土江孝二

現所属

  • (株)東芝セミコンダクター社 SoC研究開発センター モバイル&コミュニケーションSoC技術開発部

修士論文

  • 「Si(111)表面上におけるC60分子層の構造と電気伝導」

投稿論文

  1. T. Nagao,K. Tsuchie,S. Hasegawa,and S. Ino:Structural phase transitions of Si(111)-(√3×√3)R30°-Au: phase transitions in domain wall configurations,Physical Review B 57,10100-10109 (1998).
  2. K. Tsuchie,T. Nagao,and S. Hasegawa:Structure of C60 layers on the Si(111)-√3×√3-Ag surface,Physical Review B60,11131-11136.
  3. S. Hasegawa,K. Toriyama,K. Tsuchie,and T. Nagao:Surface Electronic Transport on Silicon: donner- and accepter-type adsorbate Si(111)-√3×√3-Ag substrate,Applied Surface Science,162/163,42-47(2000).
  4. T. Fujisawa, J. Hasegawa, K. Tsuchie, et al.: A Single-Chip 802.11a MAC/PHY with a 32b RISC Processor, 2003 IEEE International Solid-State Circuits Conference, p. 144 (2003).

学会発表

  1. 土江孝二,堀越孝太郎,武田さくら,松田巌,H. W. Yeom,長尾忠昭,長谷川修司:Si(111)-√3×√3R30°-Ag表面上におけるC60分子層の構造,日本物理学会春の年会,1999年3月28日(広島大学).
  2. 土江孝二,武田さくら,鳥山啓之亮,堀越孝太郎,長尾忠明,長谷川修司:Si(111)表面上におけるC60分子層の構造と電気伝導,日本物理学会春の年会,1998年4月1日(日本大学).
  3. 長尾忠昭,土江孝二,長谷川修司,M. Henzler,高見知秀,井野正三:Au吸着Si(111)表面のドメイン構造,物理学会秋の分科会,1996年10月3日(山口大学).
  4. 長尾忠昭,土江孝二,C. Voges,H. Pfnuer,長谷川修司,M. Henzler,井野正三:Si(111)-(√3×√3)R30°-Auの構造相転移:分域境界が担う相転移,物理学会春の年会,1997年3月29日(名城大学).