谷川 雄洋

			TakehiroTANIKAWA		D2
			The eldest student now. A public servant in the group, and also an idol of everyone.

現所属 　東京エレクトロン株式会社

修士論文 　「シリコン表面上の銀原子層の成長様式と電気伝導の研究」（２０００年）

博士論文 　「マイクロ４端子プローブ法による表面相転移での電子輸送の研究」（２００３年）

投稿論文

1. T. Tanikawa, I. Matsuda, T. Kanagawa, and S. Hasegawa:
   Surface-state electrical conductivity at a metal-insulator transition on silicon,
   Physical Review Letters 93, 016801 (2004).
   
   
2. T. Tanikawa, K. Yoo, I. Matsuda, S. Hasegawa, and Y. Hasegawa,
   Non-metallic transport property of the Si(111)7x7 surface,
   Physical Review B 68, 113303 (2003, September).
   
   
3. T. Tanikawa, I. Matsuda, R. Hobara, and S. Hasegawa,
   Variable-temperature micro-four-point probe method for surface electrical conductivity measurements in ultrahigh vacuum,
   e-Journal of Surface Science and Nanotechnology 1, 50-56 (2003).
   
   
4. S. Hasegawa, I. Shiraki, F. Tanabe, R. Hobara, T. Kanagawa, T. Tanikawa, I. Matsuda, C. L. Petersen, T. M. Hansen, P. Boggild, F. Grey:
   Electrical conduction through surface superstructures measured by microscopic four-point probes,
   Surface Review and Letters 10, 963-980 (2003).
   
   
5. Xiao Tong, Satoru Ohuchi, Takehiro Tanikawa, Ayumi Harasawa, Taichi Okuda,Yoshinobu Aoyagi , Toyohiko Kinoshita, and Shuji Hasegawa:
   Core-level photoemission of the Si(111)-√21×√21-Ag surface using synchrotron radiation,
   Applied Surface Science 190 (2002) 121-128.
   
   
6. G. LeLay, A. Cricenti, C. Ottaviani, P. Perfetti, T. Tanikawa, I. Matsuda, S. Hasegawa:
   Evidence of asymmetric dimers down to 40 K at the clean Si(100) surface,
   Phys. Rev. B 66, 153317 (2002).
   
   
7. 長谷川修司、白木一郎、谷川雄洋、C. L. Petersen、F. Grey:
   マイクロ４端子プローブによる表面電気伝導の測定、
   固体物理　37(5) (2002) 299-308.
   
   
8. 松田巌、Han Woong Yeom、谷川雄洋、登野健介、長谷川修司、太田利明:
   半導体表面上金属超薄膜の量子井戸状態の研究、
   表面科学 23 (8) (2002） 509-518.
   
   
9. 長谷川修司、白木一郎、田邊輔仁、保原麗、金川泰三、谷川雄洋、松田巌、Christian L.. Petersen、Torben M. Hanssen、Peter Boggild、Francois Grey:
   ミクロな４端子プローブによる表面電気伝導の測定、
   表面科学 23 (12) (2002) 740-752.
   
   
10. S. Hasegawa, I. Shiraki, T. Tanikawa, C. L. Petersen, T. M. Hansen, P. Goggild, and F. Grey:
    Direct measurement of surface-state conductance by microscopic four-point probe method,
    J. Phys.: Cond. Matter 14 (2002) 8379-8392.
    
    
11. I. Matsuda, H.-W. Yeom, T. Tanikawa, K. Tono, T. Nagao, S. Hasegawa, and T. Ohta：
    Growth and electron quantization of the metastable silver films on Si(001),
    Physical Review B 63 (March, 2001) 125325.
    
    
12. T. Tanikawa, T. Nagao, S. Hasegawa:
    Grwoth mode and electrical conductance of Ag layers on Si(001) surface,
    Surface ScienceSurface Science 493, 389-398 (2001).
    
    
13. X. Tong, S. Ohuchi, N. Sato, T. Tanikawa, T. Nagao, I. Matsuda, Y. Aoyagi, S. Hasegawa:
    Electronic structures of Ag-induced superstructures on Si(111) surface studied by angle-resolved photoemission spectroscopy and scanning tunneling microscopy,
    Phys. Rev. B 64 (15 Nov 2001) 205316.

学会発表

1. T. Kanagawa, R. Hobara, S. Hasegawa:
   Performance of Independently Driven Four-Tip STM,
   Dr.Rohrer's JSPS Award Workshop, Dr. Rohrer's JSPS Award Workshop, (2002/March/5, Sendai).
   
