佐藤昇男

現所属

  • NTT通信エネルギー研究所
    低エネルギーエレクトロニクス研究部 新機能デバイス研究グループ

修士論文

  • 「銀原子が吸着したシリコン表面の吸着構造と電子状態」

投稿論文

  1. N. Sato,T. Nagao,S. Takeda,and S. Hasegawa:Electron standing waves on the Si(111)-√3×√3-Ag surface,Physical Review B 59,2035-2039 (1999).
  2. H. Aizawa,M. Tsukada,N. Sato,and S. Hasegawa:Asymmetric structure of the Si(111)-√3×√3--Ag surface,Surface Science 429,L509-L514 (1999).
  3. S. Hasegawa,X. Tong,S. Takeda,N. Sato,and T. Nagao:Structures and electronic transport on silicon surfaces,Progress in Surface Science 60,89-257 (1999).
  4. 長谷川修司,佐籐昇男,長尾忠昭:シリコンの表面構造と電子輸送,固体物理 34,81-89 (1999).
  5. N. Sato,T. Nagao,and S. Hasegawa:Si(111)-√3×√3--Ag surface at low temperatures; Symmetry breaking and surface twin boundaries,Surface Science,442,65-73(1999).
  6. N. Sato,T. Nagao,and S. Hasegawa:Two-dimensional adatom gas phase on the Si(111)-√3×√3--Ag surface directly observed by scanning tunneling microscopy,Physical Review B60,16083-16087(1999)

学会発表

  1. 佐藤昇男,長尾忠昭,武田さくら,長谷川修司:Si(111)-√3×√3--Ag表面上の電子定在波,日本物理学会秋の分科会,1998年9月25日(沖縄国際大学).
  2. 佐藤昇男,長尾忠昭,武田さくら,長谷川修司:Si(111)-√3×√3--Ag表面の低温STM観察,日本物理学会春の年会,1999年3月28日(広島大学).
  3. 武田さくら,H. W. Yeom,佐藤昇男,長尾忠昭,長谷川修司:8×2-In/Si(111)超構造の1次元電荷密度波の低温STM観察,日本物理学会春の年会,1999年3月30日(広島大学).
  4. 長谷川修司,武田さくら,堀越孝太郎,佐藤昇男,長尾忠昭:シリコン表面の低温物性真空に関する連合講演会,1998年11月11日(大阪).
  5. 佐藤昇男,長尾忠昭,武田さくら,長谷川修司:シリコン表面での電子定在波の観察,創成的基礎研究「表面・界面 − 異なる対称性の接点の物性 −」平成9年度第5回研究会,1998年1月30日(東京工業大学).
  6. 堀越孝太郎,渡利泰山,佐藤昇男,長尾忠昭,長谷川修司:Pb吸着Si(111)表面におけるSTM観察と電気伝導測定,日本物理学会春の年会,1998年3月31日(日本大学).
  7. N. Sato,S. Takeda,T. Nagao,and S. Hasegawa:Electron standing wave on silicon surfaces Mini-Workshop on Theory of Scanning Tunneling Microscopy and NanoStructures,1998年1月20日(東京大学).