関口武治

現所属

• 慶応義塾大学 理工学部 物理情報工学科 (特別研究)准教授
• 京都大学 物質-細胞統合システム拠点 特任准教授

博士論文

• 「アルカリ土類金属原子が吸着したシリコン表面の構造と電子状態（2000.3）」

投稿論文

1. T. Nagao, T. Sekiguchi, and S. Hasegawa:
   Epitaxial growth of single-crystal ultrathin film of Bi on the Si(111) surface,
   Japanese Journal of Applied Physics 39, 4567-4570 (2000).
   
2. T. Sekiguchi, F. Shjimokoshi, T. Nagao, and S. Hasegawa:
   A series of Ca-inducedreconstructions on Si(111) surface,
   Surface Science 493 (2000) 148-156.
   
3. T. Sekiguchi, T. Nagao, and S. Hasegawa:
   Transformation dynamics in Ca-induced reconstructions on Si(111) surface,
   e-Journal Surface Science and Nanotechnology 1 (2003) 26-32.
   

学会発表

1. T. Sekiguchi, T. Nagao, and S. Hasegawa:
   A seriesof Ca-induced reconstructions of the Si(111) surface,
   International Symposium on Surface and Interfaces : Properties of Different Symmetry Crossing , 2000年10月18日（Nagoya）.
   
2. 長尾忠昭、関口武治、長谷川修司:
   Si(111)表面上の単結晶 Bi 超薄膜の成長メカニズム、
   日本物理学会春の年会、2000年3月24日 (関西大学).
   
3. 堀越孝太郎、 H.-W. Yeom、関口武治、武田さくら、田邊輔仁、松田巌、長尾忠昭、長谷川修司:
   鉛吸着シリコン表面上での整合・不整合転移のSTMおよび光電子分光法による研究、
   日本物理学会春の年会、2000年3月22日(関西大学).
   
4. T. Nagao, T. Sekiguchi, T. Doi and S. Hasegawa:
   Epitaxial growth of single-crystal ultrathin film of bismuth on Si(111) surfaces,
   International Symposium on Surface Science for Micro- and Nano-Device Fabrication (ISSS-3), 1999年11月30日 (Tokyo, Japan).
   
5. 関口武治、堀越孝太郎、長尾忠昭、H. W. Yeom、松田巌、大内暁、田辺輔仁、X. Tong、谷川雄洋、原沢あゆみ、木下豊彦、長谷川修司：Si(111)-3×2-Ca表面の電子状態、
   日本物理学会秋の分科会、1999年9月27日（岩手大学）.
   
6. 霜越文夫、関口武治、井野正三、長谷川修司:
   Si(111)表面上の Ca 及びSr の吸着構造と相転移、
   日本物理学会 春の年会、1998年3月31日 (日本大学).
   
7. 関口武治、霜越文夫、井野正三、長谷川修司:
   Si(111)-n×1-Ca 表面構造の RHEED-STM 観察、
   日本物理学会 春の年会、1998年3月31日 (日本大学).