芝崎 剛豪
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芝崎 剛豪 |
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M2 |
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| 静かなる闘志を秘めた新人です... |
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在籍 2006/April/1～2008/March/31
現所属
投稿論文
- T. Shibasaki, N. Nagamura, T. Hirahara, .H. Okino, S. Yamazaki, W. Lee, H. Shim, R.
Hobara, I. Matsuda, G. . S. Lee, and S. Hasegawa:
Phase transition temperatures determined by different experimental
methods: Si(111)4x1-In surface with defects,
Phys. Rev. B81,
035314 (Jan, 2010).
学会発表
- T. Shibasaki, H. Okino,
Y. H. Kim, G. S. Lee, T. Hirahara, and S. Hasegawa:
Influence of impurities on electrical properties of
atomic wire self-assembled on silicon surface
The 9th
International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and
Nanostructures (ACSIN-9), 2007年11月12日(東大生産研）.
- 芝崎剛豪，沖野泰之，山崎詩郎，Y.K.
KimA，永村直佳，平原徹，松田巌，G. S. Lee，長谷川修司:
Si(111)4×1-In表面の相転移と欠陥の効果,
日本物理学会第63回年次大会 2008年3月24日、近畿大学.
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