上野将司

			上野将司		Ｍ2
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現所属

• みずほ銀行

修士論文

• 「銀原子が吸着したシリコン表面の状態と表面電気伝導」（２００３年度）

投稿論文

1. M. Ueno, I. Matsuda, C. Liu, and S. Hasegawa,
   Step edges as reservoirs of adatom gas on a surface,
   Japanese Journal of Applied Physics, vol. 42, Part 1, pp. 4894-4897 (2003, July).
   
   
2. 上野将司、松田巌、劉燦華、原沢あゆみ、奥田太一、木下豊彦、長谷川修司：
   表面上の２次元吸着原子ガス相と内殻光電子分光
   表面科学 24, 556 (September, 2003).
   
   
3. I. Matsuda, M. Ueno, T. Hirahara, R. Hobara, H. Morikawa, and S. Hasegawa,
   Electrical Resistance of a Monatomic Step on a Crystal Surface,
   Physical Review Letters 93, 236801 (Dec, 2004).
   
   
4. T. Hirahara, I. Matsuda, M. Ueno, and S. Hasegawa,
   The effective mass of a free-electron-like surface state of the Si(111)√3×√3-Ag investigated by photoemission and scanning tunneling spectroscopies,
   Surface Science 563, 191-198 (2004).
   
   

学会発表

1. 松田巌、上野将司、沖野泰之、長谷川修司：
   マイクロ４端子法によるSi(111)√3×√3-Ag 表面電気伝導の温度依存性の研究、
   日本物理学会第59回年次大会、2004年3月27日、九州大学（箱崎）.
   
   
2. Iwao Matsuda, Masashi Ueno, Tohru Hirahara, Jun Sugawa, Rei Hobara, Shuji Hasegawa:
   Electrical Resistance at Atomic Steps on a Silicon Crystal Surface (Upgrade talk),
   The 31st Conference on the Physics and Chemistry of Semiconductor Interfaces, Kailua-Kona, Hawai, 19 January 2004.
   
   
3. I. Matsuda, M. Ueno, T. Hirahara, J. Sugawa, R. Hobara, and S. Hasegawa:
   Resistance of a single atomic step studied by STS and indepedently driven four-tip STM, nsitions,
   The 11th International Colloquium on Scanning Probe Microscopy (SPM11), 2003/Dec/11-13 (Atagawa, Japan).
   
   
4. M. Ueno, I. Matsuda, L. Canhua, A. Harasawa, T. Okuda, T. Kinoshita, and S. Hasegawa:
   Morphology and core-level photoemission spectra of Si(111)-√3×√3-Ag surface,
   7th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures (ACSIN-7),、2003年11月18日、奈良.
   
   
5. 長谷川修司、谷川雄洋、金川泰三、守川春雲、平原徹、上野将司、松田巌、：
   表面原子ステップでの電気抵抗、
   平成15年度東北大電気通信研究所プロジェクト研究会、ナノ成長場制御による構造と機能」　2003年10月17日、作並温泉、宮城.
   
   
6. 松田巌、上野将司、平原徹、栖川淳、保原麗、長谷川修司:
   STM/STS測定によるSi(111)/3x/3-Ag表面ステップの研究、
   日本物理学会2003年秋季大会（岡山大）、2003年9月20-23日.
   
   
7. 上野将司、松田巌、劉燦華、長谷川修司
   Si(111)-√3×√3-Ag表面の作成法によるモルフォロジ−の違い,
   日本物理学会第58回年次大会、2003年3月29日、早稲田大学.
   
   
8. 上野将司、劉燦華、松田巌、長谷川修司：Si(111)-√3×√3-Ag　表面構造の処理温度依存性、日本表面科学会第２２回講演大会、2002年11月27日、早稲田大学.
   
   
9. M. Ueno, Liu Canhua, I. Matsuda, and S. Hasegawa:
   Difference in morphology of Si(111)-√3×√3-Ag surface with various preparations,
   The 10th International Colloquium on Scanning Probe Microscopy (ICSPM10) (2002/Nov/2, Waikiki, Hawaii).