   
2. T. Tanikawa, I. Matsuda, and S. Hasegawa:
   Micro-four-point probe measurements of surface-state conductance at a Peierls transition on Si(111)-4x1-In,
   The 2nd Vacuum and Surface Science Conference of Asia and Australia (VASSCAA-2),
   2002/Aug/28 (Hong Kong, China). (Elsevier Student Award)
   
   
3. S. Hasegawa, I. Shiraki, F. Tanabe, T. Tanikawa, R. Hobara, T. Kanagawa, and I. Matsuda:
   Direct measurements of surface conductivity by microscopic four-point probes,
   The 5th Russia-Japan Seminar on Semiconductor Surfaces,
   2002/September/17 (Vladivostok, Russia).
   
   
4. T. Tanikawa, H. Okino, I. Matsuda, and S. Hasegawa,
   Micro-four-point probe measurements during a phase transition on Si(111)-4x1-In surface at low temperature,
   Asia-Pacific Surface and Interface Analysis Conference (APSIAC02) (2002/ct/3, Univ. Tokyo).
   
   
5. R. Hobara, T. Kanagawa, T. Tanikawa, I. Matsuda, and S. Hasegawa,
   Electrical probe contact influence using micro four probe,
   Asia-Pacific Surface and Interface Analysis Conference (APSIAC02) (2002/Oct/3, Univ. Tokyo).
   
   
6. 谷川雄洋、松田巌、長谷川修司：
   マイクロ４端子法を用いた表面パイエルス転移に伴う表面電気伝導度の温度依存性測、
   日本表面科学会第２２回講演大会、2002年11月28日、早稲田大学.
   
   
7. 谷川雄洋、松田巌、長谷川修司：
   温度可変μ４端子法による表面電気伝導、
   日本物理学会第５７回年次大会、2002年3月25日（立命館大、滋賀）.
   
   
8. T. Tanikawa, I. Matsuda, T. Nagao, and S. Hasegawa:
   Growth and conductivity of Ag layers on Si(001) surfaces,
   The 251st WE-Heraeus Seminar on 2D Conductivity in Surface States and Monolayers,
   2001/Mar/5(Bad Honnef, Germany）.
   
   
9. S. Hasegawa, I. Shiraki, C. L. Petersen, F. Grey, T. M. Hansen, P. Boggild, T. Tanikawa, F. Tanabe, and T. Nagao:
   Microscopic four-point probes for surface conductivity measurements,
   The 251st WE-Heraeus Seminar on 2D Conductivity in Surface States and Monolayers,
   2001/Mar/5(Bad Honnef, Germany）.
   
   
10. X. Tong, S. Ohuchi, T. Tanikawa, N. Sato, T. Nagao, I. Matsuda, A. Harasawa, T. Okuda, T. Kinoshita, S. Hasegawa:
    Electronic structures of Ag-induced superstructures on Si(111) surfaces by valence-bands and core-level photoemission spectroscopies,
    The 8th International Conference on the Formation of Semiconductor Interfaces (ICFSI-8), 2001/Jun/14 (Sapporo).
    
    
11. T. Tanikawa, S. Hasegawa, I. Shiraki, T. M. Hansen, P. Boggild, and F. Grey :
    Surface Sheet Conductance measured by Micro-Four-Probe Method,
    The 57th Yamada Conference on Atomic-scale surface designing for fuctional low-dimensional materials,
    2001年11月14日 (筑波).
    
    
12. 谷川雄洋、白木一郎、長尾忠昭、長谷川修司：
    マイクロ４端子法による電気伝導の測定、
    日本物理学会 第５６回年次大会、2001年3月28日（中央大学）.
    
    
13. 谷川雄洋、白木一郎、F.Grey、長谷川修司:
    マイクロ４端子法による電気伝導の測定、
    日本表面科学会第21回表面科学講演大会、2001年11月29日 (東京).
    
    
14. T. Tanikawa, I. Matsuda, T. Nagao, and S. Hasegawa:
    Growth mode and electrical conductance of Ag atomic layers on Si(001) surface,
    International Symposium on Surface and Interfaces -Properties of Different Symmetry Crossing--,
    2000/Oct/18(Nagoya, Japan）
    
    
15. 金川泰三、長尾忠昭、谷川雄洋、長谷川修司：
    アルカリ金属原子吸着 Si(111)-√3×√3-Ag 表面の構造と電気伝導、
    日本物理学会 第５５回年次大会、2000年9月24日（新潟大学）.
    
    
16. 谷川雄洋、松田巌、長尾忠昭、長谷川修司：
    Si(001) 表面上の Ag 原子層の unwetting と電気伝導 、
    日本物理学会秋の分科会、1999年9月26日 (岩手大学).
    
    
17. 長谷川修司、淺沼伸彦、谷川雄洋、長尾忠昭:
    インジウムが吸着した Si(111) 表面での低温相転移、
    日本物理学会秋の分科会，1999年9月26日（岩手大学).