武田さくら

現所属

  • 奈良先端大学大学院物質創成科学研究科 助手

博士論文

  • 「シリコン表面上のインジウム吸着構造と表面電気伝導の研究」

投稿論文

  1. Y. Nakajima,S. Takeda,T. Nagao,S. Hasegawa,and X. Tong:Surface electrical conduction due to carrier doping into a surface-state band on Si(111)-√3×√3-Ag,Physical Review B 56,6782-6787 (1997).
  2. S. Takeda,X. Tong,S. Ino,and S. Hasegawa:Structure-dependent electrical conductance through indium atomic layers on Si(111) surface,Surface Science 415,264-273 (1998).
  3. X. Tong,Y. Sugiura,T. Nagao,T. Takami,S. Takeda,S. Ino,and S. Hasegawa:STM observations of Ag adsorption on the Si(111)-√3×√3-Ag surface at low temperatures,Surface Science 408,146-159 (1998).
  4. N. Sato,T. Nagao,S. Takeda,and S. Hasegawa:Electron standing waves on the Si(111)-√3×√3-Ag surface,Physical Review B 59 (1999) 2035-2039.
  5. S. Hasegawa,X. Tong,S. Takeda,N. Sato,and T. Nagao:Structures and electronic transport on silicon surfaces Progress in Surface Science 60,89-257 (1999).
  6. H. W. Yeom,S. Takeda,E. Rotenberg,I. Matsuda,K. Horikoshi,J. Schaefer,C. M. Lee,S. D. Kevan,T. Ohta,T. Nagao,and S. Hasegawa:Instability and charge density wave of metallic quantum chains on a silicon surface,Physical Review Letters 82,4898-4901 (1999).

学会発表

  1. 武田さくら,Han Woong Yeom,松田巌,堀越孝太郎,登野健介,長尾忠昭,長谷川修司:In吸着Si(111)表面の4×1←→8×2パイエルス構造相転移,日本物理学会秋の分科会,1998年9月25日(沖縄国際大学).
  2. 佐藤昇男,長尾忠昭,武田さくら,長谷川修司:Si(111)-√3×√3-Ag表面上の電子定在波,日本物理学会秋の分科会,1998年9月25日(沖縄国際大学).
  3. 堀越孝太郎,武田さくら,松田巌,Han Woong Yeom,登野健介,長尾忠昭,長谷川修司:Pb吸着Si(111)表面上の整合-不整合転移における電子状態の変化と電気伝導,日本物理学会秋の分科会,1998年9月28日(沖縄国際大学).
  4. 長谷川修司,武田さくら,H. W. Yeom:シリコン表面の低温物性,東北大学電気通信研究所共同プロジェクト研究会,1998年10月23日(秋保温泉,宮城).
  5. 武田さくら,H. W. Yeom,長尾忠昭,長谷川修司:シリコン表面上でのパイエルス転移,戦略的基礎研究「量子効果等の物理現象」領域第2回シンポジウム,1998年12月22日(東京).
  6. 佐藤昇男,長尾忠昭,武田さくら,長谷川修司: Si(111)-√3×√3-Ag表面の低温STM観察,日本物理学会春の年会,1999年3月28日(広島大学).
  7. 土江孝二,堀越孝太郎,武田さくら,松田巌,H. W. Yeom,長尾忠昭,長谷川修司:Si(111)-√3×√3R30°-Ag 表面上におけるC60分子層の構造,日本物理学会春の年会,1999年3月28日(広島大学).
  8. 武田さくら,H. W. Yeom,佐藤昇男,長尾忠昭,長谷川修司:8×2-In/Si(111)超構造の1次元電荷密度波の低温STM観察,日本物理学会春の年会,1999年3月30日(広島大学).
  9. 長谷川修司,武田さくら,堀越孝太郎,佐藤昇男,長尾忠昭:シリコン表面の低温物性,真空に関する連合講演会,1998年11月11日(大阪).
  10. 武田さくら,長尾忠昭,長谷川修司:Si(111)表面上でのインジウムの成長構造と電気伝導,創成的基礎研究「表面・界面 − 異なる対称性の接点の物性 −」,平成9年度第4回研究会,1997年12月12日(箱根小涌園).
  11. 佐藤昇男,長尾忠昭,武田さくら,長谷川修司:シリコン表面での電子定在波の観察,創成的基礎研究「表面・界面 − 異なる対称性の接点の物性 −」,平成9年度第5回研究会,1998年1月30日(東京工業大学).
  12. 武田さくら,長尾忠昭,長谷川修司:In/Si(111)-7×7表面の形態と電気伝導の変化,日本物理学会 春の年会,1998年4月1日(日本大学).
  13. 土江孝二,武田さくら,鳥山啓之亮,堀越孝太郎,長尾忠明,長谷川修司:Si(111)表面上におけるC60分子層の構造と電気伝導,日本物理学会春の年会,1998年4月1日(日本大学).
  14. N. Sato,S. Takeda,T. Nagao,and S. Hasegawa:Electron standing wave on silicon surfaces,Mini-Workshop on Theory of Scanning Tunneling Microscopy and NanoStructures,1998年1月20日(東京大学).
  15. 中島雄二,長尾忠昭,Xiao Tong,武田さくら,長谷川修司:吸着原子による表面伝導バンドへのキャリア・ドーピング,創成的基礎研究「表面・界面 − 異なる対称性の接点の物性 −」,平成8年度第2回研究会,1997年2月1日(東京工業大学).
  16. 武田さくら,長尾忠昭,長谷川修司,井野正三:In/Si(111)-√3×√3-Gaの表面構造と電気伝導,物理学会秋の分科会,1996年10月3日(山口大学).
  17. 堀越孝太郎,Tong Xiao,武田さくら,長尾忠昭,長谷川修司:Cu/Si(111)-√3×√3-Ag表面における構造安定性と電気伝導,物理学会春の年会,1997年3月29日(名城大学).
  18. 武田さくら,冬暁,長谷川修司,井野正三:Si(111)上のInの吸着構造と表面電気伝導,日本物理学会講演会,1996年4月3日(金沢大学).