(111)-√3×√3-Gaの表面構造と電気伝導，物理学会秋の分科会，1996年10月3日（山口大学）.
17. 堀越孝太郎，Tong Xiao，武田さくら，長尾忠昭，長谷川修司：Cu/Si(111)-√3×√3-Ag表面における構造安定性と電気伝導，物理学会春の年会，1997年3月29日（名城大学）.
18. 武田さくら，冬暁，長谷川修司，井野正三：Si(111)上のInの吸着構造と表面電気伝導，日本物理学会講演会，1996年4月3日（金沢大学）.